ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBF4393LT1G 编号：C152291

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

数据手册

5+
￥0.7744
50+
￥0.6236
150+
￥0.5482
500+
￥0.4916
3000+
￥0.3664
6000+
￥0.3438

有货

立即购买

型号：NL27WZ14DFT2G 编号：C89316

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ14 是一款高性能双反相器，带有施密特触发器输入，工作电源电压范围为 1.65 至 5.5 V。

数据手册

10+
￥0.3763
100+
￥0.2995
300+
￥0.2611
3000+
￥0.2122
6000+
￥0.1891
9000+
￥0.1776

有货

立即购买

型号：MMSZ5221BT1G 编号：C94406

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3866
100+
￥0.3103
300+
￥0.2721
3000+
￥0.2435
6000+
￥0.2206
9000+
￥0.2091

有货

立即购买

型号：NC7SZ04P5X 编号：C27437

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.428
100+
￥0.3116
300+
￥0.2675
3000+
￥0.2345
6000+
￥0.208
9000+
￥0.1948

有货

立即购买

型号：NCP114BSN330T1G 编号：C327507

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。

数据手册

10+
￥0.4428
100+
￥0.3511
300+
￥0.3052
3000+
￥0.244
6000+
￥0.2164
9000+
￥0.2027

有货

立即购买

型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.5767
50+
￥0.4495
150+
￥0.3859
500+
￥0.3382
2500+
￥0.3
5000+
￥0.2809

有货

立即购买

型号：MUR120RLG 编号：C27680

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥0.6211
50+
￥0.4855
150+
￥0.4177
500+
￥0.3668
2500+
￥0.3262
5000+
￥0.3058

有货

立即购买

型号：PN2222ABU 编号：C896866

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：可作为中功率放大器和开关使用，集电极电流可达500mA

数据手册

5+
￥0.6862
50+
￥0.5493
150+
￥0.4809
500+
￥0.4296
2500+
￥0.3655
5000+
￥0.345

有货

立即购买

型号：NTR4502PT1G 编号：C12325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.7348
50+
￥0.5838
150+
￥0.5083
500+
￥0.4517
3000+
￥0.3562
6000+
￥0.3335

有货

立即购买

型号：1SMA5930BT3G 编号：C128848

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7366
50+
￥0.598
150+
￥0.5288
500+
￥0.4768
2500+
￥0.4353
5000+
￥0.4145

有货

立即购买

型号：NVGS5120PT1G 编号：C604548

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥0.8784 ￥4.88
10+
￥0.7884 ￥4.38
30+
￥0.738 ￥4.1
100+
￥0.6804 ￥3.78
500+
￥0.6552 ￥3.64
1000+
￥0.6444 ￥3.58

有货

立即购买

型号：UF4007 编号：C232764

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高浪涌电流能力。高可靠性。高电流能力。玻璃钝化结

数据手册

5+
￥0.9398
50+
￥0.7382
150+
￥0.6518
500+
￥0.544
2500+
￥0.4569

有货

立即购买

型号：1SMB5927BT3G 编号：C53171

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9522
50+
￥0.7472
150+
￥0.6594
500+
￥0.5498
2500+
￥0.4791
5000+
￥0.4498

有货

立即购买

型号：1SMB5920BT3G 编号：C50527

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9914
50+
￥0.8034
150+
￥0.7094
500+
￥0.6389
2500+
￥0.4851
5000+
￥0.4569

有货

立即购买

型号：1SMB5951BT3G 编号：C152508

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1055
50+
￥0.8618
150+
￥0.7573
500+
￥0.627
2500+
￥0.569
5000+
￥0.5342

有货

立即购买

型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1349
50+
￥0.8994
150+
￥0.7816
500+
￥0.6933
2500+
￥0.6118
5000+
￥0.5764

有货

立即购买

型号：MURA210T3G 编号：C146738

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1433
50+
￥0.9111
150+
￥0.8116
500+
￥0.6874
2500+
￥0.6322
5000+
￥0.599

有货

立即购买

型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥1.1959
50+
￥0.927
150+
￥0.8118
500+
￥0.668
2500+
￥0.604
5000+
￥0.5656

有货

立即购买

型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

数据手册

5+
￥1.229426 ￥1.3079
50+
￥0.964816 ￥1.0264
150+
￥0.851358 ￥0.9057
1000+
￥0.657436 ￥0.6994
2000+
￥0.594362 ￥0.6323
5000+
￥0.556574 ￥0.5921

有货

立即购买

型号：MC14011BDR2G 编号：C7278

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.2332
50+
￥0.9715
150+
￥0.8593
500+
￥0.7194
2500+
￥0.6571
5000+
￥0.6197

有货

立即购买

型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

5+
￥1.4263
50+
￥1.1084
150+
￥0.9722
500+
￥0.8022
2500+
￥0.7266
7500+
￥0.6811

有货

立即购买

型号：FDN359AN 编号：C236898

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.4629
50+
￥1.1605
150+
￥1.0309
500+
￥0.7731
3000+
￥0.7011
6000+
￥0.6579

有货

立即购买

型号：M74VHC1GT126DF2G 编号：C233496

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器，使用硅门极 CMOS 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值，输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压，使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑，或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器，且能在高电压电源下运行。MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥1.5056
50+
￥1.3166
150+
￥1.2356
500+
￥1.026
3000+
￥0.981
6000+
￥0.954

有货

立即购买

型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.517
50+
￥1.2001
150+
￥1.0643
500+
￥0.8948
3000+
￥0.7496
6000+
￥0.7044

有货

立即购买

型号：MC7812BDTRKG 编号：C126398

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

数据手册

5+
￥1.5783
50+
￥1.2266
150+
￥1.0758
500+
￥0.8877
2500+
￥0.804
5000+
￥0.7537

有货

立即购买

型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6719
50+
￥1.3298
150+
￥1.1832
1000+
￥0.8498
2000+
￥0.7683
5000+
￥0.7195

有货

立即购买

型号：LM311DR2G 编号：C231850

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

数据手册

5+
￥1.7549
50+
￥1.456
150+
￥1.3279
500+
￥1.1222
2500+
￥1.051
5000+
￥1.0083

有货

立即购买

型号：NCP1117ST50T3G 编号：C17314

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大压降为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳定。还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作，器件提供 SOT-223 和 DPAK 封装。

数据手册