ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：PDIP-8

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

数据手册

1+
￥11.26
10+
￥9.59
50+
￥8.2

有货

立即购买

型号：MC33152DG 编号：C897747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥11.51
10+
￥9.93
30+
￥8.95

有货

立即购买

型号：NCV7518MWATXG 编号：C895778

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7518 / NCV7518A 可编程六沟道低压侧 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 MOSFET。该产品可通过串行 SPI 和并行输入组合控制。该器件提供 3.3 V/5 V 兼容输入，并且串行输出驱动器可以采用 3.3 V 或 5 V 供电。内部通电重置提供受控通电。重置输入允许外部重新初始化，而启用输入允许同时禁用所有输出和诊断。每个沟道独立监控其外部 MOSFET 的漏压，看是否存在故障情况。短路负载故障检测阈值可使用外部编程参考电压和分立内部比值组合进行完全编程。这些比值可通过 SPI 选择，允许对于每个沟道设置不同的检测阈值。每个沟道的故障恢复操作可编程设定，并可选择用来进行锁存关断或自动重试。每个沟道的状态信息为故障类型编码的 3 位，通过 SPI 通信提供。FLEXMOS 系列产品通过选择外部 MOSFET 提供了应用可伸缩性。

数据手册

1+
￥16.62
10+
￥16.23
30+
￥15.97

有货

立即购买

型号：LV8968BBUWR2G 编号：C603211

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

是一款3相BLDC/PMSM预驱动器，集成了相电压感应和逻辑电平FET兼容性。宽工作电压范围和AEC-Q100认证使其非常适合汽车应用。六个栅极驱动器为外部功率桥提供400mA（典型值）的栅极电流，允许使用低电阻功率FET和逻辑电平FET。所有FET都受到过流、短路、过温和栅极欠压保护

数据手册

1+
￥19.698 ￥65.66
10+
￥11.376 ￥56.88
30+
￥5.152 ￥51.52
100+
￥4.703 ￥47.03

有货

立即购买

型号：LV8728MR-AH 编号：C73904

封装：MFP-30KR

品牌：onsemi(安森美)

LV8728MR是一款PWM电流控制的微步步进电机驱动器。该驱动器可执行从整步到1/128步的八种励磁模式，并且只需通过CLK输入即可实现简单驱动。

数据手册

1+
￥25.0182
20+
￥24.0012
100+
￥23.391
200+
￥22.7808
500+
￥22.374

我要订货

型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

1+
￥25.78
10+
￥24.59
30+
￥23.86

有货

立即购买

型号：CS8190EDWFR20G 编号：C899110

封装：SO-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

CS8190 特别适用于空气芯仪表移动。该集成电路提供了模拟转速表或速度计所需的所有功能。CS8190 采用速度传感器输入，并生成正弦和余弦相关输出信号，以差分驱动空气芯仪表。基于 CS289 或 LM1819 等行业标准转速表驱动器增加了很多增强功能。该输出使用差分驱动器，无需齐纳参比，提供更高转矩。该器件可耐受 60V 瞬变电压，减少了所需保护电路要求。该器件还比现有器件更精密，可实现更少的辅助器件，适用于速度计。

数据手册

1+
￥34.88
10+
￥31.6386 ￥34.02
30+
￥27.7552 ￥33.44
100+
￥27.2821 ￥32.87

有货

立即购买

型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

数据手册

1+
￥38.42
10+
￥33.17
30+
￥30.06
100+
￥26.9

有货

立即购买

型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.41
30+
￥3.03

有货

立即购买

型号：FAN3229TMX 编号：C903505

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.87
10+
￥5.71
30+
￥5.61

有货

立即购买

型号：FAN3100CSX 编号：C184477

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的一个 N 沟道增强 MOSFET。此驱动器可以提供TTL(FAN3100T)或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。FAN3100提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥4.7
30+
￥4.11

有货

立即购买

型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥6.04
30+
￥5.95
100+
￥5.86

有货

立即购买

型号：NCP51530ADR2G 编号：C603750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

数据手册

1+
￥6.6
10+
￥6.45
30+
￥6.35

有货

立即购买

型号：FL5150MX 编号：C903677

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

可选的接地或火线过零检测：符合 UL1472 2015 第二版关于增加漏地电流以减少闪烁的要求（北美）用户可编程前沿或后沿调光控制 ■ 动态过流和温度保护 ■ 由交流线路供电 ■ 对称交流电流控制 ■ IGBT 或 MOSFET 栅极驱动器 ■ 栅极脉冲宽度可在 0 至 100% tON 范围内编程 ■ 8 位 ADC 输入，可通过可调电阻或 0 至 10 V 直流电压进行调光控制 ■ 226 种调光脉冲宽度，分辨率为 25 μs，内置斜坡上升/下降控制，实现自动平滑调光最大栅极脉冲宽度控制（自动最大） ■ 最少的外部元件 ■ 600 μA 静态电流 ■ 精度为 2% 的温度补偿内部定时器 ■ 低功耗电子关断模式 ■ 节省空间的 SOIC 10 引脚封装 ■ 50 Hz 和 60 Hz 可选

数据手册

1+
￥7.06
10+
￥6.9
30+
￥6.78

有货

立即购买

型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥7.11
30+
￥6.99

有货

立即购买

型号：FAN3225TMX 编号：C603199

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥9.3
10+
￥7.72
30+
￥6.86
100+
￥5.88
500+
￥4.87
1000+
￥4.68

有货

立即购买

型号：FAN3217TMX 编号：C903481

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3216 提供了两个反向驱动器，FAN3217 提供两个非反向驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥10.32
10+
￥8.8
30+
￥7.85

有货

立即购买

型号：FAN7388MX 编号：C124451

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥10.41
10+
￥8.87
30+
￥7.91

有货

立即购买

型号：FAN3100TMPX 编号：C890688

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

数据手册

1+
￥10.66
10+
￥8.94
30+
￥7.86

有货

立即购买

型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

数据手册

1+
￥10.82
10+
￥9.13
30+
￥8.08

有货

立即购买

型号：NCP81074BDR2G 编号：C603802

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。

数据手册

1+
￥12.12
10+
￥11.88
30+
￥11.73

有货

立即购买

型号：FAN7393AMX 编号：C890854

封装：SO-14

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥12.69
10+
￥12.39
30+
￥12.19

有货

立即购买

型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

数据手册

1+
￥13.99
10+
￥11.73
30+
￥10.32

有货

立即购买

型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

数据手册

1+
￥14.82
10+
￥14.47
30+
￥14.24

有货

立即购买

型号：FAN73912AMX 编号：C2902008

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912A是一款单片式高端和低端栅极驱动IC，专为最高可在+1200 V电压下工作的MOSFET和IGBT进行高压、高速驱动而设计。HIN的先进输入滤波器可防止因噪声产生的短脉冲输入信号。

数据手册

1+
￥21.3
10+
￥20.2
30+
￥18.56
100+
￥17.9

有货

立即购买

型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

数据手册

1+
￥27.63
10+
￥26.99
30+
￥26.57

有货

立即购买

型号：NCV57101DWR2G 编号：C5206712

封装：SOIC-16-W

品牌：onsemi(安森美)

是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定、去饱和保护和去饱和诊断功能、去饱和时软关断。为方便系统设计，具备禁用输出功能和独立的高低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y在输入侧支持5V和3.3V信号，在驱动器侧支持宽偏置电压范围，包括负电压能力

数据手册

1+
￥35.21
10+
￥29.96
30+
￥26.84

有货

立即购买

型号：MC33152PG 编号：C603252

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥8.43
10+
￥8.24
30+
￥8.12

有货

立即购买

型号：MC34151DG 编号：C71908

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥10.73
10+
￥9
30+
￥7.92

有货

立即购买

型号：FAN3122TMPX 编号：C890692

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥12.34
10+
￥12.06
30+
￥11.87

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示