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用于同步降压转换器的双输出MOSFET驱动器

型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.71
30+
￥2.39
100+
￥1.99
500+
￥1.81

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高速双路MOSFET驱动器

型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥6.64
10+
￥5.95
30+
￥5.57
100+
￥5.14
500+
￥4.95

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带SPI控制的三路半桥驱动器

型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

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￥12.0714 ￥12.98
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￥9.9185 ￥11.95
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￥8.2563 ￥11.31
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￥7.7745 ￥10.65
500+
￥7.5555 ￥10.35
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￥7.4606 ￥10.22

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高低侧栅极驱动器，高性能，700V，3.5A源电流和3A灌电流

型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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1+
￥4.76
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￥4.67
30+
￥4.61
100+
￥4.55

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高速双MOSFET驱动器

型号：MC33151VDR2G 编号：C603251

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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1+
￥10.14
10+
￥8.52
30+
￥7.51

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六路半桥驱动器

型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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￥22.66
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￥19.56
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￥17.71
100+
￥15.15
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￥14.29
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￥13.9

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VR12兼容同步降压MOSFET驱动器

型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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￥1.564 ￥2.3
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￥1.1716 ￥2.02
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￥0.912 ￥1.9
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￥0.8448 ￥1.76
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￥0.8112 ￥1.69
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￥0.792 ￥1.65

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MOSFET驱动器

型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

1+
￥3.32
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￥2.64
30+
￥2.35
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￥1.98

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双路2A高速低端栅极驱动器

型号：FAN3226TMX 编号：C903497

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.704 ￥6.72
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￥3.66 ￥6.1
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￥2.885 ￥5.77
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￥2.69 ￥5.38
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￥2.605 ￥5.21
1000+
￥2.57 ￥5.14

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半桥栅极驱动器（隔离式高端和非隔离式低端）

型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电

数据手册

1+
￥6.75
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￥6.06
30+
￥5.68
100+
￥5.25
500+
￥5.06
1000+
￥4.98

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3A 有刷直流电机驱动芯片 5.5V

型号：LV8760T-TLM-E 编号：C903090

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LV8760T是一款H桥驱动器，可控制电机的四种运行模式（正转、反转、制动和待机）。这款集成电路导通电阻低、待机电流为零且效率高，非常适合用于驱动办公设备中的有刷直流电机。

数据手册

1+
￥8.1795 ￥14.35
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￥6.2087 ￥13.21
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￥4.625 ￥12.5
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￥4.3549 ￥11.77
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￥4.2328 ￥11.44
1000+
￥4.181 ￥11.3

有货

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1A 16V电机驱动芯片

型号：LV8549MC-AH 编号：C79895

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

步进电机驱动器，低饱和电压，12V

数据手册

1+
￥8.64
10+
￥7.39
30+
￥6.76
100+
￥6.14
500+
￥5.21
1000+
￥5.02

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单通道1A高速、低端栅极驱动器

型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

数据手册

1+
￥3.4
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￥2.71
30+
￥2.42
100+
￥2.05
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

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大电流高端栅极驱动IC

型号：FAN73711MX 编号：C724808

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。

数据手册

1+
￥5.4538 ￥8.14
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￥3.7962 ￥6.66
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￥2.7495 ￥5.85
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￥2.3218 ￥4.94
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￥2.1291 ￥4.53
1000+
￥2.0445 ￥4.35

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三相无传感器电机驱动器

型号：LB11685AV-W-AH 编号：C899589

封装：SSOP-24-275mil

品牌：onsemi(安森美)

LB11685AV是一款三相全波电流线性驱动电机驱动IC。它采用无传感器控制系统，无需使用霍尔效应器件。为实现更安静的运行，LB11685AV配备了电流软开关电路，非常适合驱动冰箱等设备中使用的冷却风扇电机

数据手册

1+
￥5.53
10+
￥4.95
30+
￥4.64
100+
￥4.28
500+
￥4.13
1000+
￥4.05

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高端和低端栅极驱动器

型号：FAN7382MX 编号：C128796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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1+
￥6.07
10+
￥4.97
30+
￥4.36
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￥3.68
500+
￥3.37

有货

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高速双MOSFET驱动器

型号：MC34152DR2G 编号：C903960

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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1+
￥11
10+
￥9.27
30+
￥8.18
100+
￥7.07

有货

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八通道低侧继电器驱动器

型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

数据手册

1+
￥13.88
10+
￥11.78
30+
￥10.46
100+
￥8.3
500+
￥7.69
1000+
￥7.42

有货

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用于氮化镓功率开关的高速半桥驱动器

型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

数据手册

1+
￥15.97
10+
￥13.4
30+
￥11.78
100+
￥10.13

有货

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高电流IGBT栅极驱动器

型号：NCD5701ADR2G 编号：C603415

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥9.0988 ￥9.89
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￥6.8388 ￥8.34
30+
￥5.3136 ￥7.38
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￥4.6008 ￥6.39
500+
￥4.2768 ￥5.94
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￥4.14 ￥5.75

有货

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带使能端的双路 5 A 高速低端 MOSFET 驱动器

型号：NCP81071BMNTXG 编号：C603797

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071是一款高速双路低端MOSFET驱动器，能够为容性负载提供大峰值电流。该驱动器可在米勒平台区提供5 A的峰值电流，有助于降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。

数据手册

1+
￥12.3986 ￥13.19
10+
￥9.45 ￥11.25
30+
￥7.4296 ￥10.04
100+
￥6.512 ￥8.8
500+
￥6.0976 ￥8.24
1000+
￥5.92 ￥8

有货

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隔离式大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCD57001FDWR2G 编号：C899925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCD57001F是NCD57001的一个变体，其软关断时间缩短，适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断

数据手册

1+
￥20.0836 ￥34.04
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￥14.3668 ￥29.32
30+
￥10.3389 ￥26.51
100+
￥9.2313 ￥23.67
500+
￥8.7204 ￥22.36
1000+
￥8.4903 ￥21.77

有货

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具备浪涌电流管理功能的自保护型低端驱动器

型号：NCV8412ADDR2G 编号：C2902156

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

数据手册

1+
￥6.9108 ￥13.29
10+
￥4.809 ￥11.45
30+
￥3.2928 ￥10.29
100+
￥2.7968 ￥8.74
500+
￥2.6272 ￥8.21
1000+
￥2.5504 ￥7.97

有货

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高速、双路、4A低端栅极驱动器

型号：FAN3224TUMX-F085 编号：C903491

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠电压锁闭功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥7.931 ￥14.42
10+
￥5.976 ￥13.28
30+
￥4.396 ￥12.56
100+
￥4.1405 ￥11.83
500+
￥4.025 ￥11.5
1000+
￥3.9725 ￥11.35

有货

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SPI控制的H桥和双半桥预驱动器 5.25V

型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

数据手册

1+
￥12.62
10+
￥11.48
30+
￥10.77
100+
￥10.05
500+
￥9.72
1000+
￥9.58

有货

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集成驱动器与MOSFET

型号：NCP252160MNTWG 编号：C892300

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP252160将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP252160集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

数据手册

1+
￥18.65
10+
￥15.91
30+
￥14.2

有货

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十通道半桥驱动器

型号：NCV7720DQAR2G 编号：C904664

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

数据手册

1+
￥26.23
10+
￥22.22
30+
￥19.84
100+
￥17.42

有货

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用于氮化镓功率开关的高速半桥驱动器

型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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同步降压MOSFET驱动器

型号：NCP81166MNTBG 编号：C116731

封装：DFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81166/A栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器，专为在同步降压转换器拓扑中驱动N沟道MOSFET而设计。

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单通道2A高速低边栅极驱动器

型号：FAN3100CMPX 编号：C890687

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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