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价格(含税)

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600V 9.5V~15.8V

型号：NCP1399ACDR2G 编号：C377544

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.33
30+
￥4.8
100+
￥4.27
500+
￥2.89
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￥2.73

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1个P沟道耐压:500V 电流:2.1A

型号：FQD3P50TM 编号：C246440

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.44
10+
￥5.32
30+
￥4.77
100+
￥3.98
500+
￥3.65
1000+
￥3.48

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3A输出电流、高速MOSFET栅极驱动光耦合器

型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

1+
￥6.58
10+
￥5.33
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￥4.71
100+
￥3.62
500+
￥3.25
1000+
￥3.06

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:60A

型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

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￥6.67
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￥5.52
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￥4.88
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￥4.16
500+
￥3.55
1000+
￥3.41

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1个P沟道耐压:35V 电流:55A

型号：FDD6637 编号：C114384

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 RDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势。

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.47
30+
￥4.8
100+
￥4.13
500+
￥3.73
1000+
￥3.52

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.11
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￥5.89
30+
￥5.27
100+
￥4.67
500+
￥4.3
1500+
￥4.12

有货

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430V 21A

型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

数据手册

1+
￥7.89
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￥6.49
30+
￥5.72
100+
￥4.85
500+
￥4.46
1000+
￥4.29

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耐压:100V 电流:50A

型号：FDMS86163P 编号：C469176

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.12
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￥6.86
30+
￥6.17
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￥4.81
500+
￥4.46
1000+
￥4.3

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32 抽头数字电位器

型号：CAT5115ZI-10-GT3 编号：C890423

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT5115 是一款单数字电位计，设计用于替代机械电位计和调整电位计。适用于自动化调整的高产量生产线，也适合在难以访问或位于危险或远程环境中的设备中使用。

数据手册

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￥9.74
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￥9
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￥8.54
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￥6.53
500+
￥6.32
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￥6.23

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NCP1632DR2G

型号：NCP1632DR2G 编号：C603642

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1632 集成了一个双 MOSFET 驱动器，用于交错式 PFC 应用。交错由并联的两个小级组成，代替了一个难以设计的更大级。此方式具有若干优点，如实施简单、能够使用更小组件，更好的散热。另外，交错还可以扩展到高能效且成本高效（无需低 trr 二极管）的临界导通运行模式的功率范围。此外，NCP1632 驱动器为 180° 移位相位，可大大降低电流波纹。该电路采用 SOIC16 封装，结合了构建耐用紧凑的交错式 PFC 级所需的所有功能，且外部组件数量极少。

数据手册

1+
￥9.97
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￥8.2
30+
￥7.23
100+
￥6.13
500+
￥5.64
1000+
￥5.42

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1个N沟道耐压:900V 电流:4A

型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥11.6
10+
￥9.76
50+
￥8.45
100+
￥7.26
500+
￥6.73
1000+
￥6.5

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降压型 2.8V~20V

型号：NCP81610AMNTXG 编号：C895769

封装：QFN-40(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81610是一款多相同步控制器，专为新一代计算和图形处理器进行了优化。该器件能够驱动多达8相，集成了差分电压和相电流感应、自适应电压定位以及PWM_VID接口，可为计算机或图形控制器提供精确调节的电源。

1+
￥12.654 ￥17.1
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￥11.137 ￥15.05
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￥10.1898 ￥13.77
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￥8.7172 ￥11.78
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￥8.2732 ￥11.18
1000+
￥8.0882 ￥10.93

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耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：45ns

型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥14.42
10+
￥12.27
50+
￥9.83
100+
￥8.45
500+
￥7.83
800+
￥7.56

有货

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650V 80A

型号：FGA40N65SMD 编号：C444005

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥21.46
10+
￥18.47
30+
￥13.69
90+
￥11.78
450+
￥10.91
900+
￥10.53

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100V 200mA

型号：MMSD914T1G 编号：C91072

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：SOD-123表面贴装封装。高击穿电压。快速开关时间。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2085
200+
￥0.1648
600+
￥0.1405
3000+
￥0.1224
9000+
￥0.1097
21000+
￥0.1029

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-40LT1G 编号：C82369

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2556
100+
￥0.2062
300+
￥0.1815
3000+
￥0.1478
6000+
￥0.133
9000+
￥0.1256

有货

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250V 225mA

型号：BAS21SLT1G 编号：C23847

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个串联封装的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

数据手册

20+
￥0.2557
200+
￥0.2047
600+
￥0.1763
3000+
￥0.1456
9000+
￥0.1308
21000+
￥0.1229

有货

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PNP 电流:500mA 电压:80V

型号：MMBTA56LT1G 编号：C85394

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2563
200+
￥0.2011
600+
￥0.1704
3000+
￥0.1341
9000+
￥0.1181
21000+
￥0.1095

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：NTR5103NT1G 编号：C152469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，60 V，310mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

10+
￥0.2602
100+
￥0.2074
300+
￥0.181
3000+
￥0.1612
6000+
￥0.1454
9000+
￥0.1375

有货

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电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70LT1G 编号：C232585

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3005
100+
￥0.2348
300+
￥0.202
3000+
￥0.1774
6000+
￥0.1577
9000+
￥0.1478

有货

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双缓冲器（开漏输出）

型号：NC7WZ07P6X 编号：C95342

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

缓冲器，可以用作3.3V与5V电平高速转换用

数据手册

10+
￥0.3358
100+
￥0.2624
300+
￥0.2257
3000+
￥0.1981
6000+
￥0.1761
9000+
￥0.1651

有货

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100V 200mA

型号：MMBD4148CC 编号：C236939

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

高导通超高速二极管

数据手册

10+
￥0.336
100+
￥0.2664
300+
￥0.2316
3000+
￥0.193
6000+
￥0.1721
9000+
￥0.1617

有货

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3.3V 300mA 5.5V

型号：NCP114AMX330TCG 编号：C133056

封装：UDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。

数据手册

5+
￥0.4942
50+
￥0.3857
150+
￥0.3315
500+
￥0.2908
3000+
￥0.2582
6000+
￥0.2419

有货

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单路反相器

型号：MC74HC1G04DFT1G 编号：C150227

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC1G04 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。其内部电路由多级组成，包括一个缓冲输出级，该输出级具有高抗噪能力和稳定的输出。

数据手册

5+
￥0.5006
50+
￥0.3902
150+
￥0.335
500+
￥0.2936
3000+
￥0.2605
6000+
￥0.2439

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:220mA

型号：NTUD3169CZT5G 编号：C213059

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。

数据手册

5+
￥0.57722 ￥0.6076
50+
￥0.504355 ￥0.5309
150+
￥0.46797 ￥0.4926
500+
￥0.44061 ￥0.4638
2500+
￥0.3971 ￥0.418
5000+
￥0.386175 ￥0.4065

有货

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独立式耐压:56V 电流:1uA@42.6V

型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：24A@8/20us

型号：SD05T1G 编号：C233423

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

这些浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.5905
50+
￥0.4991
150+
￥0.4535
1500+
￥0.3862
3000+
￥0.3588
4500+
￥0.345

有货

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独立式耐压:51V 电流:0.5uA@38.8V

型号：1SMA5942BT3G 编号：C82080

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.606
50+
￥0.5372
150+
￥0.5028
500+
￥0.477
2500+
￥0.3749
5000+
￥0.3646

有货

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非反相三态缓冲器

型号：MC74VHC1G126DFT1G-Q 编号：C26032014

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值，另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
3000+
￥0.3397
6000+
￥0.318

有货

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通用整流器

型号：S1A 编号：C232824

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

数据手册

5+
￥0.654
50+
￥0.5182
150+
￥0.4503
500+
￥0.3993
2500+
￥0.3252
7500+
￥0.3048

有货

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