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NCP45524IMNTWG-H

型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

数据手册

1+
￥9.67
10+
￥8.23
30+
￥7.51
100+
￥6.8
500+
￥3.44
1000+
￥3.22

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1/2.7英寸 2.1 MP CMOS图像传感器 CMOS图像传感器

型号：AR0237CSSC12SHRA0-DR 编号：C512869

封装：PLCC-48(11.4x11.4)

品牌：onsemi(安森美)

AR0237 是一款 1/2.7 英寸 CMOS 数字图像传感器，带有 1928 (H) × 1088 (V) 有效像素阵列。它能在线性或高动态范围模式下捕捉图像，且带有卷帘快门读取，其中包含了复杂的摄像头功能，如像素内装仓、开窗以及视频和单帧模式。它适用于低光度和高动态范围场景性能，可通过一个简单的两线串行接口进行编程。 AR0237 可产生非常清晰、锐利的数字图像，并且能够同时捕捉连续视频和单帧图像，适用于监控和高清视频等多种应用。

数据手册

1+
￥13.3456 ￥35.12
10+
￥9.4136 ￥33.62
30+
￥5.886 ￥32.7
100+
￥5.7492 ￥31.94

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:6A

型号：FQP6N90C 编号：C128798

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 900V 6A

数据手册

1+
￥15.29
10+
￥13.1
50+
￥9.92
100+
￥8.52
500+
￥7.89
1000+
￥7.62

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:130A

型号：FDP075N15A-F102 编号：C128790

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥15.41
10+
￥13.27
50+
￥11.47
100+
￥10.1
500+
￥9.49
800+
￥9.22

有货

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耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns

型号：RHRG30120 编号：C11753

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥17.14
10+
￥14.97
30+
￥11.65
90+
￥10.26
450+
￥9.64
900+
￥9.36

有货

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1.2kV 160A

型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥20.42
10+
￥17.66
30+
￥15.24
100+
￥13.58
500+
￥12.81
1000+
￥12.47

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:24A

型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥24.85
10+
￥21.13
30+
￥18.92
90+
￥16.69
450+
￥15.66
900+
￥15.19

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:5uA

型号：MMBZ5231BLT1G 编号：C16376

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

数据手册

20+
￥0.1973
200+
￥0.1514
600+
￥0.1259
3000+
￥0.1106
9000+
￥0.0973
21000+
￥0.0901

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.05uA@10.5V

型号：BZX84C15LT1G 编号：C80857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.1978
200+
￥0.152
600+
￥0.1265
3000+
￥0.1112

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906WT1G 编号：C150043

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2226
200+
￥0.1779
600+
￥0.153
3000+
￥0.1381
9000+
￥0.1252

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA@8V

型号：MM3Z12VST1G 编号：C236107

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2226
200+
￥0.1754
600+
￥0.1492
3000+
￥0.1297
9000+
￥0.1161

有货

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独立式耐压:24.2V 电流:0.05uA@16.8V

型号：MM3Z24VT1G 编号：C463816

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2322
200+
￥0.1841
600+
￥0.1575
3000+
￥0.1414
9000+
￥0.1276
21000+
￥0.1201

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:3uA@7V

型号：MMSZ5239BT1G 编号：C891728

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2671
100+
￥0.2182
300+
￥0.1937
3000+
￥0.1475
6000+
￥0.1329
9000+
￥0.1255

有货

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NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MBT3946DW1T1G 编号：C28272

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

MBT3946DW1T1G器件是我们广受欢迎的SOT−23/SOT−323三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT−363−6表面贴装封装。通过将两个分立器件封装在一个封装中，该器件非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用

数据手册

10+
￥0.2803
100+
￥0.2215
300+
￥0.192
3000+
￥0.1565

有货

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NPN 电流:500mA 电压:80V

型号：MMBTA06LT3G 编号：C232558

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2846
100+
￥0.2283
300+
￥0.2001
1000+
￥0.179
5000+
￥0.1621
10000+
￥0.142

有货

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独立式耐压:18V 电流:50nA@12.6V

型号：BZX84C18LT1G 编号：C82474

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2945
100+
￥0.2351
300+
￥0.2054
3000+
￥0.1765
6000+
￥0.1587
9000+
￥0.1498

有货

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三态输出，同相缓冲器

型号：NL17SZ125DFT2G 编号：C97774

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ125是一款高性能同相缓冲器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。

数据手册

10+
￥0.3002
100+
￥0.2351
300+
￥0.2025
3000+
￥0.1781
6000+
￥0.1586

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.1uA@27V

型号：MMSZ5258BT1G 编号：C193869

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3065
100+
￥0.2449
300+
￥0.2141
3000+
￥0.1909
6000+
￥0.1724
9000+
￥0.1632

有货

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独立式耐压:27V 电流:0.1uA@21V

型号：MMSZ5254BT1G 编号：C235772

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3284
100+
￥0.2615
300+
￥0.2281
3000+
￥0.1987
6000+
￥0.1786

有货

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PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857CLT1G 编号：C152474

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3311
100+
￥0.2616
300+
￥0.2268
3000+
￥0.2008
6000+
￥0.18
9000+
￥0.1695

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V

型号：MM3Z9V1ST1G 编号：C327500

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3805
100+
￥0.3085
300+
￥0.2725
3000+
￥0.2455
6000+
￥0.2239
9000+
￥0.2131

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：SMMBT2222ALT1G 编号：C604704

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3862
100+
￥0.2955
300+
￥0.2502
3000+
￥0.2069
6000+
￥0.1797
9000+
￥0.1661

有货

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双路施密特触发反相器

型号：NC7WZ14P6X 编号：C50793

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

超高速：在 VCC 为 5V 时，接入 50pF 负载，传输延迟（tPD）典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力：VCC 为 3V 时，输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围：1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时，性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能，便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰（EMI） - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻态

数据手册

10+
￥0.3904
100+
￥0.3169
300+
￥0.2801
3000+
￥0.2481
6000+
￥0.226
9000+
￥0.215

有货

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1对共阳极耐压:27V 电流:0.05uA

型号：SZMMBZ27VALT1G 编号：C236224

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3933
100+
￥0.3057
300+
￥0.2619
3000+
￥0.229
6000+
￥0.2028
9000+
￥0.1896

有货

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600V 1A

型号：RS1J 编号：C232849

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴装。 UL认证：证书编号E326243

数据手册

5+
￥0.4523
50+
￥0.3906
150+
￥0.3597
500+
￥0.3365
2500+
￥0.318

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:10uA@1V

型号：1N4733ATR 编号：C258172

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.5436
50+
￥0.4276
150+
￥0.3696
500+
￥0.3261
3000+
￥0.2775

有货

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NPN 电压:25V

型号：MMBTH10LT1G 编号：C16204

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.5455
50+
￥0.4269
150+
￥0.3676
500+
￥0.3232
3000+
￥0.2796

有货

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具有 LSTTL 兼容输入的同相缓冲器/CMOS 逻辑电平转换器

型号：M74VHC1GT125DF1G 编号：C154805

封装：SOT-353-5

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT125是采用硅栅CMOS技术制造的单门同相缓冲器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

数据手册

5+
￥0.5745
50+
￥0.4477
150+
￥0.3844
500+
￥0.3369
3000+
￥0.2989
6000+
￥0.2799

有货

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恒流调节器和LED驱动器

型号：NSI45030AT1G 编号：C150066

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

线性恒流调节器 (CCR) 是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节 LED 中的电流提供经济高效的解决方案。CCR 基于自偏置晶体管 (SBT) 技术，可在很宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护 LED 在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR 立即开启，仅需 0.5V Vak 即可达到调节值的 25%。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage 应用中常见的浪涌。CCR 采用热性能良好的封装，符合 AEC-Q101 标准，并获得 UL94-V0 认证。

数据手册

5+
￥0.6077
50+
￥0.4781
150+
￥0.4133
500+
￥0.3647
3000+
￥0.303
6000+
￥0.2836

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.61
50+
￥0.4852
150+
￥0.4228
500+
￥0.376
3000+
￥0.3386
6000+
￥0.3198

有货

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