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PNP 50V 100mA
型号：NSVMUN5111DW1T3G 编号：C463398
封装：SOT-363
品牌：onsemi(安森美)
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
数据手册

  • 5+

    ￥0.4423

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    电压:30V 电流:200mA
    型号：NSR30CM3T5G 编号：C232570
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。
    数据手册

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    100V 200mA
    型号：MMBD1204 编号：C274681
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号二极管，共阴极配置
    数据手册

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      ￥0.26
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：BSS84 编号：C266796
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。
    数据手册

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      ￥0.5142

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：KSP2907ABU 编号：C896749
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    PNP外延硅晶体管
    数据手册

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      ￥0.5219

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    耐压:3.3V 电流:100uA@1V
    型号：1N4728ATR 编号：C890041
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥0.528

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      ￥0.291
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2V
    型号：SZMMSZ5231BT1G 编号：C231290
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.5953

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    125V 200mA
    型号：FDLL300A 编号：C462731
    封装：SOD-80
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：KSP2907ATA 编号：C124485
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    PNP外延硅晶体管
    数据手册

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    NPN 电流:500mA 电压:300V
    型号：KSP42BU 编号：C512969
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    NPN外延硅晶体管
    数据手册

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    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：2N3906BU 编号：C124483
    封装：TO-92-3
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。该器件采用 TO-92 封装，适用于中等功率应用。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
    型号：NTR1P02LT3G 编号：C896854
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
    数据手册

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      ￥0.7206

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      ￥0.3
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    PNP 电流:2A 电压:40V
    型号：NSV40200LT1G 编号：C364881
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册

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      ￥0.7969

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      ￥0.7075

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    独立式 耐压:56V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.4072
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    120V 200mA
    型号：BAS31 编号：C415998
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8512

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      ￥0.6785

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      ￥0.5274

    • 3000+

      ￥0.4756
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    独立式 耐压:3.3V 电流:100uA
    型号：1SMB5913BT3G 编号：C53169
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8521

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      ￥0.6243

    • 500+

      ￥0.5674
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    耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：65ns
    型号：MURA140T3G 编号：C111833
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8701

    • 50+

      ￥0.7627

    • 150+

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      ￥0.5575

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      ￥0.5422
  • 有货
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：SZMMSZ5245ET1G 编号：C894682
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。 宽齐纳反向电压范围：2.4 V至110 V。 专为优化自动电路板组装设计的封装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 通用型、中等电流。 人体模型静电放电等级3级（> 16 kV）。 峰值功率：225 W（8 x 20 μs）。 SZ前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8766

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      ￥0.69736 ￥0.758

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      ￥0.527916 ￥0.6438

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      ￥0.490852 ￥0.5986
  • 有货
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    独立式 耐压:11V 电流:1uA@8.4V
    型号：1SMB5926BT3G 编号：C189653
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9071

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      ￥0.7199

    • 150+

      ￥0.6264

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      ￥0.5562

    • 2500+

      ￥0.5

    • 5000+

      ￥0.4719
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    双向ESD 32V截止 峰值脉冲电流：8A@8/20us
    型号：NUP3105LT1G 编号：C133092
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    SZ/NUP3105L 专为保护 24 V 系统中的 CAN 收发器免受 ESD 及其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计师提供了一种低成本的方案，以提高系统可靠性并满足严格的 EMI 要求。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9149

    • 50+

      ￥0.7101

    • 150+

      ￥0.6224

    • 500+

      ￥0.5128

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      ￥0.4641
  • 有货
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    独立式 耐压:16V 电流:1uA@12.2V
    型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.9406

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      ￥0.749

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      ￥0.5137

    • 5000+

      ￥0.485
  • 有货
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    独立式 耐压:39V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9525

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      ￥0.7509

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      ￥0.4399
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    独立式 耐压:43V 电流:0.5uA@32.7V
    型号：1SMA5940BT3G 编号：C65696
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.9699

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      ￥0.753

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      ￥0.5441

    • 2500+

      ￥0.4924

    • 5000+

      ￥0.4614
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    耐压:3V 电流:1uA@1.0V
    型号：SZMM5Z3V0T1G 编号：C463430
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0073

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    电压:20V 电流:1A
    型号：MBRA120ET3G 编号：C94382
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
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      ￥1.0755

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    50V 2A
    型号：MURA205T3G 编号：C462876
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    独立式 耐压:68V 电流:1uA@51.7V
    型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns
    型号：NRVUA120VT3G 编号：C604307
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在系统中对尺寸和重量要求严苛的场景。
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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：SZNUP2105LT3G 编号：C719799
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此双路双向适用于需要电压保护功能的应用。 它适用于过电压和 ESD 敏感性设备。此器件具有一个双结共阴极配置，用于保护两个单独的线路。
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    TinyLogic UHS双输入异或门
    型号：NC7SZ86L6X 编号：C895609
    封装：MicroPak-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ86是安森美半导体（onsemi）TinyLogic超高速（UHS）系列中的一款单路二输入异或门。该器件采用先进的CMOS工艺制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的VCC工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件的工作范围为1
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      ￥1.2669

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