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型号：LB1909MC-BH 编号：C903793

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

LB1909MC是一款电机驱动IC，可在较宽的电源电压范围（2.5V至16V）内工作。该IC非常适合用于通用两相双极步进电机的两相励磁驱动，包括冰箱用阻尼器。

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型号：FAN3216TMX-F085 编号：C903480

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双通道 2A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。都提供 TTL 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。

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￥6.887 ￥9.7
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型号：FAN7388MX 编号：C124451

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：FAN3217TMX 编号：C903481

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3216 提供了两个反向驱动器，FAN3217 提供两个非反向驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥10.3776 ￥11.04
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￥9.072 ￥10.8
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型号：NCP81074BDR2G 编号：C603802

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。

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型号：MC34151DG 编号：C71908

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FL5150MX 编号：C903677

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

可选的接地或火线过零检测：符合 UL1472 2015 第二版关于增加漏地电流以减少闪烁的要求（北美）用户可编程前沿或后沿调光控制 ■ 动态过流和温度保护 ■ 由交流线路供电 ■ 对称交流电流控制 ■ IGBT 或 MOSFET 栅极驱动器 ■ 栅极脉冲宽度可在 0 至 100% tON 范围内编程 ■ 8 位 ADC 输入，可通过可调电阻或 0 至 10 V 直流电压进行调光控制 ■ 226 种调光脉冲宽度，分辨率为 25 μs，内置斜坡上升/下降控制，实现自动平滑调光最大栅极脉冲宽度控制（自动最大） ■ 最少的外部元件 ■ 600 μA 静态电流 ■ 精度为 2% 的温度补偿内部定时器 ■ 低功耗电子关断模式 ■ 节省空间的 SOIC 10 引脚封装 ■ 50 Hz 和 60 Hz 可选

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型号：FAD6263M1X 编号：C903463

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

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型号：NCP51530BMNTWG 编号：C603752

封装：DFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：NCV7721D2R2G 编号：C904665

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7721是一款全保护双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能，可实现高端、低端和H桥控制。

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￥12.782 ￥16.6
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型号：FAN73893MX 编号：C899112

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73893 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压闭锁、互锁功能，以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和吸收 350 mA 和 650 mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：FAN3227CMX 编号：C603200

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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￥22.97
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型号：NCP303152MNTWG 编号：C3020838

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP303152将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC-DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP303152集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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￥23.22
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￥19.87
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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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￥19.88
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型号：MC33035DWG 编号：C10665

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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￥37.45
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￥32.43
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￥29.38

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型号：NCP51530ADR2G 编号：C603750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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￥9.07
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型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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￥10.46
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￥8.78
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￥7.72

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥11.26
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￥9.59
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￥8.2

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型号：MC33152DG 编号：C897747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥11.51
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￥9.93
30+
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型号：NCP81071ADR2G 编号：C603796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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￥12.02
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￥10.11
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型号：FAN3122TMPX 编号：C890692

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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￥12.34
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￥12.06
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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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￥14.01
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￥11.75
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￥10.34

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型号：NCP81075DR2G 编号：C904531

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81075 是一款高性能双 mosfet（高压侧和低压侧）门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管，驱动能力高达 4A。高压侧和低压侧驱动器独立控制，带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该零件采用 SO8，8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。

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￥14.19
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￥12.19
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￥10.94
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型号：NCP302155AMNTWG 编号：C3655105

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP302155A将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET已针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP302155A集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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￥12.87
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型号：LV8968BBUWR2G 编号：C603211

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

是一款3相BLDC/PMSM预驱动器，集成了相电压感应和逻辑电平FET兼容性。宽工作电压范围和AEC-Q100认证使其非常适合汽车应用。六个栅极驱动器为外部功率桥提供400mA（典型值）的栅极电流，允许使用低电阻功率FET和逻辑电平FET。所有FET都受到过流、短路、过温和栅极欠压保护

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￥15.1018 ￥65.66
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￥13.0824 ￥56.88
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￥11.8496 ￥51.52
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￥10.8169 ￥47.03

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型号：FAN3122TMX 编号：C457747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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