ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5341BRLG 编号：C9707

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

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型号：MC74HC244ADTR2G 编号：C233462

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC244A 与 LS244 的引脚输出相同。该器件输入与标准 CMOS 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。此八路非逆向缓冲器//线路驱动器/线路接收器设计用于 3 态存储器地址驱动器、时钟驱动器和和其他总线导向型系统。该器件具有非反相输出和两个有效低电平输出启用。HC244A 的功能与 HC240A 和 HC241A 相似。

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型号：MC7812BD2TR4G 编号：C231294

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

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型号：NTMD4840NR2G 编号：C97778

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。双SOIC-8表面贴装封装节省电路板空间。这是一个无铅器件。应用：磁盘驱动器。DC-DC转换器

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型号：NCP5501DT33RKG 编号：C904519

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些线性低压降稳压器可在用户可调的1.25V至5.0V输出范围内提供高达500 mA的电流，也可提供1.5V、3.3V或5.0V的固定输出电压，典型输出电压精度优于3%。内部PNP传输晶体管允许在最低输入电压下实现低压降和满载电流运行。NCV版本适用于要求扩展温度运行以及现场和变更控制的严苛汽车应用。NCP5500和NCV5500版本包括使能/关断功能，提供DPAK 5和SOIC 8封装

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型号：FDS6690A 编号：C87667

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：MC7912CTG 编号：C126459

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：NTGD4167CT1G 编号：C140582

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双

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型号：FDD5614P 编号：C236892

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

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型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：FSV10150V 编号：C719814

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准

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型号：MUR1620CTG 编号：C9206

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：D45VH10G 编号：C152485

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

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型号：MC7915CD2TR4G 编号：C153065

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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￥4.18
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￥3.4
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型号：FQD2N100TM 编号：C74765

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥4.57
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型号：LM337BTG 编号：C74415

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调负向

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￥4.57
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型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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￥4.62
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型号：FDD9509L-F085 编号：C605022

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道，PowerTrench MOSFET，-40 V，-100 A，4.4 mΩ

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￥4.7595 ￥5.01
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型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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￥5.2542 ￥8.34
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￥4.0651 ￥7.67
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￥3.1218 ￥7.26
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型号：NCP3334DADJR2G 编号：C130124

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3334是一款高性能、低压差稳压器。它在电压和负载变化时的精度为±0.9%，且具有超低静态电流和噪声，具备当今消费电子产品所需的所有必要特性。

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￥5.63
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￥4.48
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￥3.91
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￥3.34
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￥3
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￥2.82

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥5.86
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￥4.69
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￥3.98
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￥3.4
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￥3.05
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型号：FAN53611AUC18X 编号：C464153

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53611是一种6MHz降压开关电压调节器,提供1A输出电流,输入电压范围为2.3V至5.5V。该调节器采用同步整流技术,具有92%的峰值效率,轻负载时效率仍保持在80%以上。它以6MHz的固定频率运行,支持外部频率同步和低纹波PFM模式。典型静态电流为24μA,关断模式下电源电流降至1μA以下。支持热关断和过载保护。

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￥5.9057 ￥8.09
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￥5.7962 ￥7.94
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￥5.6502 ￥7.74

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型号：MUR1560G 编号：C61702

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥6.12
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￥4.16
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￥3.55
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￥3.19
1000+
￥3

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型号：MJE15033G 编号：C134072

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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￥6.19
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￥4.95
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￥4.34
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￥3.72
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￥3.35
1000+
￥3.17

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型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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￥6.69
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￥4.68
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￥4.02
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￥3.62
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￥3.41

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型号：MBRB2545CTT4G 编号：C129732

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

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￥7.46
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￥6.29
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￥5.64
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￥4.92
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￥4.06

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型号：MJE15030G 编号：C233749

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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1+
￥7.58
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￥6.3
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￥5.6
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￥4.81
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型号：NCP1399AADR2G 编号：C99733

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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1+
￥7.75
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￥6.4
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￥5.72
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