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型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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1+
￥7.88
10+
￥6.48
30+
￥5.71
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￥4.84
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￥4.45
1000+
￥4.28

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型号：MUR8100EG 编号：C23545

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快“E”系列，具有很高的反向能量吸收能力……适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管，此类先进器件具有下列特性：

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￥8.53
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型号：SG3525ANG 编号：C5286

封装：DIP-16

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A脉宽调制器控制电路在用于控制各类开关电源时，能提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1 V基准电压经微调至± 1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入可使多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在Cₜ和放电引脚之间的单个电阻，可对较宽范围的死区时间进行编程。该器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断时的PWM锁存实现瞬间关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。当Vcc低于标称值时，欠压锁定功能会禁止输出并阻止软启动电容充电。输出级采用图腾柱设计，灌电流和拉电流能力超过200 mA。SG3525A的输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

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￥8.67
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￥7.19
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￥6.37
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￥5.44
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￥5.03
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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥9.69
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￥7.97
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￥7.02
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￥5.95
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￥5.48
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￥5.26

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型号：CAT823STDI-GT3 编号：C91362

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

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1+
￥12.31
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￥10.64
30+
￥9.59
100+
￥8.51
500+
￥7.95
1000+
￥7.74

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥13.5
10+
￥11.36
30+
￥10.02
90+
￥8.65
450+
￥8.04
900+
￥7.77

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型号：NJW0281G 编号：C10664

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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1+
￥13.55
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￥11.84
30+
￥10.04
90+
￥8.95
510+
￥8.45
990+
￥8.24

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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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1+
￥14.31
10+
￥12.26
30+
￥10.99
100+
￥9.33
500+
￥8.74
800+
￥8.48

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥15.21
10+
￥14.46
30+
￥14.01
100+
￥11.53
500+
￥11.32

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型号：ADT7461ARMZ-R7 编号：C255590

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

ADT7461 是一款双沟道数字温度计和温度过低/过高报警器，用于 PC 和热管理系统。它可与 ADM1032 实现引脚和寄存器兼容。ADT7461 具有三个附加功能：串联电阻抵消（可自动从温度结果中抵消与温度监控二极管串联的最大 3 kΩ（典型值）的电阻，因此实现噪声滤波）；可配置的 ~ALERT 输出；以及扩展的可切换温度测量范围。

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1+
￥15.31
10+
￥12.93
30+
￥11.44
100+
￥9.91
500+
￥9.22
1000+
￥8.92

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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥15.81
10+
￥13.41
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￥11.44
90+
￥9.9
510+
￥9.21
990+
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型号：RHRP30120 编号：C11752

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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1+
￥21.58
10+
￥18.72
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￥16.72
100+
￥15
500+
￥14.21
800+
￥13.85

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型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

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1+
￥27.81
10+
￥22.25
30+
￥19.87
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￥17.46
510+
￥16.35
990+
￥15.85

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型号：NTHL080N120SC1 编号：C898280

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 80 mΩ。超低栅极电荷（典型QG(tot) = 56 nC）。低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% UIL测试。该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：UPS。 DC-DC转换器

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1+
￥42.7269 ￥58.53
10+
￥35.3115 ￥56.05
30+
￥28.9009 ￥54.53
90+
￥28.2278 ￥53.26

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型号：BAS16HT3G 编号：C896652

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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50+
￥0.1061
500+
￥0.0829
1500+
￥0.07
10000+
￥0.0623
20000+
￥0.0556
50000+
￥0.052

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型号：BAT54LT1G 编号：C94399

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.1546
200+
￥0.1221
600+
￥0.104
3000+
￥0.0904
9000+
￥0.081
21000+
￥0.0759

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型号：CM1293A-04SO 编号：C393377

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

CM1293A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护V₍₎₎轨免受ESD冲击。根据IEC 61000−4−2 4级标准，该器件可防护高达±8 kV（接触放电）的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB2.0、IEEE1394（FireWire、i.LINK）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和ESD保护。

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10+
￥0.1804
100+
￥0.1758
300+
￥0.1727
1000+
￥0.1697

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型号：RB751S40T1G 编号：C232576

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2256
200+
￥0.1767
600+
￥0.1495
3000+
￥0.1233
9000+
￥0.1092

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型号：MMSZ5230BT1G 编号：C236191

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2284
200+
￥0.1781
600+
￥0.1501
3000+
￥0.1245
9000+
￥0.1099
21000+
￥0.1021

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型号：MMSZ5V6T1G 编号：C236111

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了便利的替代方案。

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20+
￥0.2366
200+
￥0.1829
600+
￥0.1531
3000+
￥0.1352
9000+
￥0.1197
21000+
￥0.1114

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型号：BAT54XV2T5G 编号：C146759

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2483
100+
￥0.1978
300+
￥0.1725
1000+
￥0.1536
5000+
￥0.1384
8000+
￥0.1308

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型号：2N7002WT1G 编号：C232391

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低导通电阻（RDS(on)）。小尺寸表面贴装封装。 2V 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

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20+
￥0.2485
200+
￥0.1991
600+
￥0.1717
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1245
21000+
￥0.1168

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型号：RB751S40T5G 编号：C604669

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2698
200+
￥0.2164
600+
￥0.1867
2000+
￥0.1689
8000+
￥0.1426

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型号：DTC144EET1G 编号：C242410

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

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10+
￥0.2749
100+
￥0.2182
300+
￥0.1898
3000+
￥0.1686
6000+
￥0.1516
9000+
￥0.143

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型号：MMSZ4679T1G 编号：C236096

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件，符合RoHS标准

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