ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MM3Z8V2T1G 编号：C130143

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.2628
100+
￥0.2081
300+
￥0.1807
3000+
￥0.1523
6000+
￥0.1359
9000+
￥0.1277

有货

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型号：BAT54XV2T5G 编号：C146759

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2634
100+
￥0.2098
300+
￥0.183
1000+
￥0.1629
5000+
￥0.1468
8000+
￥0.1388

有货

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型号：BC817-40LT1G 编号：C94412

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2947
200+
￥0.2467
600+
￥0.2227
3000+
￥0.2047
9000+
￥0.1903
21000+
￥0.183

有货

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型号：BAS70LT1G 编号：C232585

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3024
100+
￥0.2367
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1793
6000+
￥0.1596
9000+
￥0.1497

有货

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型号：MMBTA14LT1G 编号：C232604

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3025
100+
￥0.2424
300+
￥0.2124
3000+
￥0.1899
6000+
￥0.1718
9000+
￥0.1628

有货

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型号：NL17SZ07DFT2G 编号：C113255

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ07是一款高性能单路同相缓冲器，具有漏极开路输出，工作电源电压范围为1.65至5.5 V。输出级为具备过压容限的漏极开路结构

数据手册

10+
￥0.33
100+
￥0.2628
300+
￥0.2292
3000+
￥0.204
6000+
￥0.1839
9000+
￥0.1738

有货

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型号：NZ9F12VT5G 编号：C463408

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

这一系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

5+
￥0.342285 ￥0.3603
50+
￥0.29971 ￥0.3526
150+
￥0.260625 ￥0.3475
500+
￥0.2568 ￥0.3424

有货

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型号：SMMBT2222ALT1G 编号：C604704

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.4026
100+
￥0.3148
300+
￥0.2708
3000+
￥0.2288
6000+
￥0.2025
9000+
￥0.1893

有货

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型号：NC7SZ32P5X 编号：C232803

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ32 是安森美半导体（onsemi）TinyLogic 超高速（UHS）系列的单路二输入或门。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作范围内保持低静态功耗。该器件的工作范围为 1

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1+
￥0.4155
10+
￥0.3315
30+
￥0.2895
100+
￥0.258
500+
￥0.2328
1000+
￥0.2201

有货

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型号：MM3Z5V6C 编号：C891635

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围选择宽，2.4V 至 75V。 VZ 公差选择为 ±5%（C 系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.4408
100+
￥0.3552
300+
￥0.3125
3000+
￥0.2804
6000+
￥0.2547

有货

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型号：NSVMUN5111DW1T3G 编号：C463398

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

5+
￥0.4481
50+
￥0.3901
150+
￥0.3611
500+
￥0.3393
2500+
￥0.3219
5000+
￥0.3132

有货

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型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
300+
￥0.3319
3000+
￥0.2629

有货

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型号：MMBTA64LT1G 编号：C232607

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.4791
100+
￥0.3934
300+
￥0.3505
3000+
￥0.3183
6000+
￥0.2926

有货

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型号：NSVBAS21M3T5G 编号：C896450

封装：SOT-723-3

品牌：onsemi(安森美)

该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.4831
50+
￥0.3775
150+
￥0.3247
500+
￥0.2851
2500+
￥0.2534
5000+
￥0.2376

有货

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型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5386
150+
￥0.5011
500+
￥0.4544
2500+
￥0.4001
5000+
￥0.3876

有货

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型号：BC33725TA 编号：C236942

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于开关和放大器应用。适用于AF驱动级和低功率输出级。与BC327/BC328互补

数据手册

5+
￥0.6407
50+
￥0.5015
150+
￥0.4319
500+
￥0.3797
2000+
￥0.3379
4000+
￥0.317

有货

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型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

数据手册

5+
￥0.7705
50+
￥0.6193
150+
￥0.5437
500+
￥0.487
2500+
￥0.4416
5000+
￥0.4095

有货

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型号：MC78L05ABDR2G 编号：C7371

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

数据手册

5+
￥0.856
50+
￥0.6672
150+
￥0.5728
500+
￥0.502
2500+
￥0.4453
5000+
￥0.417

有货

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型号：ES1D 编号：C84602

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8853
50+
￥0.7102
150+
￥0.6226
500+
￥0.5569
2500+
￥0.413
7500+
￥0.3868

有货

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型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

数据手册

5+
￥1.0294
50+
￥0.9076
150+
￥0.8554
500+
￥0.7903
2500+
￥0.6438
5000+
￥0.6264

有货

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型号：1SMB5938BT3G 编号：C48869

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0973
50+
￥0.8629
150+
￥0.7625
500+
￥0.6372
2500+
￥0.5357
5000+
￥0.5022

有货

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型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1176
50+
￥0.8759
150+
￥0.7723
500+
￥0.6431
2500+
￥0.5855
5000+
￥0.551

有货

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型号：1SMB5914BT3G 编号：C129230

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1186
50+
￥0.8671
150+
￥0.7593
500+
￥0.6248
2500+
￥0.5649
5000+
￥0.529

有货

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型号：NC7WZ14L6X 编号：C118211

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列，采用节省空间的 SC70 6 引线封装。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 VCC 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。

数据手册

5+
￥1.1243
50+
￥0.9109
150+
￥0.8194
500+
￥0.7053
2500+
￥0.6545
5000+
￥0.624

有货

立即购买

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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