ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC33063ADR2G 编号：C7296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件包括内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少的外部元件而设计。

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型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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型号：74ACT244MTCX 编号：C5496

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

AC/ACT244是一款八进制缓冲器和线路驱动器，设计用于作为内存地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器/接收器，可提高印刷电路板的布线密度。

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

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型号：UC2842BNG 编号：C111570

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了一种经济高效的方案，并最大限度减少了外部部件。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，此外还包含以下保护功能：都具有迟滞的输入和参考欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的较低电压应用。

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型号：FDD86102LZ 编号：C111627

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V

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型号：74LVX4245MTCX 编号：C61186

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

是一款双电源、8位转换收发器，设计用于在3V/5V混合电源环境中的5V总线和3V总线之间进行接口。发送/接收（T/R）输入决定数据流方向。发送（高电平有效）使数据从A端口流向B端口；接收（低电平有效）使数据从B端口流向A端口。输出使能输入为高电平时，通过将A和B端口置于高阻抗状态来禁用它们。A端口与5V总线接口；B端口与3V总线接口。适用于混合电压应用，如使用3.3V CPU和5V LCD显示器的笔记本电脑。

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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：NCP1342AMDCDAD1R2G 编号：C462899

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1342 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1342 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。NCP1342 具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1342 进入静音跳过模式来管理功率传递，同时最大程度减小噪音。为了确保高频率设计的轻负载性能，NCP1342 结合了最低峰值电流调制 (MPCM) 以快速降低开关频率。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1342 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除交流线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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￥6.69
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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：FSV20100V 编号：C895438

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为 1.1mm。沟槽肖特基技术。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。仅无 DAP 选项。这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准

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￥7.46
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￥6.21
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￥4.74
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￥4.38
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型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥7.47
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￥6.18
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型号：SG3525ANG 编号：C5286

封装：DIP-16

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A脉宽调制器控制电路在用于控制各类开关电源时，能提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1 V基准电压经微调至± 1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入可使多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在Cₜ和放电引脚之间的单个电阻，可对较宽范围的死区时间进行编程。该器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断时的PWM锁存实现瞬间关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。当Vcc低于标称值时，欠压锁定功能会禁止输出并阻止软启动电容充电。输出级采用图腾柱设计，灌电流和拉电流能力超过200 mA。SG3525A的输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

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￥8.2
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￥4.38

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型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

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￥12.91
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￥10.86
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￥7.49
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￥7.23

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型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

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￥19.79
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￥16.87
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￥14.31
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￥12.45
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￥11.6
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￥11.24

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型号：FCH072N60F 编号：C352884

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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