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描述
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操作
独立式 耐压:12V 电流:5uA@9.1V
型号：1N4742ATR 编号：C258174
封装：DO-41
品牌：onsemi(安森美)
数据手册

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    ￥0.6225

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    独立式 耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V
    型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    1kV 1A
    型号：NRVA4007T3G 编号：C236166
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：紧凑封装，J形弯引脚，适合自动化处理。 稳定、高温、玻璃钝化结。 NRVA前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：表面安装汽车应用
    数据手册

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    电压:30V 电流:2A
    型号：MBRS130LT3G 编号：C51771
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC550CTA 编号：C605308
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：开关和放大功能。 高电压：BC546，VCEO = 65V。 低噪声：BC549、BC550。 与BC556、BC557、BC558、BC559和BC560互补
    数据手册

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      ￥0.7269

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：2N3904BU 编号：C124482
    封装：TO-92
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件设计用作通用放大器和开关。作为开关，其有用动态范围扩展至 100 mA；作为放大器，扩展至 100 MHz。
    数据手册

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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.7uA
    型号：SZMM3Z8V2T1G 编号：C463899
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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    具有三态输出的TinyLogic超高速缓冲器
    型号：NC7SZ125L6X 编号：C457636
    封装：UFDFN-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ125 是TinyLogic 超高速（UHS）系列的单路三态输出缓冲器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作范围内保持低静态功耗。该器件规定的工作电压范围为 1
    数据手册

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    独立式 耐压:9.1V 电流:2.5uA@7.0V
    型号：1SMA5924BT3G 编号：C50839
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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      ￥0.4377
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：SZMM3Z5V1T1G 编号：C152297
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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      ￥0.8904

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    1V@1uA
    型号：MMBFJ112 编号：C258195
    封装：SOT-23-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
    数据手册

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      ￥0.9067

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      ￥0.44
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：PZT2907AT1G 编号：C416020
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于通用放大器和开关应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册

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    600V 2A
    型号：MURA260T3G 编号：C111835
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9772

    • 50+

      ￥0.7632

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    电压:30V 电流:1A
    型号：MBRA130LT3G 编号：C82067
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0022

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      ￥0.7973

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      ￥0.6179

    • 2500+

      ￥0.4834
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：BS170 编号：C111691
    封装：TO-92
    品牌：onsemi(安森美)
    MOSFET，小信号，500 mA，60 V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.029

    • 50+

      ￥0.79

    • 150+

      ￥0.6876

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      ￥0.461
  • 有货
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    独立式 耐压:3.6V 电流:35.5uA
    型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.074

    • 50+

      ￥0.8619

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      ￥0.5775

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      ￥0.5472
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    三态输出，TinyLogic超低功耗缓冲器
    型号：NC7SP125P5X 编号：C184652
    封装：SC-70-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SP125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超低功耗 (ULP) 系列。此产品适用于电池寿命至关重要的应用，在 0.9V 到 3.6V 的 VCC 运行范围内具有超低功耗。内部电路由一个最小的缓冲器级组成，其中包括输出缓冲器，可实现超低静态和动态功耗。NC7SP125 用于更低的驱动要求，具有优化的功耗和速度独特设计，采用先进的 CMOS 工艺，可实现高速运行，同时和保持低 CMOS 功耗。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2182

    • 50+

      ￥0.9845

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      ￥0.5413

    • 6000+

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  • 有货
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5923BT3G 编号：C231286
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.263

    • 50+

      ￥0.9913

    • 150+

      ￥0.8749

    • 500+

      ￥0.7296

    • 2500+

      ￥0.6102

    • 5000+

      ￥0.5714
  • 有货
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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：30A@8kV
    型号：ESD7C5.0DT5G 编号：C896234
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2928

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      ￥1.0237

    • 150+

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      ￥0.7005

    • 5000+

      ￥0.662
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:20V
    型号：BCP69T1G 编号：C82066
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于低电压、高电流应用。此器件采用 SOT-223-4 封装，适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3078

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      ￥1.0407

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      ￥0.7198

    • 5000+

      ￥0.6816
  • 有货
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    NC7WZ07: TinyLogic UHS 双缓冲器(开路漏极输出)
    型号：NC7WZ07P6X-L22347 编号：C5207807
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ07 是一款带开路漏极输出的双缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3214

    • 50+

      ￥0.9521

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    • 3000+

      ￥0.5084
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    15V 500mA 30V
    型号：MC78M15BDTRKG 编号：C127442
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3221

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      ￥1.0432

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      ￥0.6928

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      ￥0.6264

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      ￥0.5865
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:40V
    型号：MJD31T4G 编号：C184041
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。
    数据手册

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      ￥1.504

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      ￥1.3185

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      ￥1.239

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      ￥1.0071

    • 2500+

      ￥0.963

    • 5000+

      ￥0.9365
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:2A 电压:40V
    型号：NSS40200LT1G 编号：C232571
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MUR220RLG 编号：C112409
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    该 Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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    低噪声音频双运算放大器
    型号：LM833DR2G 编号：C7969
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM833是一款标准的低成本单片双路通用运算放大器，采用双极技术，并融入了适用于音频系统应用的创新高性能理念。借助高频PNP晶体管，LM833具备低电压噪声（4.5 nV/√Hz）、15 MHz的增益带宽积、7.0 V/μs的压摆率、0.3 mV的输入失调电压以及2.0 μV/℃的输入失调电压温度系数。LM833的输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/灌交流频率响应。
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    电压:100V 电流:1A
    型号：NRVBA1H100NT3G 编号：C893763
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    采用肖特基势垒原理的大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构，具有外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求苛刻的表面贴装应用中用作续流和极性二极管。
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:2.6A
    型号：FDN306P 编号：C154510
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
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    FXLP34L6X
    型号：FXLP34L6X 编号：C457627
    封装：MicroPak-6
    品牌：onsemi(安森美)
    FXLP34 是一款单转换器，带两个不同的电源电压： VCC1 用于输入转换电压，VCC 用于输出转换电压。FXLP34 属于安森美半导体的超低功耗 (ULP) 系列产品。此器件基于 1.0V 到 3.6V 的 VCC 值运行，适用于需要超低功耗的便携式应用。内部电路包括一个最小的缓冲器级，可实现极低的动态功耗。FXLP34 具有优化的功耗和速度独特设计，采用先进的 CMOS 工艺，可实现高速运行，同时和保持低 CMOS 功耗。
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    高性能硅栅CMOS工艺，四路2输入与门
    型号：MC74HC08ADTR2G 编号：C154816
    封装：TSSOP-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC08A与LS08的引脚排列相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；接上拉电阻后，可与LSTTL输出兼容。
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