ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLV431ASN1T1G 编号：C127592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

数据手册

5+
￥1.2113
50+
￥1.0016
150+
￥0.9117
500+
￥0.7996
3000+
￥0.7497
6000+
￥0.7197

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

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5+
￥1.3407
50+
￥1.1725
150+
￥1.1005
500+
￥0.9448
2500+
￥0.9048
5000+
￥0.8808

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型号：NCV1117ST33T3G 编号：C114733

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

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5+
￥1.4517
50+
￥1.1487
150+
￥1.0189
500+
￥0.7585
2500+
￥0.6864
4000+
￥0.6431

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型号：MC14013BDTR2G 编号：C233444

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据（D）、直接置位（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入，以及互补输出（Q和Q̅）。这些器件可用作移位寄存器元件，或作为T型触发器用于计数器和触发应用

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5+
￥1.4679
50+
￥1.1398
150+
￥0.9992
500+
￥0.8238
2500+
￥0.7457
5000+
￥0.6988

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型号：NC7SZ74K8X 编号：C128370

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于 TinyLogic 超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5.5V 这一极宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻抗状态

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5+
￥1.4922
50+
￥1.1929
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￥1.0646
500+
￥0.9045
3000+
￥0.7372

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型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥1.6189
50+
￥1.2714
150+
￥1.1225
500+
￥0.9366
3000+
￥0.7874
6000+
￥0.7378

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型号：MC33079DR2G 编号：C9376

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料 DIP 和 SOIC 封装（后缀为 P 和 D）。

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5+
￥2.5445
50+
￥1.984
150+
￥1.7439
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￥1.3922
2500+
￥1.2588
5000+
￥1.1787

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型号：ULN2003ADR2G 编号：C96639

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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1+
￥2.78
10+
￥2.23
30+
￥1.99
100+
￥1.7
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

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型号：NCP1252EDR2G 编号：C904430

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

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1+
￥2.81
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.69
500+
￥1.56
1000+
￥1.48

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型号：NCP1654BD200R2G 编号：C603659

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

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1+
￥2.9498 ￥3.43
10+
￥2.6574 ￥3.09
30+
￥2.5112 ￥2.92
100+
￥2.365 ￥2.75
500+
￥1.5566 ￥1.81
1000+
￥1.505 ￥1.75

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型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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1+
￥4.19
10+
￥3.3
30+
￥2.91
100+
￥2.43
500+
￥2.22
1000+
￥2.09

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

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型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

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1+
￥5.41
10+
￥4.43
30+
￥3.95
100+
￥3.22
500+
￥2.93
1500+
￥2.78

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型号：NCP3063BDR2G 编号：C41034

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3063是一款专为直流 - 直流转换器应用优化的单片式功率开关稳压器。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部组件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备

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1+
￥5.8
10+
￥4.61
30+
￥4.01
100+
￥3.42
500+
￥3.07
1000+
￥2.89

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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥6.28
10+
￥5.05
30+
￥4.44
100+
￥3.34
500+
￥2.97
1000+
￥2.78

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型号：NCP1397BDR2G 编号：C362061

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

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1+
￥6.46
10+
￥5.32
30+
￥4.75
100+
￥3.32
500+
￥2.98
1000+
￥2.8

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型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥6.54
10+
￥5.35
30+
￥4.7
100+
￥3.97
500+
￥3.64
1000+
￥3.49

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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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1+
￥6.85
10+
￥5.59
30+
￥4.96
100+
￥4.33
500+
￥3.3
1000+
￥3.11

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥7.09
10+
￥5.7
30+
￥5
100+
￥4.31
500+
￥3.66
1000+
￥3.45

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型号：MC12080DR2G 编号：C903920

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模，用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF，如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频，则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。

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1+
￥31.12
10+
￥26.98
30+
￥23.65
100+
￥21.17

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型号：NCN5130MNTWG 编号：C513000

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCN5130 是一款收发器集成电路，适用于 KNX 双绞线网络 (KNX TP1?256)。NCN5130 同时嵌入了 PHY 和 MAC 层，用于处理总线上的发射和接收。它会从未调节的总线电压产生稳定的电压，用于自身电源需求以及为外部器件供电。NCN5130 确保了与总线的安全耦合和去耦合。通过模拟引脚可提供各种监控指标（总线电压、电流、温度...）。

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