ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDD6637 编号：C114384

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 RDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势。

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1+
￥5.76
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型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥6.23
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型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

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￥6.31
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型号：NCP1397BDR2G 编号：C362061

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

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￥7.09
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型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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￥8.71
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型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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￥8.74
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￥7.15
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￥6.28
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￥4.86
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型号：NCV8401BDTRKG 编号：C604055

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

NCV8401A/B是一款三端受保护的低端智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位。该器件具备保护功能，适用于恶劣的汽车环境

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￥9.7
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￥5.79
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型号：CAT5115ZI-10-GT3 编号：C890423

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT5115 是一款单数字电位计，设计用于替代机械电位计和调整电位计。适用于自动化调整的高产量生产线，也适合在难以访问或位于危险或远程环境中的设备中使用。

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￥6.32
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型号：NCV887001D1R2G 编号：C604103

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8870是一款非同步升压控制器,驱动外部N通道MOSFET。采用峰值电流模式控制,具有内部斜率补偿。该器件包括内部调节器,为栅极驱动器供电。保护功能包括软启动、欠压锁定、逐周期限流、hiccup模式短路保护和热关断。此外,还具有低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率的功能。

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￥9.85
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￥8.2537 ￥9.07
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型号：FQP55N10 编号：C899378

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。该先进MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥15.96
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型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

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￥17.56
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型号：NCN5130MNTWG 编号：C513000

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCN5130 是一款收发器集成电路，适用于 KNX 双绞线网络 (KNX TP1?256)。NCN5130 同时嵌入了 PHY 和 MAC 层，用于处理总线上的发射和接收。它会从未调节的总线电压产生稳定的电压，用于自身电源需求以及为外部器件供电。NCN5130 确保了与总线的安全耦合和去耦合。通过模拟引脚可提供各种监控指标（总线电压、电流、温度...）。

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￥34.97
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型号：MJ11033G 编号：C362058

封装：TO-204(TO-3)

品牌：onsemi(安森美)

此类双极功率达林顿晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。

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型号：BAT54ALT1G 编号：C92068

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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￥0.0957
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型号：CM1293A-04SO 编号：C393377

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

CM1293A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护V₍₎₎轨免受ESD冲击。根据IEC 61000−4−2 4级标准，该器件可防护高达±8 kV（接触放电）的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB2.0、IEEE1394（FireWire、i.LINK）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和ESD保护。

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