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型号：TLV431BSN1T1G 编号：C91075

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

数据手册

5+
￥1.0524
50+
￥0.8359
150+
￥0.7431
500+
￥0.6273
3000+
￥0.5036
6000+
￥0.4726

有货

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型号：FDN335N 编号：C241804

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

5+
￥1.083
50+
￥0.8459
150+
￥0.7442
500+
￥0.6174
3000+
￥0.561
6000+
￥0.5271

有货

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型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.1017
50+
￥0.8835
150+
￥0.79
500+
￥0.6733
2500+
￥0.6061
5000+
￥0.5749

有货

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型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1023
50+
￥0.8636
150+
￥0.7613
500+
￥0.6337
2500+
￥0.5047
5000+
￥0.4706

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型号：MBRS1100T3G 编号：C82068

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.104
50+
￥0.8721
150+
￥0.7728
500+
￥0.6013
2500+
￥0.5461
5000+
￥0.5129

有货

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型号：1SMB5924BT3G 编号：C53166

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1093
50+
￥0.8734
150+
￥0.7722
500+
￥0.646
2500+
￥0.5899
5000+
￥0.5561

有货

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型号：MURA110T3G 编号：C23915

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。

数据手册

5+
￥1.1166
50+
￥0.8827
150+
￥0.7657
500+
￥0.6219
2500+
￥0.5517
5000+
￥0.5166

有货

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型号：MC78M15BDTRKG 编号：C127442

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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5+
￥1.1947
50+
￥0.9427
150+
￥0.8347
500+
￥0.6261
2500+
￥0.5661
5000+
￥0.5301

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型号：UF4007 编号：C232764

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高浪涌电流能力。高可靠性。高电流能力。玻璃钝化结

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5+
￥1.2944
50+
￥1.0155
150+
￥0.896
500+
￥0.7469
2500+
￥0.6264
5000+
￥0.5865

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型号：SS14HE 编号：C894424

封装：SOD-323HE

品牌：onsemi(安森美)

特性：非常低的外形：典型高度为0.68mm。低功耗，高效率。湿度敏感度等级1（符合J-STD-020）。 UL可燃性94V-0分类。符合RoHS标准/绿色模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

数据手册

5+
￥1.3177
50+
￥1.0412
150+
￥0.9227
500+
￥0.7748
3000+
￥0.709
6000+
￥0.6695

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型号：MC14013BDTR2G 编号：C233444

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据（D）、直接置位（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入，以及互补输出（Q和Q̅）。这些器件可用作移位寄存器元件，或作为T型触发器用于计数器和触发应用

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5+
￥1.4983
50+
￥1.1758
150+
￥1.0375
500+
￥0.8651
2500+
￥0.7883
5000+
￥0.7422

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型号：M74VHC1GT126DF2G 编号：C233496

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器，使用硅门极 CMOS 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值，输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压，使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑，或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器，且能在高电压电源下运行。MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

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5+
￥1.5056
50+
￥1.3166
150+
￥1.2356
500+
￥1.026
3000+
￥0.981
6000+
￥0.954

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型号：PZT2222AT1G 编号：C115272

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于中等功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5337
50+
￥1.2434
150+
￥1.119
1000+
￥0.8882
2000+
￥0.8191
5000+
￥0.7776

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型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

5+
￥1.5579
50+
￥1.24
150+
￥1.1038
500+
￥0.9338
2500+
￥0.8582
7500+
￥0.8127

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

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5+
￥1.61
50+
￥1.297
150+
￥1.1628
500+
￥0.9955
3000+
￥0.8521
6000+
￥0.8074

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型号：MC1496DR2G 编号：C7295

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

RF检测器，MC1496B 适用于输出电压为输入电压（信号）和开关功能（载波）的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。

数据手册

5+
￥1.6224
50+
￥1.303
150+
￥1.1661
500+
￥0.7997
2500+
￥0.7237
5000+
￥0.6781

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型号：ESD8104MUTAG 编号：C94394

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

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5+
￥1.646
50+
￥1.3325
150+
￥1.1982
500+
￥0.928
3000+
￥0.8533
6000+
￥0.8085

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型号：1N5349BRLG 编号：C9078

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥1.7867
50+
￥1.4238
150+
￥1.2683
500+
￥1.0743
2500+
￥0.9879
4000+
￥0.936

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型号：MC14040BDR2G 编号：C62403

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14040B 12 级二进制计数器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。该部件设计有输入波形整形电路和 12 级行波进位二进制计数器。器件在时钟脉冲的下降沿进行计数

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5+
￥1.7933
50+
￥1.4018
150+
￥1.2341
500+
￥1.0247
2500+
￥0.9315
5000+
￥0.8756

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型号：NCS325SN2T1G 编号：C892885

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS325、NCS2325和NCS4325是具备精密性能的CMOS运算放大器。零漂移架构支持连续自动校准，可实现极低失调、随时间和温度近乎零漂移，且仅需35 μA（最大值）的静态电流就能实现近乎平坦的1/f噪声。这些优势使这些器件非常适合精密直流应用。这些运算放大器具备轨到轨输入和输出性能，针对低至1.8 V、高至5.5 V的低电压工作进行了优化。单通道NCS325采用节省空间的SOT23 - 5封装。双通道NCS2325有Micro8、SOIC - 8和DFN - 8封装可选。四通道NCS4325采用SOIC - 14封装。

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5+
￥2.0439
50+
￥1.64
150+
￥1.4669
500+
￥1.0034
3000+
￥0.9072
6000+
￥0.8495

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型号：BCP56-16T1G 编号：C16602

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN型硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

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5+
￥2.1166
50+
￥1.7199
150+
￥1.5499
1000+
￥1.2512
2000+
￥1.1567
5000+
￥1.1

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型号：PZTA42T1G 编号：C82085

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：与PZTA92T1G互补。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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5+
￥2.2208
50+
￥1.7612
150+
￥1.5642
1000+
￥1.1419
2000+
￥1.0324
5000+
￥0.9668

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型号：MC14049UBDR2G 编号：C233449

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049UB 六路逆变器缓冲器采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。此互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。此器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。该输入信号高电平 VIH 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL 0.4 V IOL 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL DTL 负载。请注意，此器件内部未联接引脚 13 和 16 因此，与这些端子联接不会影响电路运行。

数据手册

5+
￥2.2217
50+
￥1.7427
150+
￥1.5374
500+
￥1.0714
2500+
￥0.9573
5000+
￥0.8889

有货

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型号：MC74HC4051ADR2G 编号：C16870

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4051A 是一款单刀八掷模拟多路复用器/解复用器，具有低导通电阻和快速切换速度。

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1+
￥2.34
10+
￥1.83
30+
￥1.61
100+
￥1.33
500+
￥1.16
1000+
￥1.08

有货

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型号：UC3842BVD1R2G 编号：C462971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠电压锁闭且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥2.4098
50+
￥1.9204
150+
￥1.7106
500+
￥1.4489
2500+
￥1.3324
5000+
￥1.2624

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型号：ES3J 编号：C241736

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

3.0超快恢复整流器

数据手册

5+
￥2.6126
50+
￥2.0472
150+
￥1.8048
500+
￥1.388
3000+
￥1.2534
6000+
￥1.1726

有货

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型号：FDMS86101DC 编号：C605042

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥3.03
10+
￥2.35
30+
￥2.06
100+
￥1.7
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

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型号：NCS2200SQ2T2G 编号：C603838

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2200系列是低于1V的低功耗比较器产品系列。这些器件的电源电流仅为10μA。它们保证能在低至0.85V的电压下工作，这使其可用于需要低于1.0V电压的系统；并且在高达6.0V的电压下仍能完全正常工作，这使得它们便于在3.0V和5.0V系统中使用。其他特性包括：输入过驱动时无输出相位反转、内置迟滞功能（可实现干净的输出切换）以及轨到轨输入和输出性能。NCS2200系列提供互补推挽和开漏输出，并有多种封装可供选择。SOT - 23 - 5和SC70 - 5封装有两种行业标准引脚排列。NCS2200还提供微型DFN 2x2.2封装。NCS2200A和NCS2202A提供UDFN 1.2x1.0封装。

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