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独立式 耐压:12V 电流:0.05uA@9.1V
型号：MMSZ4699T1G 编号：C97772
封装：SOD-123
品牌：onsemi(安森美)
提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
数据手册

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    独立式 耐压:20V 电流:0.1uA@15V
    型号：MMSZ5250BT1G 编号：C94386
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56LT1G 编号：C85394
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

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    独立式 耐压:51V 电流:0.1uA@39V
    型号：MMSZ5262BT1G 编号：C40515
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：MM3Z4V7T1G 编号：C236205
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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    独立式 耐压:4.7V 电流:10uA@3V
    型号：MMSZ4688T1G 编号：C242285
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    提供了三个完整系列的齐纳二极管，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件是无引脚34封装样式的便捷替代方案。
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    耐压:10V 电流:0.2uA@7V
    型号：MMSZ10T1G 编号：C236094
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装形式提供了一个方便的替代方案。
    数据手册

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    独立式 耐压:10V 电流:1uA@7.6V
    型号：MMSZ4697T1G 编号：C48870
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
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    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：MMSZ12T1G 编号：C72599
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
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    独立式 耐压:8.2V 电流:3uA@6.5V
    型号：MMSZ5237BT1G 编号：C236103
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

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    NPN+NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MBT3904DW1T3G 编号：C896759
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857CLT1G 编号：C152474
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846BM3T5G 编号：C232536
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
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      ￥0.3176

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    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA@4V
    型号：MMSZ6V8T1G 编号：C132794
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    单路施密特触发反相器
    型号：NL17SZ14DFT2G 编号：C113256
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    NL17SZ14是一款带施密特触发器的单反相器，有三种小尺寸封装形式。该器件在速度和驱动能力方面的表现与LCX多门产品相当。
    数据手册

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      ￥0.3586

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    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
    型号：MM3Z75VC 编号：C891646
    封装：SOD-323F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅
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      ￥0.36656 ￥0.4582

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    TinyLogic UHS 双输入与门
    型号：NC7SZ08M5X 编号：C32411
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ08 是一款两输入 AND 单门极，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
    数据手册

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      ￥0.3788

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C513249
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4245

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      ￥0.2276
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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      ￥0.4637

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    100V 200mA
    型号：MMBD1205 编号：C236936
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥0.5052

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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138K 编号：C255592
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
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    独立式 耐压:5.1V 电流:10uA@1V
    型号：1N4733A 编号：C140851
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥0.5398

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      ￥0.2773

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      ￥0.2599
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    NL17SZ08: Single 2-Input AND Gate
    型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。
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    • 5+

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    独立式 耐压:56V 电流:1uA@42.6V
    型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:1.8V 电流:7.5uA@1V
    型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURA220T3G 编号：C37995
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    1个P沟道 耐压:8V 电流:3.7A
    型号：NTR2101PT1G 编号：C168745
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
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    1.2V~37V 100mA 40V
    型号：LM317LBDR2G 编号：C274645
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    是一款可调的三端正电压调节器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过100 mA的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部电流限制、热关断和安全区域补偿，使其基本不会出现熔断问题。可用于多种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。
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    电压:60V 电流:1A
    型号：MBRA160T3G 编号：C49187
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管
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