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首页 > 热门关键词 > ON驱动芯片
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1个P沟道 耐压:150V 电流:22A
型号：FDMS86263P 编号：C455156
封装：PQFN-8(5x6)
品牌：onsemi(安森美)
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
数据手册

  • 1+

    ￥6.37

  • 10+

    ￥5.29

  • 30+

    ￥4.76

  • 100+

    ￥4.18

  • 500+

    ￥3.86

  • 1000+

    ￥3.69
  • 有货
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    独立式 耐压:39V 电流:0.05uA
    型号：BZX84C39LT1G 编号：C165614
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1042

    • 200+

      ￥0.0906

    • 600+

      ￥0.0831

    • 3000+

      ￥0.0694

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      ￥0.0655

    • 21000+

      ￥0.0634
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    PNP 电流:500mA 电压:150V
    型号：MMBT5401LT3G 编号：C512989
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1944

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1289

    • 2000+

      ￥0.1149

    • 10000+

      ￥0.1015

    • 20000+

      ￥0.0949
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：BZX84C4V7LT1G 编号：C82472
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2291

    • 200+

      ￥0.1758

    • 600+

      ￥0.1462

    • 3000+

      ￥0.1284

    • 9000+

      ￥0.113

    • 21000+

      ￥0.1047
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    200V 200mA
    型号：BAS20HT1G 编号：C152543
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.237

    • 200+

      ￥0.1896

    • 600+

      ￥0.1632

    • 3000+

      ￥0.1152

    • 9000+

      ￥0.1015

    • 21000+

      ￥0.0941
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    独立式 耐压:5.6V 电流:5uA@3V
    型号：MMSZ5232BT1G 编号：C72743
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2454

    • 200+

      ￥0.1937

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      ￥0.1649

    • 3000+

      ￥0.1418

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      ￥0.1269

    • 21000+

      ￥0.1188
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
    型号：MMSZ3V3T1G 编号：C94381
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2459

    • 100+

      ￥0.1936

    • 300+

      ￥0.1674

    • 3000+

      ￥0.1421

    • 6000+

      ￥0.1264

    • 9000+

      ￥0.1185
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：MMSZ5V1T1G 编号：C132283
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2498

    • 200+

      ￥0.2007

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      ￥0.1487

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      ￥0.1345

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      ￥0.1269
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    独立式 耐压:5.6V 电流:1uA@2V
    型号：BZX84C5V6LT1G 编号：C82471
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

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      ￥0.269

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2V7002KT1G 编号：C415857
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：ESD 保护。 低 RDS(on)。 表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。 电平转换电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3728

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      ￥0.3016

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      ￥0.1849
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5211DW1T1G 编号：C152507
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.378

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      ￥0.1737
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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857CLT1G 编号：C152474
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3845

    • 100+

      ￥0.3054

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      ￥0.2658

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      ￥0.2125

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      ￥0.2006
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    电压:20V 电流:500mA
    型号：MBR0520LT1G 编号：C23848
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.374

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      ￥0.21
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    单向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：12A@8/20us
    型号：SM12T1G 编号：C92455
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5609

    • 50+

      ￥0.441

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      ￥0.3001

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      ￥0.2821
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    NL17SZ08: Single 2-Input AND Gate
    型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5756

    • 50+

      ￥0.4662

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      ￥0.3705

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      ￥0.3081

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      ￥0.2917
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    400V 1A
    型号：MRA4004T3G 编号：C40324
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5767

    • 50+

      ￥0.4495

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    • 5000+

      ￥0.281
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    双路反相器
    型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6512

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      ￥0.4958

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      ￥0.418

    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.1634

    • 6000+

      ￥0.14
  • 有货
    • 立即购买
    250V 200mA
    型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7991

    • 50+

      ￥0.6701

    • 150+

      ￥0.6056

    • 500+

      ￥0.5573

    • 3000+

      ￥0.4715

    • 6000+

      ￥0.4521
  • 有货
    • 立即购买
    1V@1uA
    型号：MMBFJ112 编号：C258195
    封装：SOT-23-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9067

    • 50+

      ￥0.7439

    • 150+

      ￥0.6625

    • 500+

      ￥0.6015

    • 3000+

      ￥0.4645

    • 6000+

      ￥0.44
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:100uA
    型号：1SMB5913BT3G 编号：C53169
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9829

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      ￥0.8054

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      ￥0.5968
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    电压:40V 电流:1A
    型号：MBR140SFT1G 编号：C43381
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.156

    • 50+

      ￥0.9001

    • 150+

      ￥0.7905

    • 500+

      ￥0.6407

    • 3000+

      ￥0.5798

    • 6000+

      ￥0.5432
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    5V 500mA 20V
    型号：MC78M05CDTRKG 编号：C20719
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2472

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      ￥0.9922

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      ￥0.7465

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      ￥0.6858

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      ￥0.6493
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 功率负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3086

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      ￥1.1405

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      ￥1.0685

    • 500+

      ￥0.9128

    • 2500+

      ￥0.8727

    • 5000+

      ￥0.8487
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    低噪声音频双运算放大器
    型号：LM833DR2G 编号：C7969
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM833是一款标准的低成本单片双路通用运算放大器，采用双极技术，并融入了适用于音频系统应用的创新高性能理念。借助高频PNP晶体管，LM833具备低电压噪声（4.5 nV/√Hz）、15 MHz的增益带宽积、7.0 V/μs的压摆率、0.3 mV的输入失调电压以及2.0 μV/℃的输入失调电压温度系数。LM833的输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/灌交流频率响应。
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    电压:60V 电流:3A
    型号：MBRS360T3G 编号：C24449
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。
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    4.2V~28V 串联 220uA 18ppm/℃
    型号：NCP51460SN33T1G 编号：C233715
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    精确电压参考，20 mA，低 Iq，高 PSRR，低噪声
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    电压:60V 电流:3A
    型号：MBRS360BT3G 编号：C59027
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：FDN304P 编号：C241803
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
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    200V 4A
    型号：MURS320T3G 编号：C54101
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    MC14051B 8通道模拟多路复用器/多路分路器
    型号：MC14051BDR2G 编号：C7284
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。
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