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描述
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500mV@10nA
型号：MMBF4393LT1G 编号：C152291
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
数据手册

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    ￥0.7788

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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：3.6A@8/20us
    型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721
    封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
    数据手册

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      ￥0.6986

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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURA220T3G 编号：C37995
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.21A
    型号：BSS138W 编号：C890266
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
    数据手册

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    独立式 耐压:6.8V 电流:2.5uA@5.2V
    型号：1SMA5921BT3G 编号：C38220
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

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    独立式 耐压:8.2V 电流:5uA@1V
    型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册

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      ￥0.8487

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    2V@10nA
    型号：MMBF4392LT1G 编号：C259802
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:540mA
    型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117
    封装：SOT-563
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。 高效的系统性能。 低阈值电压。 静电放电（ESD）保护栅极。 小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。 带电平转换的负载/电源开关
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    独立式 耐压:100V 电流:1uA
    型号：1SMB5949BT3G 编号：C150045
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:27V 电流:1uA
    型号：1SMB5935BT3G 编号：C49827
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    独立式 耐压:6.2V 电流:2.5uA@4.0V
    型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    独立式 耐压:24V 电流:1uA@18.2V
    型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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      ￥1.0462

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    15V 100mA 30V
    型号：MC78L15ABDR2G 编号：C233224
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    正电压调节器价格便宜、易于使用，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的MC7800和MC78M00系列类似，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，MC78L00器件无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些器件具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。
    数据手册

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      ￥1.0756

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      ￥0.8572

    • 150+

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      ￥0.6467

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    • 5000+

      ￥0.5635
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    电压:60V 电流:2.1A
    型号：NRVBA160NT3G 编号：C893762
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。采用先进的外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在表面贴装应用中作为续流和极性二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.085042 ￥1.1186

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      ￥0.858255 ￥0.9865

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      ￥0.716023 ￥0.9299

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      ￥0.661661 ￥0.8593

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      ￥0.637406 ￥0.8278

    • 5000+

      ￥0.62293 ￥0.809
  • 有货
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    三态输出，双路缓冲器
    型号：NL27WZ126USG 编号：C154625
    封装：US-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NL27WZ126 MiniGate 是一款高性能双非反向缓冲器，运行电压为 1.65 V 到 5.5 V。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1048

    • 50+

      ￥0.9661

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      ￥0.7201

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      ￥0.7003
  • 有货
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    独立式 耐压:4.7V 电流:5uA
    型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥1.1336

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      ￥0.9039

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      ￥0.5514
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
    型号：FDG6301N 编号：C236893
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1404

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      ￥0.5379
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    1.5V 500mA 5.5V
    型号：NCV8133BMX150TCG 编号：C893083
    封装：XDFN-6-EP(1.2x1.2)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥1.1447

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      ￥0.5771
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    单电源3.0 V至44 V运算放大器
    型号：MC33072DR2G 编号：C112613
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。
    数据手册

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      ￥1.1474

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      ￥0.9004

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    独立式 耐压:4.3V 电流:2.5uA@1.0V
    型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2378

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    独立式 耐压:30V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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    电压:40V 电流:500mA
    型号：NSR05F40NXT5G 编号：C146713
    封装：0402
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管经优化适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级封装 (CSP) 以减少板空间。低热电阻使设计人员能够完成提高能效并满足减少空间要求的具有挑战性的任务。
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    六路反相器
    型号：MC14069UBDR2G 编号：C36955
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。
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    1.2V~37V 500mA 40V
    型号：LM317MBDTRKG 编号：C179570
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    高PSRR 可调 正向
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    5V 1A 20V
    型号：MC7805CDTRKG 编号：C54285
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。
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    独立式 耐压:13V 电流:1uA@9.9V
    型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    六路施密特触发反相器
    型号：74AC14MTCX 编号：C903332
    封装：TSSOP-14
    品牌：onsemi(安森美)
    包含六个带施密特触发输入的反相器门。能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，与传统反相器相比，它们具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。
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    带施密特触发输入的四路2输入与非门，高性能硅栅CMOS
    型号：MC74HC132ADR2G 编号：C7332
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC132A的引脚排列与LS132相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；使用上拉电阻时，可与LSTTL输出兼容
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    四路2输入与门，高性能硅栅CMOS
    型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。 这些是无铅器件
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    单电源3.0 V至44 V运算放大器
    型号：MC34072DR2G 编号：C146747
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。
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