ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.354
50+
￥1.8584
150+
￥1.646
500+
￥1.2313
2500+
￥1.1133
5000+
￥1.0425

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型号：MURA240T3G 编号：C91073

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。

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5+
￥1.7973
50+
￥1.4421
150+
￥1.2899
500+
￥0.9928
2500+
￥0.9082
5000+
￥0.8574

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型号：1N5347BG 编号：C898885

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥1.8032
50+
￥1.4252
150+
￥1.2632
1000+
￥1.0611
2000+
￥0.9711
5000+
￥0.9171

有货

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型号：MC7815CDTRKG 编号：C133887

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥1.8285
50+
￥1.4173
150+
￥1.2412
500+
￥1.0213
2500+
￥0.9234

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型号：MC74HC86ADR2G 编号：C152540

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

产品引脚排列与LS86相同。设备输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。

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5+
￥1.8524
50+
￥1.4694
150+
￥1.3052
500+
￥1.1004
2500+
￥0.906
5000+
￥0.8513

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型号：MB1S 编号：C232821

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥1.8606
50+
￥1.4675
150+
￥1.299
500+
￥1.0888

有货

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型号：MMBF4117 编号：C184057

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。

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5+
￥1.8666
50+
￥1.4796
150+
￥1.3138
500+
￥1.1069
3000+
￥0.938

有货

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型号：1N5347BRLG 编号：C114207

封装：DO-14

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥1.9879
50+
￥1.5595
150+
￥1.3759
500+
￥1.1469
2500+
￥1.0775
4000+
￥1.0163

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型号：MC74AC00DR2G 编号：C233513

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出驱动能力：±24mA。工作电压范围：2至6V（AC00）；4.5至5.5V（ACT00）。低输入电流：1.0μA。具备CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准第7A号要求。芯片复杂度：32个FET。这些是无铅器件

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5+
￥1.9894
50+
￥1.5555
150+
￥1.3696
500+
￥1.1376

有货

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型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.9926
50+
￥1.5879
150+
￥1.4145
500+
￥1.1981
2500+
￥1.1017
5000+
￥1.0439

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型号：MC79M15CDTRKG 编号：C126298

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

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5+
￥2.002
50+
￥1.5646
150+
￥1.2959
500+
￥1.062
2500+
￥0.9578
5000+
￥0.8953

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型号：MC78M05CDTG 编号：C233226

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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5+
￥2.0624
50+
￥1.5614
150+
￥1.3088
525+
￥1.0409
2475+
￥0.9216

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型号：MM74HC08MTCX 编号：C555495

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MM74HC08 AND 门极采用先进的硅门极 CMOS 工艺制造，运行速度与 LS-TTL 门极相媲美，并具有标准 CMOS 集成电路的低功耗。HC08 具备缓冲输出，可提供高抗扰度，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列与标准 74LS 逻辑系列在功能和引脚输出方面兼容。通过将内部二极管箝位到 VCC 和接地，防止所有输入因静电放电受损。

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1+
￥2.1
10+
￥1.87
30+
￥1.77
100+
￥1.65
500+
￥1.18
1000+
￥1.15

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型号：MC74HC164ADR2G 编号：C57395

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

该产品与LS164引脚排列相同，其输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。它是一个8位串行输入到并行输出的移位寄存器，提供两个串行数据输入A1和A2，因此可以将一个输入用作数据使能。数据在时钟的每个上升沿输入。低电平有效的异步复位会覆盖时钟和串行数据输入。

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5+
￥2.101275 ￥2.1225
50+
￥1.464317 ￥1.6453
150+
￥1.138153 ￥1.4407
500+
￥0.936624 ￥1.1856
2500+
￥0.846801 ￥1.0719
5000+
￥0.792923 ￥1.0037

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型号：MC7812CDTRKG 编号：C113538

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥2.1559
50+
￥1.7095
150+
￥1.5181
500+
￥1.2794
2500+
￥1.1731
5000+
￥1.1093

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型号：NSS60600MZ4T1G 编号：C235754

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

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5+
￥2.2416
50+
￥1.7376
150+
￥1.5216
1000+
￥1.2521
2000+
￥1.1321
5000+
￥1.0601

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型号：1N5337BRLG 编号：C9705

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.3
10+
￥1.78
30+
￥1.56
100+
￥1.29
500+
￥1.17
1000+
￥1.09

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型号：NCV33172DR2G 编号：C513029

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为180 A，无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。虽然该系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压包含地电位(VEE)，因此尤其适合单电源供电。这些器件采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。

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5+
￥2.357
50+
￥1.8543
150+
￥1.5278
500+
￥1.259
2500+
￥1.1392
5000+
￥1.0674

有货

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型号：MC14070BDR2G 编号：C274657

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14070B 四异或门和 MC14077B 四异或非门采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，以单块结构制成。这些互补 MOS 逻辑门主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥2.3714
50+
￥1.9019
150+
￥1.7007
500+
￥1.1663
2500+
￥1.0545
5000+
￥0.9874

有货

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型号：NCS2202SQ2T2G 编号：C424486

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥2.46
10+
￥1.93
30+
￥1.7
100+
￥1.42
500+
￥1.29
1000+
￥1.22

有货

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型号：NSV1C201MZ4T1G 编号：C86644

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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5+
￥2.6286
50+
￥2.1426
150+
￥1.9344
1000+
￥1.4195
2000+
￥1.3037
5000+
￥1.2343

有货

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型号：NCP308SN180T1G 编号：C463587

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP308 系列属于安森美半导体监督电路系列。它适用于监督从 0.405 V 到 5.5 V 的系统电压，与手动重置 (/MR) 输入结合，发出有效低电平开漏/RESET 输入。该零件提供固定版本和内部可调版本。

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1+
￥2.67
10+
￥2.4
30+
￥2.26
100+
￥2.12
500+
￥1.66
1000+
￥1.62

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型号：1N5822RLG 编号：C232464

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.08
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.19
1500+
￥1.1

有货

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.707
50+
￥2.1304
150+
￥1.8833
500+
￥1.4324
2500+
￥1.2951
5000+
￥1.2127

有货

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型号：NRVBS540T3G 编号：C462936

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

MBRSS40T3 在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.1
30+
￥1.84
100+
￥1.52
500+
￥1.38
1000+
￥1.29

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型号：FQD13N10LTM 编号：C37552

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.16
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

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型号：MBRS4201T3G 编号：C145187

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。高温下高度稳定。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

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