ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMSZ5243BT1G 编号：C188411

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3465
100+
￥0.2842
300+
￥0.253
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.2018
9000+
￥0.1925

有货

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型号：NC7SZ125P5X 编号：C112084

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V，而无论 VCC 运行电压任何。在 3 态条件下，输出耐压高于 VCC。

数据手册

10+
￥0.3656
100+
￥0.285
300+
￥0.2447
3000+
￥0.2144
6000+
￥0.1902
9000+
￥0.1781

有货

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型号：MMSD103T1G 编号：C232610

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-123 表面贴装封装，适合自动插装。

数据手册

20+
￥0.3664
200+
￥0.288
600+
￥0.2445
3000+
￥0.2019
9000+
￥0.1792
21000+
￥0.167

有货

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型号：SMMSD4148T1G 编号：C132796

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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10+
￥0.3743
100+
￥0.3045
300+
￥0.2696
3000+
￥0.2237
6000+
￥0.2027
9000+
￥0.1923

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型号：MMSZ5222BT1G 编号：C150078

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3083
300+
￥0.2705
3000+
￥0.2341

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型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

10+
￥0.4082
100+
￥0.3182
300+
￥0.2731
3000+
￥0.2394
6000+
￥0.2124
9000+
￥0.1989

有货

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型号：NC7SZ08M5X 编号：C32411

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ08 是一款两输入 AND 单门极，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.4238
100+
￥0.3326
300+
￥0.287
3000+
￥0.2425
6000+
￥0.2151
9000+
￥0.2015

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型号：MM3Z10VST1G 编号：C235983

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.4441
100+
￥0.3665
300+
￥0.3277
3000+
￥0.258
6000+
￥0.2347
9000+
￥0.223

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型号：S1J 编号：C184326

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

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10+
￥0.5105
100+
￥0.4286
300+
￥0.3876
1000+
￥0.3569
7500+
￥0.3074
15000+
￥0.2952

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型号：MMBD1205 编号：C236936

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.5319
50+
￥0.4276
150+
￥0.3754
500+
￥0.3363
3000+
￥0.305
6000+
￥0.2893

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型号：MBR130T1G 编号：C82461

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

10+
￥0.56
100+
￥0.4424
300+
￥0.3836
3000+
￥0.3151
6000+
￥0.2798
9000+
￥0.2621

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型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

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型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6732
50+
￥0.5484
150+
￥0.486
500+
￥0.4392
3000+
￥0.3386

有货

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型号：NTR4503NT1G 编号：C94763

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V

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5+
￥0.7202
50+
￥0.5856
150+
￥0.5183
500+
￥0.4678
3000+
￥0.3709
6000+
￥0.3507

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型号：NTR4171PT1G 编号：C146715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23

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5+
￥0.8903
50+
￥0.6886
150+
￥0.5878
500+
￥0.5121
3000+
￥0.4516
6000+
￥0.4213

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型号：SZESD7462N2T5G 编号：C604773

封装：X2DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7462旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.9108
50+
￥0.8976
150+
￥0.8888
500+
￥0.88

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型号：S1MFL 编号：C604670

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

表面通用整流器

数据手册

5+
￥0.92
50+
￥0.7357
150+
￥0.6436
500+
￥0.5745
3000+
￥0.4844

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型号：SZMM3Z5V1T1G 编号：C152297

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.92
50+
￥0.7699
150+
￥0.6949
500+
￥0.6386
3000+
￥0.4989

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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9901
50+
￥0.7803
150+
￥0.6904
500+
￥0.5783
2500+
￥0.4874
5000+
￥0.4574

有货

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0014
50+
￥0.7773
150+
￥0.6812
500+
￥0.5613
2500+
￥0.508
5000+
￥0.4759

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型号：FDN340P 编号：C75469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

5+
￥1.1012
50+
￥0.8965
150+
￥0.8087
500+
￥0.6992
3000+
￥0.5777
6000+
￥0.5485

有货

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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