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型号：NCV57101DWR2G 编号：C5206712

封装：SOIC-16-W

是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定、去饱和保护和去饱和诊断功能、去饱和时软关断。为方便系统设计，具备禁用输出功能和独立的高低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y在输入侧支持5V和3.3V信号，在驱动器侧支持宽偏置电压范围，包括负电压能力

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￥34.43
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￥29.18
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型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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￥3.03

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型号：FAN3100CSX 编号：C184477

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的一个 N 沟道增强 MOSFET。此驱动器可以提供TTL(FAN3100T)或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。FAN3100提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。

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型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

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型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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型号：NCD57084DR2G 编号：C2902211

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具备2.5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。

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型号：FAN7888MX 编号：C258167

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：NCP1392BDR2G 编号：C457690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：NCV7518MWATXG 编号：C895778

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7518 / NCV7518A 可编程六沟道低压侧 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 MOSFET。该产品可通过串行 SPI 和并行输入组合控制。该器件提供 3.3 V/5 V 兼容输入，并且串行输出驱动器可以采用 3.3 V 或 5 V 供电。内部通电重置提供受控通电。重置输入允许外部重新初始化，而启用输入允许同时禁用所有输出和诊断。每个沟道独立监控其外部 MOSFET 的漏压，看是否存在故障情况。短路负载故障检测阈值可使用外部编程参考电压和分立内部比值组合进行完全编程。这些比值可通过 SPI 选择，允许对于每个沟道设置不同的检测阈值。每个沟道的故障恢复操作可编程设定，并可选择用来进行锁存关断或自动重试。每个沟道的状态信息为故障类型编码的 3 位，通过 SPI 通信提供。FLEXMOS 系列产品通过选择外部 MOSFET 提供了应用可伸缩性。

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型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCV57100DWR2G 编号：C5206711

封装：SOIC-16-W

品牌：onsemi(安森美)

NCx5710y是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路FAULT和READY输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护和DESAT诊断功能、DESAT时软关断、禁用输出功能，以及为方便系统设计而设置的独立高、低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y兼容5 V和3.3V

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型号：NCV7707DQR2G 编号：C463861

封装：SSOP-36 EP

品牌：onsemi(安森美)

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型号：ADP3120AJCPZ-RL 编号：C606336

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：FAN3180TSX 编号：C890693

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3180 将高速低端栅极驱动器与 3.3V 输出低压差稳压器（LDO）相结合。栅极驱动器在 V

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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型号：FAN3227TMX-F085 编号：C903500

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

“FAN3226-29 系列双通道 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单个 MOSFET 的电流能力增加一倍。

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型号：FAN7393AMX 编号：C890854

封装：SO-14

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN8811TMPX 编号：C890862

封装：WDFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于高压、高速驱动MOSFET的高端和低端栅极驱动IC，可驱动高达80V的MOSFET。该IC集成了驱动IC和自举二极管，驱动IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了性能。高速双栅极驱动器设计用于在半桥或同步降压配置中驱动N沟道MOSFET的高端和低端。浮动高端驱动器能够在高达80V的电源电压下工作

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型号：NCV33035DWR2G 编号：C494729

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含实现全功能开环三相或四相电机控制系统所需的所有有源功能。该器件包括一个用于正确换相排序的转子位置解码器、一个能够为传感器供电的温度补偿基准源、一个频率可编程的锯齿波振荡器、三个集电极开路高端驱动器和三个大电流图腾柱低端驱动器，非常适合驱动功率MOSFET。还具备保护功能，包括欠压锁定、带有可选延时锁存关断模式的逐周期电流限制、内部热关断以及一个可与微处理器控制系统接口的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度控制、正反转、运行使能和动态制动。MC33035设计用于60°/300°或120°/240°电气传感器相位，还能高效控制有刷直流电机。MC33035是一系列高性能单片无刷直流电机控制器之一。它包含实现全功能、开环、三相或四相电机控制系统所需的所有功能。此外，该控制器也可用于控制有刷直流电机。采用双极模拟技术制造，在恶劣的工业环境中具有高度的性能和耐用性。MC33035包含一个用于正确换相排序的转子位置解码器、一个能够为传感器供电的温度补偿基准源、一个频率可编程的锯齿波振荡器、一个完全可访问的误差放大器、一个脉宽调制比较器、三个集电极开路高端驱动输出和三个大电流图腾柱低端驱动输出，非常适合驱动功率MOSFET。MC33035具备的保护功能包括欠压锁定、带有可选延时锁存关断模式的逐周期电流限制、内部热关断以及一个可轻松与微处理器控制器接口的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度控制、正反转、运行使能和动态制动。此外，MC33035有一个60°/120°选择引脚，可将转子位置解码器配置为接受60°或120°传感器电气相位输入。

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￥55.12
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￥53.9
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￥53.09

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型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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￥2.74
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￥2.68
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￥2.64

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型号：ADP3120AJRZ-RL 编号：C393363

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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￥4.32
10+
￥4.25
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￥4.2

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型号：FAN3100TMPX 编号：C890688

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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￥4.51
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￥4.4
30+
￥4.32

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型号：FAN3216TMX 编号：C903479

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3216 提供了两个反相驱动器，FAN3217 提供两个非反相驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

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1+
￥5.79
10+
￥5.67
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￥5.58

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型号：FAN3181TMX 编号：C903475

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3181 在开关间隔期间提供高峰值电流脉动，适合于低端开关应用的独立式 IGBT 驱动器。保护功能包括欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OCP)、去饱和保护 (DESAT) 和故障输出保护与有源密勒箝位功能。漏极开路的故障输出信号会在发生过流、欠压和去饱和检测时提供指示信号。软关断功能用于提高短路或过流期间的应用可靠性。此功能在去饱和或过流保护激活后工作，防止 IGBT 出现短路和过流情况。通过“软”关断功能可以缓慢降低栅极电压，减少 IGBT 电流。

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￥6.87
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￥6.69
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型号：NCP51105ASNT1G 编号：C39611918

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

是一款高电流低端栅极驱动器，用于驱动功率MOSFET和IGBT。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。具有OCP引脚，可通过检测开关电流检测电阻两端的负电压来提供过流保护；还有EN引脚，能够向外部控制器（如MCU）报告故障状态。EN引脚在正常工作时必须上拉至高于阈值的电压，在所有故障条件下将被下拉以禁用输出。内部VDD电路提供欠压锁定功能，将输出保持为低电平，直到电源电压恢复到工作范围内，故障恢复时间可通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数进行编程。

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￥7.24
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￥7.09
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￥6.98

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型号：MC33152PG 编号：C603252

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥8.43
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￥8.24
30+
￥8.12

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型号：NCV8412ASTT1G 编号：C2902281

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

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￥8.96
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￥7.35
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型号：FAN3225TMX 编号：C603199

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥7.87
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￥6.02
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￥5.02
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型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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￥9.58
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￥9.36
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￥9.22

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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