ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MM3Z3V3ST1G 编号：C182011

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

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10+
￥0.3915
100+
￥0.3127
300+
￥0.2734
3000+
￥0.2438
6000+
￥0.2202
9000+
￥0.2084

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型号：MUN5311DW1T1G 编号：C152542

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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10+
￥0.393
100+
￥0.3152
300+
￥0.2762
3000+
￥0.2313

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型号：NC7SZ04P5X 编号：C27437

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

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10+
￥0.4045
100+
￥0.3043
300+
￥0.2663
3000+
￥0.2379
6000+
￥0.2151
9000+
￥0.2037

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型号：NC7WZ14P6X 编号：C50793

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

超高速：在 VCC 为 5V 时，接入 50pF 负载，传输延迟（tPD）典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力：VCC 为 3V 时，输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围：1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时，性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能，便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰（EMI） - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻态

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10+
￥0.4058
100+
￥0.3283
300+
￥0.2896
3000+
￥0.2558
6000+
￥0.2326
9000+
￥0.221

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型号：MM3Z3V3B 编号：C556407

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择：2.4V至75V。VZ公差选择：±2%（B系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

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10+
￥0.4207
100+
￥0.3396
300+
￥0.2991
3000+
￥0.2635

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型号：NTR4003NT1G 编号：C82325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。

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10+
￥0.4237
100+
￥0.3453
300+
￥0.3061
3000+
￥0.2514
6000+
￥0.2279
9000+
￥0.2162

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型号：NTR4003NT3G 编号：C146737

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。

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10+
￥0.4885
100+
￥0.3966
300+
￥0.3507
1000+
￥0.3162
5000+
￥0.2887

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型号：SMMUN2233LT1G 编号：C894369

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.5174
50+
￥0.4454
150+
￥0.4094
1500+
￥0.3824
3000+
￥0.3609

有货

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型号：1N4736ATR 编号：C890057

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.5409
50+
￥0.4335
150+
￥0.3799
500+
￥0.3396
3000+
￥0.3074

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型号：RS1J 编号：C232849

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴装。 UL认证：证书编号E326243

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5+
￥0.6104
50+
￥0.4758
150+
￥0.4085
500+
￥0.358
2500+
￥0.3176

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型号：NTS4101PT1G 编号：C68182

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

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5+
￥0.6273
50+
￥0.5215
150+
￥0.4686
500+
￥0.4289
3000+
￥0.3972

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型号：1N4733ATR 编号：C258172

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.6275
50+
￥0.5106
150+
￥0.4521
500+
￥0.4082
3000+
￥0.3593
6000+
￥0.3417

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型号：1N4733A 编号：C140851

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.6619
50+
￥0.5354
150+
￥0.4721
500+
￥0.4128

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型号：2N5551TA 编号：C900712

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。

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5+
￥0.6677
50+
￥0.5337
150+
￥0.4667
500+
￥0.4165
2000+
￥0.3634
4000+
￥0.3433

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型号：1SMB5948BT3G 编号：C152495

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.6999
50+
￥0.6038
150+
￥0.5626
500+
￥0.5112
2500+
￥0.4884
5000+
￥0.4746

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型号：SZMMSZ5242BT1G 编号：C462969

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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5+
￥0.7598
50+
￥0.5918
150+
￥0.5078
500+
￥0.4448

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型号：NSR0140P2T5G 编号：C146796

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装 SOD923 封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

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5+
￥0.7608
50+
￥0.6009
150+
￥0.521
500+
￥0.4611
2500+
￥0.4131
5000+
￥0.3891

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型号：1SMA5942BT3G 编号：C82080

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.8143
50+
￥0.6523
150+
￥0.5713
500+
￥0.5106
2500+
￥0.382
5000+
￥0.3577

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型号：MBRS120T3G 编号：C38049

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥0.8176
50+
￥0.6552
150+
￥0.574
500+
￥0.5131
2500+
￥0.4643
5000+
￥0.44

有货

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型号：LMV331SQ3T2G 编号：C462782

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

LMV331是一款CMOS单通道通用低压比较器。LMV393和LMV339分别为双通道和四通道版本。LMV331/393/339的工作电压范围为2.7 V至5 V，具有出色的输入共模范围和低静态电流，且有多种节省空间的封装可供选择

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5+
￥0.8401
50+
￥0.6774
150+
￥0.596
500+
￥0.535
3000+
￥0.4441

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型号：MURA140T3G 编号：C111833

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥0.8701
50+
￥0.7627
150+
￥0.6405
500+
￥0.5831
2500+
￥0.5575
5000+
￥0.5422

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型号：1SMA5921BT3G 编号：C38220

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8773
50+
￥0.7101
150+
￥0.6265
500+
￥0.5415
2500+
￥0.4913
5000+
￥0.4662

有货

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型号：1SMA5924BT3G 编号：C50839

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8838
50+
￥0.6919
150+
￥0.596
500+
￥0.5241
2500+
￥0.4665
5000+
￥0.4377

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型号：MC78L12ABDR2G 编号：C232656

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器适合多种需要最高100 mA稳压电源的应用。与更高功率的MC7800和MC78M00系列类似，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备在输出阻抗和静态电流方面有显著的性能优势。

数据手册

5+
￥0.9293
50+
￥0.7276
150+
￥0.6412
500+
￥0.5333
2500+
￥0.4651
5000+
￥0.4363

有货

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型号：1SMA5940BT3G 编号：C65696

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9734
50+
￥0.7565
150+
￥0.6635
500+
￥0.5475
2500+
￥0.4959
5000+
￥0.4649

有货

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型号：MMBF4392LT1G 编号：C259802

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

数据手册

5+
￥0.9788
50+
￥0.7671
150+
￥0.6612
500+
￥0.5818
3000+
￥0.5038
6000+
￥0.472

有货

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型号：NRVBA160NT3G 编号：C893762

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。采用先进的外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在表面贴装应用中作为续流和极性二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.00674 ￥1.1186
50+
￥0.7892 ￥0.9865
150+
￥0.65093 ￥0.9299
500+
￥0.60151 ￥0.8593
2500+
￥0.57946 ￥0.8278
5000+
￥0.5663 ￥0.809

有货

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型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0263
50+
￥0.8071
150+
￥0.7131
500+
￥0.5959
3000+
￥0.4925
6000+
￥0.4611

有货

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型号：1SMA5933BT3G 编号：C150051

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0344
50+
￥0.8019
150+
￥0.7023
500+
￥0.5779
2500+
￥0.5226
5000+
￥0.4893

有货

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型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0692
50+
￥0.8315
150+
￥0.7296
500+
￥0.6025
2500+
￥0.5339
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