ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

数据手册

1+
￥14.19
10+
￥12.02
30+
￥10.66

有货

立即购买

型号：FAN8811TMPX 编号：C890862

封装：WDFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于高压、高速驱动MOSFET的高端和低端栅极驱动IC，可驱动高达80V的MOSFET。该IC集成了驱动IC和自举二极管，驱动IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了性能。高速双栅极驱动器设计用于在半桥或同步降压配置中驱动N沟道MOSFET的高端和低端。浮动高端驱动器能够在高达80V的电源电压下工作

数据手册

1+
￥14.36
10+
￥12.25
30+
￥10.51

有货

立即购买

型号：FAN3227CMX 编号：C603200

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥16.99
10+
￥16.59
30+
￥16.33

有货

立即购买

型号：NCV57084DR2G 编号：C5206728

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具备2.5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。

数据手册

1+
￥17.42
10+
￥14.86
30+
￥13.27

有货

立即购买

型号：NCV7707DQR2G 编号：C463861

封装：SSOP-36 EP

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥87.6
10+
￥83.53
30+
￥76.48

有货

立即购买

型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.68
30+
￥2.64

有货

立即购买

型号：FAN3180TSX 编号：C890693

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3180 将高速低端栅极驱动器与 3.3V 输出低压差稳压器（LDO）相结合。栅极驱动器在 V

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥5.21
30+
￥5.12

有货

立即购买

型号：FAN3216TMX 编号：C903479

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3216 提供了两个反相驱动器，FAN3217 提供两个非反相驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥5.79
10+
￥5.67
30+
￥5.58

有货

立即购买

型号：FAN3181TMX 编号：C903475

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3181 在开关间隔期间提供高峰值电流脉动，适合于低端开关应用的独立式 IGBT 驱动器。保护功能包括欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OCP)、去饱和保护 (DESAT) 和故障输出保护与有源密勒箝位功能。漏极开路的故障输出信号会在发生过流、欠压和去饱和检测时提供指示信号。软关断功能用于提高短路或过流期间的应用可靠性。此功能在去饱和或过流保护激活后工作，防止 IGBT 出现短路和过流情况。通过“软”关断功能可以缓慢降低栅极电压，减少 IGBT 电流。

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥6.69
30+
￥6.58

有货

立即购买

型号：NCP51105ASNT1G 编号：C39611918

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

是一款高电流低端栅极驱动器，用于驱动功率MOSFET和IGBT。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。具有OCP引脚，可通过检测开关电流检测电阻两端的负电压来提供过流保护；还有EN引脚，能够向外部控制器（如MCU）报告故障状态。EN引脚在正常工作时必须上拉至高于阈值的电压，在所有故障条件下将被下拉以禁用输出。内部VDD电路提供欠压锁定功能，将输出保持为低电平，直到电源电压恢复到工作范围内，故障恢复时间可通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数进行编程。

1+
￥7.24
10+
￥7.09
30+
￥6.98

有货

立即购买

型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

数据手册

1+
￥7.66
10+
￥7.48
30+
￥7.36

有货

立即购买

型号：NCV8412ASTT1G 编号：C2902281

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

数据手册

1+
￥8.96
10+
￥7.35
30+
￥6.47

有货

立即购买

型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥9.58
10+
￥9.36
30+
￥9.22

有货

立即购买

型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

数据手册

1+
￥10.39
10+
￥10.17
30+
￥10.02

有货

立即购买

型号：NCD57085DR2G 编号：C2902212

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57085是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5 kVrms内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断和故障报告功能的电流检测功能。NCx57085可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，以及高达30 V的宽范围输出偏置电压。

数据手册

1+
￥10.53
10+
￥8.89
30+
￥7.86

有货

立即购买

型号：FAN3227TMX-F085 编号：C903500

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

“FAN3226-29 系列双通道 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单个 MOSFET 的电流能力增加一倍。

数据手册

1+
￥11.53
10+
￥11.26
30+
￥11.09

有货

立即购买

型号：FAN7085MX-GF085 编号：C903541

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7085_GF085 是一款带复位输入和内置充电器 FET 的高端栅极驱动 IC。它设计用于为工作电压高达300V的MOSFET或IGBT提供高压、高速驱动。

数据手册

1+
￥11.8
10+
￥11.51
30+
￥11.31

有货

立即购买

型号：LB11685AV-TLM-H 编号：C462779

封装：SSOP-24-275mil

品牌：onsemi(安森美)

LB11685AV是一款三相全波电流线性驱动电机驱动IC。它采用无传感器控制系统，无需使用霍尔效应器件。为实现更安静的运行，LB11685AV具备电流软开关电路，非常适合驱动冰箱等设备中的冷却风扇电机。

1+
￥12.25
10+
￥10.4
30+
￥9.24
100+
￥8.05

有货

立即购买

型号：FAN3216TMX-F085 编号：C903480

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双通道 2A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。都提供 TTL 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。

数据手册

1+
￥12.59
10+
￥10.75
30+
￥9.59

有货

立即购买

型号：NCP81075DR2G 编号：C904531

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81075 是一款高性能双 mosfet（高压侧和低压侧）门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管，驱动能力高达 4A。高压侧和低压侧驱动器独立控制，带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该零件采用 SO8，8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。

数据手册

1+
￥13.03
10+
￥11.02
30+
￥9.77

有货

立即购买

型号：NCV51511PDR2G 编号：C603956

封装：VFQFN-24

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥13.14
10+
￥12.84
30+
￥12.64

有货

立即购买

型号：NCV5707BDR2G 编号：C5206746

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过消除外部输出缓冲器提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽范围的偏置电源电压。NCx5707B 支持双极电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位 (NCx5707A) 和独立的高低 (VOH 和 VOL) 驱动器输出，方便系统设计 (NCx5707C)。

数据手册

1+
￥14.04
10+
￥13.71
30+
￥13.49

有货

立即购买

型号：NCD5701BDR2G 编号：C603416

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥15.11
10+
￥14.73
30+
￥14.47

有货

立即购买

型号：FAN73893MX 编号：C899112

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73893 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压闭锁、互锁功能，以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和吸收 350 mA 和 650 mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥15.77
10+
￥13.39
30+
￥11.9

有货

立即购买

型号：NCP303160MNTWG 编号：C3655280

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥15.8
10+
￥15.43
30+
￥15.19

有货

立即购买

型号：FAN3122CMPX 编号：C890691

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121和FAN3122 MOSFET驱动器旨在通过提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的N沟道增强型MOSFET。这些驱动器有TTL输入阈值（FAN312xT）或与VDD成比例的CMOS输入阈值（FAN312xC）两种类型可供选择。内部电路通过将输出保持在低电平，直至电源电压处于工作范围内，从而实现欠压锁定功能

数据手册

1+
￥15.83
10+
￥12.72
30+
￥10.88

有货

立即购买

型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

数据手册

1+
￥16.07
10+
￥15.7
30+
￥15.45

有货

立即购买

型号：FAN3224TUM1X-F085 编号：C903490

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 FAN3224TUM1X-F085 和 FAN3224TM1X-F085采用带裸露焊盘的 SO8 封装，以改善散热，适用于 EV/HEV 上板上充电器等快速开关应用。

数据手册

1+
￥16.25
10+
￥15.87
30+
￥15.62

有货

立即购买

型号：NCV57100DWR2G 编号：C5206711

封装：SOIC-16-W

品牌：onsemi(安森美)

NCx5710y是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路FAULT和READY输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护和DESAT诊断功能、DESAT时软关断、禁用输出功能，以及为方便系统设计而设置的独立高、低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y兼容5 V和3.3V

数据手册

1+
￥17.01
10+
￥16.61
30+
￥16.35

有货

立即购买

型号：FAN3122TMX-F085 编号：C903474

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 输入阈值 (FAN312xT) 或 VDD 比例 CMOS 输入阈值 (FAN312xC)。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中是不需要的。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。商业 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥17.61
10+
￥17.2
30+
￥16.92

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示