ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTR2101PT1G 编号：C168745

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥0.7757
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￥0.3655

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型号：LM317LBDR2G 编号：C274645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端正电压调节器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过100 mA的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部电流限制、热关断和安全区域补偿，使其基本不会出现熔断问题。可用于多种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

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￥0.7988
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￥0.6226
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￥0.5345
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￥0.3891

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型号：MBRA160T3G 编号：C49187

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管

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￥0.8833
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￥0.6875
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￥0.4279

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型号：NUP4301MR6T1G 编号：C52856

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

8KV接触, 15KV空隙放电

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￥0.9169
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￥0.7442
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型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

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￥1.0178
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￥0.8438
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型号：1SMB5925BT3G 编号：C53170

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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￥1.0371
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型号：NTJD4152PT1G 编号：C236239

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。小尺寸封装（相当于SC70-6）。栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。充电电路

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￥1.0502
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￥0.762
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￥0.6542
3000+
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￥0.5084

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型号：1SMA5934BT3G 编号：C94409

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥1.0689
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￥0.7402
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￥0.5259
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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥1.0737
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￥0.864
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￥0.6619
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￥0.571
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￥0.541

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型号：MBR120LSFT1G 编号：C891416

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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5+
￥1.0965
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￥0.8673
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￥0.7691
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￥0.6466
3000+
￥0.592
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￥0.5593

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型号：MC79L05ACDR2G 编号：C154823

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

负电压 -5V 100mA

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￥1.1171
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￥0.7715
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￥0.5434
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型号：NC7SZ74L8X 编号：C184651

封装：UFQFN-8(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。

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￥1.1474
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￥1.0162
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￥0.9599
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￥0.8897
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￥0.6813
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￥0.6625

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型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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￥1.1869
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￥0.8305
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型号：MC74HC126ADR2G 编号：C233530

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC125A 和 MC74HC126A 与 LS125 和 LS126 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。 HC125A 和 HC126A 非反相缓冲器适用于 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和其他总线导向系统。此类器件具有四个单独的输出启用，为有效低电平 (HC125A) 或有效高电平 (HC126A)。

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5+
￥1.1944
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￥1.0454
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￥0.9815
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￥0.9017
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￥0.7739
5000+
￥0.7526

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型号：UESD3.3DT5G 编号：C233435

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

μESD系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于尺寸小巧，该系列产品适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

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￥1.2069
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￥0.8593
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￥0.7292
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￥0.619
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￥0.5842

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型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.2199
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￥0.9604
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￥0.6446
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￥0.5457

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型号：MBRM140T1G 编号：C132634

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

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5+
￥1.248
50+
￥0.9945
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￥0.8859
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￥0.7504
3000+
￥0.69
6000+
￥0.6538

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型号：ESD8104MUTAG 编号：C94394

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

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5+
￥1.3205
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￥1.069
150+
￥0.9613
500+
￥0.7445
3000+
￥0.6846
6000+
￥0.6487

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型号：1SMB5931BT3G 编号：C146740

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型 3 级 ESD 等级（>16kV）。扁平操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要特定场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.3958
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￥1.1682
150+
￥1.0544
500+
￥0.605
2500+
￥0.5367
5000+
￥0.5026

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型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

5+
￥1.4307
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￥1.1147
150+
￥0.9792
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￥0.8102
3000+
￥0.735
6000+
￥0.6898

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型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

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5+
￥1.5066
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￥1.1678
150+
￥1.0227
500+
￥0.8415
3000+
￥0.7609
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￥0.7125

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型号：PZT2222AT1G 编号：C115272

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于中等功率表面贴装应用。

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5+
￥1.6129
50+
￥1.3017
150+
￥1.1684
1000+
￥0.9211
2000+
￥0.847
5000+
￥0.8025

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型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

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5+
￥1.6161
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￥1.2761
150+
￥1.1304
500+
￥0.8851
2500+
￥0.8042
5000+
￥0.7556

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型号：MC14017BDR2G 编号：C512979

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14017B 是一款内置代码转换器的五级约翰逊十进制计数器。采用约翰逊十进制计数器设计可实现高速运行和无尖峰输出。十个解码输出通常为低电平，仅在其对应的十进制时间段变为高电平

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5+
￥1.6433
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￥1.2755
150+
￥1.1178
500+
￥0.9211
2500+
￥0.8336
5000+
￥0.781

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型号：CAT24C16WI-GT3 编号：C81197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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