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6位单向电平转换器

型号：MC14504BDTR2G 编号：C233582

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14504B 是一款使用 CMOS 工艺的六路非反相电平转换器。该电平转换器会针对 5 到 15 V 之间的任何 CMOS 电源电压，将 TTL 信号转换为 CMOS 逻辑电平。控制输入还允许从一个逻辑电平处的 CMOS 接口另一个逻辑电平的 CMOS：通过选择电源电平 VDD 和 VCC 将实现向上或向下电平转换。VCC 电平设置输入信号电平，而 VDD 选择输出电压水平。

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￥2.66
10+
￥2.06
30+
￥1.81
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￥1.49
500+
￥1.35
1000+
￥1.26

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥3.08
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￥2.45
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￥2.18
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￥1.85
500+
￥1.7
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￥1.61

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实现紧凑性和耐用性的功率因数校正控制器

型号：NCP1654BD65R2G 编号：C61746

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

实现紧凑性和耐用性的功率因数校正控制器，连续导通模式预转换器,NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

数据手册

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￥3.19
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￥2.55
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￥2.24
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￥1.96
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￥1.53
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￥1.48

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比较器，轨到轨、开漏和推挽输出

型号：NCS2200SQ2T2G 编号：C603838

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2200系列是低于1V的低功耗比较器产品系列。这些器件的电源电流仅为10μA。它们保证能在低至0.85V的电压下工作，这使其可用于需要低于1.0V电压的系统；并且在高达6.0V的电压下仍能完全正常工作，这使得它们便于在3.0V和5.0V系统中使用。其他特性包括：输入过驱动时无输出相位反转、内置迟滞功能（可实现干净的输出切换）以及轨到轨输入和输出性能。NCS2200系列提供互补推挽和开漏输出，并有多种封装可供选择。SOT - 23 - 5和SC70 - 5封装有两种行业标准引脚排列。NCS2200还提供微型DFN 2x2.2封装。NCS2200A和NCS2202A提供UDFN 1.2x1.0封装。

数据手册

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￥3.1976
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￥2.8158
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￥2.6521
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￥2.3455
600+
￥2.2546
1200+
￥2.2

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

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￥3.33
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￥2.68
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￥2.41
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￥2.06
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

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内置P沟道MOS场效应管的USB正过压保护控制器，具备过流保护功能

型号：NCP361SNT1G 编号：C233714

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

当在NCP361的输入端检测到VBUS工作条件异常时，它会断开其输出端的系统连接。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +20 V 的电压。由于集成了 PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的 PCB 面积

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￥3.5
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￥2.81
30+
￥2.47
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￥2.14
500+
￥1.85
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￥1.75

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512 Kb串行CMOS EEPROM

型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

数据手册

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￥3.61
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￥2.79
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￥2.44
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￥2.01
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￥1.81
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￥1.69

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCS20074DR2G 编号：C89844

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

数据手册

1+
￥3.68
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￥2.92
30+
￥2.54
100+
￥2.16
500+
￥1.94
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￥1.82

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：28A@8/20us

型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

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￥3.94
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￥3.29
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￥2.97
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￥2.65
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￥2.05
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￥1.95

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

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1+
￥3.99
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￥3.12
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￥2.69
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￥2.26
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￥2.01
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￥1.87

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低功耗，双SIM卡模拟开关

型号：FSA2567UMX 编号：C357761

封装：UFQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

数据手册

1+
￥5.44
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￥4.44
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￥3.94
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￥3.44
500+
￥2.83
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￥2.67

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具备浪涌电流限制功能、用于高效电源域切换的负载开关

型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

数据手册

1+
￥7.83
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￥6.48
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￥5.74
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￥4.9
500+
￥4.53
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￥4.37

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耐压:1.2kV 电流:15A 反向恢复时间：75ns 停产

型号：RHRP15120 编号：C11771

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP15120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥12.4
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￥10.78
50+
￥9.89
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￥8.89
500+
￥8.44
800+
￥8.24

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400V 21A

型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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1+
￥12.73
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￥10.83
30+
￥9.64
100+
￥8.43
500+
￥7.88
800+
￥7.64

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降压型 3A 4.5V~40V

型号：LM2596DSADJR4G 编号：C99046

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2596稳压器是一款单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。它能够驱动3.0 A的负载，具备出色的线性和负载调节能力。该器件有可调输出版本，并且内部经过补偿，可减少外部元件数量，从而简化电源设计

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1+
￥12.83
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￥10.76
30+
￥9.47
100+
￥8.14
500+
￥7.54
800+
￥7.28

有货

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1.2kV 64A

型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

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1+
￥87.36
10+
￥71.08
25+
￥64.59
100+
￥59.14

有货

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小信号二极管

型号：FDLL4148-D87Z 编号：C896730

封装：SOD-80

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

20+
￥0.177
200+
￥0.1421
600+
￥0.1227
2000+
￥0.1111
10000+
￥0.101

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.05uA

型号：BZX84C16LT1G 编号：C44457

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2136
200+
￥0.1679
600+
￥0.1425
3000+
￥0.1188
9000+
￥0.1055
21000+
￥0.0984

有货

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PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857ALT1G 编号：C163726

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2162
200+
￥0.1715
600+
￥0.1466
3000+
￥0.1276
9000+
￥0.1147
21000+
￥0.1077

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：MM3Z5V1T1G 编号：C75074

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2185
200+
￥0.173
600+
￥0.1478
3000+
￥0.1284

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:3uA@4.0V

型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2261
200+
￥0.1737
600+
￥0.1447
3000+
￥0.1272
9000+
￥0.1121
21000+
￥0.1039

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-16LT3G 编号：C232631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2319
200+
￥0.1793
600+
￥0.1501
2000+
￥0.1325
10000+
￥0.1173
20000+
￥0.1092

有货

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独立式耐压:30V 电流:0.1uA@23V

型号：MMSZ5256BT1G 编号：C235773

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2358
200+
￥0.1869
600+
￥0.1597
3000+
￥0.1342
9000+
￥0.12
21000+
￥0.1124

有货

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独立式耐压:10V 电流:3uA@8V

型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

数据手册

20+
￥0.2366
200+
￥0.1874
600+
￥0.1601
3000+
￥0.1438
9000+
￥0.1296
21000+
￥0.1219

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：MMSZ5V1T1G 编号：C132283

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

20+
￥0.2387
200+
￥0.1895
600+
￥0.1622
3000+
￥0.1375
9000+
￥0.1233
21000+
￥0.1157

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1V

型号：MMSZ3V3T1G 编号：C94381

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.2481
100+
￥0.1949
300+
￥0.1682
3000+
￥0.1424
6000+
￥0.1264
9000+
￥0.1185

有货

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NPN 电流:600mA 电压:30V

型号：MMBT2222LT1G 编号：C43496

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2506
100+
￥0.1987
300+
￥0.1728
3000+
￥0.1389
6000+
￥0.1234
9000+
￥0.1156

有货

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耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V

型号：1N5231B 编号：C895239

封装：DO-204

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.254
100+
￥0.2001
500+
￥0.1641
1000+
￥0.1439
5000+
￥0.1277

有货

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双NPN偏置电阻晶体管

型号：MUN5211DW1T1G 编号：C152507

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，减少了系统成本和电路板空间。

数据手册

10+
￥0.3336
100+
￥0.2688
300+
￥0.2364
3000+
￥0.1824
6000+
￥0.163
9000+
￥0.1532

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：MM3Z3V3ST1G 编号：C182011

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.3439
100+
￥0.2747
300+
￥0.2401
3000+
￥0.2142
6000+
￥0.1934
9000+
￥0.183

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

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