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NPN 电流:50mA 电压:30V
型号：MMBT5088LT1G 编号：C232555
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。 此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。
数据手册

  • 10+

    ￥0.4087

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    ￥0.3278

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    ￥0.2873

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    ￥0.2121
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:0.18A
    型号：NDS0605 编号：C124476
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
    数据手册

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      ￥0.5308

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      ￥0.3307

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      ￥0.2657
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    NPN 30V 1.2A
    型号：BCV27 编号：C258198
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件适用于集极电流达 1.0 A、需要极高电流增益的应用。源自 Process 05。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.553

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      ￥0.431

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    双路反相器
    型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6512

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      ￥0.4958

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      ￥0.14
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    电压:40V 电流:1A
    型号：MBRA140T3G 编号：C54798
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥0.7147

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      ￥0.5635

    • 150+

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    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002DW 编号：C232839
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。
    数据手册

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      ￥0.7333

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      ￥0.3296
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    独立式 耐压:6.8V 电流:5uA
    型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

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      ￥0.7606

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      ￥0.6077

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      ￥0.405
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    MMBFJ310LT1G
    型号：MMBFJ310LT1G 编号：C33416
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
    数据手册

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      ￥0.4042
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    单电源3.0 V至44 V低功耗运算放大器
    型号：MC33172DR2G 编号：C59632
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    双路 高压运放、低功耗运放；2.1 V/μs；带宽>=1.8MHz;偏置电流：20nA；失调电压：2mV 电流：220μA；电源：3V~44V，±1.5V-±22V；-40°C-85°C SOIC8
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8799

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.1A
    型号：NTR4170NT1G 编号：C236116
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

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      ￥0.8952

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      ￥0.7128

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      ￥0.4712
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    独立式 耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V
    型号：1SMA5928BT3G 编号：C235763
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

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      ￥0.9101

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      ￥0.7055

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      ￥0.4304
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    250V 200mA
    型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9108

    • 50+

      ￥0.7572

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      ￥0.6804

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      ￥0.6228

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      ￥0.5206
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    1kV 1A
    型号：S1MFL 编号：C604670
    封装：SOD-123F
    品牌：onsemi(安森美)
    表面通用整流器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.92

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      ￥0.7357

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      ￥0.6436

    • 500+

      ￥0.5745

    • 3000+

      ￥0.4844

    • 6000+

      ￥0.4568
  • 有货
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    独立式 耐压:15V 电流:0.5uA@11.4V
    型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9627

    • 50+

      ￥0.7705

    • 150+

      ￥0.6744

    • 500+

      ￥0.6023

    • 2500+

      ￥0.4573

    • 5000+

      ￥0.4285
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：NTR4171PT1G 编号：C146715
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9741

    • 50+

      ￥0.7724

    • 150+

      ￥0.6716

    • 500+

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      ￥0.5355

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      ￥0.5052
  • 有货
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    低失调电压双比较器
    型号：LM2903DMR2G 编号：C138472
    封装：MSOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.8842

    • 150+

      ￥0.8249

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      ￥0.7509

    • 2500+

      ￥0.5702

    • 4000+

      ￥0.5504
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2V
    型号：1SMB5918BT3G 编号：C142361
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.029

    • 50+

      ￥0.8199

    • 150+

      ￥0.7154

    • 500+

      ￥0.5602

    • 2500+

      ￥0.4975

    • 5000+

      ￥0.4661
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    电压:100V 电流:2A
    型号：MBR2H100SFT3G 编号：C96515
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0502

    • 50+

      ￥0.8223

    • 150+

      ￥0.7247

    • 500+

      ￥0.6029

    • 2500+

      ￥0.5261

    • 5000+

      ￥0.4935
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5927BT3G 编号：C33754
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0888

    • 50+

      ￥0.8882

    • 150+

      ￥0.7879

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      ￥0.7126

    • 2500+

      ￥0.4816

    • 5000+

      ￥0.4515
  • 有货
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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：SMF05CT1G 编号：C15879
    封装：SC-88
    品牌：onsemi(安森美)
    VBR=6.2V， Vc=9.8V， Ipp=8A ，Cd=80pF
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1142

    • 50+

      ￥0.8634

    • 150+

      ￥0.741

    • 500+

      ￥0.6318
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    5V 500mA 35V
    型号：MC78M05BDTRKG 编号：C94612
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1385

    • 50+

      ￥0.9266

    • 150+

      ￥0.8357

    • 500+

      ￥0.5307

    • 2500+

      ￥0.4802

    • 5000+

      ￥0.45
  • 有货
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    独立式 耐压:33V 电流:0.5uA@25.1V
    型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2047

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      ￥0.9661

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      ￥0.573
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    12V 500mA 27V
    型号：MC78M12BDTRKG 编号：C110905
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
    数据手册

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      ￥1.2198

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      ￥0.9437

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      ￥0.612

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      ￥0.5725
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
    型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
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    10MHz 12位二进制计数器
    型号：MC14040BDR2G 编号：C62403
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14040B 12 级二进制计数器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。该部件设计有输入波形整形电路和 12 级行波进位二进制计数器。器件在时钟脉冲的下降沿进行计数
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    MC14051B 8通道模拟多路复用器/多路分路器
    型号：MC14051BDR2G 编号：C7284
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。
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    200V 4A
    型号：MURS320T3G 编号：C54101
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    单电源四路比较器
    型号：LM2901DR2G 编号：C63822
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。
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    耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：75ns
    型号：US1MFA 编号：C894760
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌容量。UL可燃性94V-0分类。符合J-STD-020的MSL 1。适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NRV前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
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    7.6V~30V
    型号：UC3843BVD1R2G 编号：C231572
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。
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