ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5337BRLG 编号：C9705

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

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型号：UC3843BVD1R2G 编号：C231572

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：CAT24C64YI-GT3 编号：C238979

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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型号：NCS20074DR2G 编号：C89844

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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型号：MJD112T4G 编号：C233690

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用电源和开关应用而设计，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出级或驱动级。

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型号：NCP1252DDR2G 编号：C603530

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252是一款专为前向和反激式应用设计的峰值电流模式PWM控制器。它提供了一切所需的特性,用于构建成本效益高且可靠的AC-DC开关电源。内置固定的定时器检测输出过载,无需依赖辅助Vcc。Brown-Out输入提供低输入电压保护,提高转换器的安全性。SOIC-8封装节省PCB空间,适用于成本敏感的项目。

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型号：NCS2220AMUT1G 编号：C464059

封装：UDFN-8-EP(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NCS2220A是业界首款亚1V的低功耗比较器。该器件专为轨到轨输入和输出性能而设计，功耗仅为7。

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型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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型号：NCP1380BDR2G 编号：C15428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

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型号：6N137SDM 编号：C15825

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

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型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。逻辑电平栅极驱动。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。大电流点火系统

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型号：NCV7356D1R2G 编号：C235992

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7356是一款单线数据链路物理层设备，支持多种载波侦听多路访问/冲突解决 (CSMA/CR) 协议。

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型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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型号：FGH50T65SQD-F155 编号：C132704

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

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型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

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￥0.1329
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型号：BZX84C3V6LT1G 编号：C94413

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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￥0.2152
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￥0.1688
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型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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20+
￥0.2166
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￥0.1675
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￥0.1402
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￥0.1238
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￥0.1096
21000+
￥0.102

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型号：BZX84C13LT1G 编号：C235768

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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20+
￥0.2201
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￥0.1718
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￥0.145
3000+
￥0.1289
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￥0.1149
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型号：MMSZ4707T1G 编号：C36797

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

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￥0.1787
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￥0.1547
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￥0.1223
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￥0.115

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型号：MMSZ4703T1G 编号：C236087

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件，符合RoHS标准

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