ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP81071BMNTXG 编号：C603797

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器，能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流，有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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型号：NCD57085DR2G 编号：C2902212

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57085是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5 kVrms内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断和故障报告功能的电流检测功能。NCx57085可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，以及高达30 V的宽范围输出偏置电压。

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型号：FAD7191M1X 编号：C603189

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD7191 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。FAD7191 采用 14-SOP 封装,具有单独的信号和电源接地可用于在高功率应用中实现更高抗扰性，高电压应用中必要的充分间距和漏电距离，以及用于关断冗余目的的启用引脚。

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型号：MC34151DR2G 编号：C236081

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：NCV7718CDPR2G 编号：C556475

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行

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￥19.7492 ￥20.36
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型号：NCV7726DQBR2G 编号：C604003

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV7726B Deca 是一款十二沟道半桥驱动器，其保护功能专门设计用于汽车和工业运动控制应用。此产品具有独立的控制和诊断装置，驱动器可在正向、逆向、制动和高阻抗状态下运行。此器件通过一个 16 位 SPI 接口控制，与串级链兼容。

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￥19.812 ￥33.02
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￥14.22 ￥28.44
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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：NCD57001FDWR2G 编号：C899925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCD57001F是NCD57001的一个变体，其软关断时间缩短，适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断

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￥22.8068 ￥34.04
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型号：FAN3100CMPX 编号：C890687

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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￥3.9285 ￥4.05
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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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型号：FAN3224TUMX-F085 编号：C903491

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠电压锁闭功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：MC33153DR2G 编号：C457626

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥8.51
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￥7.07
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￥6.28
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型号：MC34152DG 编号：C236137

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥9.18
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型号：NCV8412ADDR2G 编号：C2902156

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

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￥10.632 ￥13.29
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￥6.376 ￥7.97

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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￥11.5
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￥10.197 ￥10.3
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￥8.5084 ￥9.56
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￥7.5205 ￥8.45
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￥7.387 ￥8.3

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型号：NCV57084DR2G 编号：C5206728

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具备2.5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。

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￥12.3682 ￥17.42
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￥7.5047 ￥10.57

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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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￥34.37
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￥29.13
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￥26.01
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￥22.86

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型号：ADP3110AKCPZ-RL 编号：C109351

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

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￥5.94
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￥4.83
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￥4.27

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型号：NCV5700DR2G 编号：C603966

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCV5700 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位、准确的 UVLO、EN 输入、DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出，方便系统设计。该驱动器可采用较宽的偏置电源电压范围，包括单极和双极电压。它采用 16 引脚 SOIC 封装。经过 AEC-Q100 认证。

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型号：FAN73896MX 编号：C606092

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73896 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 V 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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￥9.2476 ￥15.16
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￥7.3644 ￥14.44
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￥5.7441 ￥14.01
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￥5.5678 ￥13.58
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￥5.4858 ￥13.38
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￥5.4489 ￥13.29

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型号：FAN3224TMPX 编号：C603198

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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1+
￥9.69
10+
￥8.82
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￥8.27
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￥7.71

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型号：NCP81074ADR2G 编号：C603800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。

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1+
￥12.34
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￥10.39
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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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1+
￥15.63
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￥13.8593 ￥15.23
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型号：FAN73912AMX 编号：C2902008

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912A是一款单片式高端和低端栅极驱动IC，专为最高可在+1200 V电压下工作的MOSFET和IGBT进行高压、高速驱动而设计。HIN的先进输入滤波器可防止因噪声产生的短脉冲输入信号。

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￥21.3
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￥20.2
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￥18.56
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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。