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首页 > 热门关键词 > ON驱动芯片
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4引脚微处理器电源监控器，带手动复位功能
型号：CAT811TTBI-GT3 编号：C73274
封装：SOT-143
品牌：onsemi(安森美)
CAT811是一款用于监控电源的微处理器监控电路。在工业温度范围内工作的应用中，具备手动复位输入功能。 这些器件会生成一个复位信号，当电源电压低于预设阈值电平时，该信号有效，并在电源电平升至该阈值以上后至少保持140 ms。采用的基础浮栅技术——模拟EEPROM，使得提供任何定制复位阈值成为可能。提供七种行业标准阈值电平，以支持+5.0 V、+3.3 V、+3.0 V和+2.5 V系统。CAT811具有RESET推挽输出（低电平有效）。 电源上的快速瞬变会被忽略，并且保证在低至1.0 V的Vcc电平下，输出处于正确状态。 CAT811在工业温度范围（-40°C至85°C）内进行了全面规格定义，采用紧凑的4引脚SOT - 143封装。
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:17A 32A
    型号：FDPC5018SG 编号：C464164
    封装：PQFN-8-EP(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
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      ￥7.23

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    100V 200mA
    型号：MMBD7000LT1G 编号：C31774
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
    数据手册

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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846ALT1G 编号：C163723
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。 人体模型：>4000V。 机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准
    数据手册

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    数字晶体管（BRT），带单片偏置电阻网络的PNP晶体管
    型号：MMUN2111LT1G 编号：C97123
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
    数据手册

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      ￥0.1715

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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54HT1G 编号：C21107
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

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      ￥0.1763

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    独立式 耐压:12V 电流:1uA@9.1V
    型号：MMSZ5242BT1G 编号：C82050
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.1827

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：BZX84C5V1LT1G 编号：C47075
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
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    ESD 2.5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：ESD5Z2.5T1G 编号：C890620
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD5Z 系列适用于针对 ESD 和瞬态电压事件为电压敏感部件提供保护。卓越的箝位功能、低泄漏和快速响应时间使得这些零件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。因为其尺寸较小，适合用于蜂窝电话、移动设备、数码相机、电源和其他多种移动应用。
    数据手册

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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
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    独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1V
    型号：MMBZ5226BLT1G 编号：C94380
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA
    型号：NTA7002NT1G 编号：C145524
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75
    数据手册

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      ￥0.257

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      ￥0.2066

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    独立式 耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V
    型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3145

    • 200+

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      ￥0.1283
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5211DW1T1G 编号：C152507
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3336

    • 100+

      ￥0.2688

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      ￥0.163

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  • 有货
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    耐压:13V 电流:50uA
    型号：MMSZ4700T1G 编号：C236099
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3387

    • 100+

      ￥0.2746

    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.1904

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      ￥0.1711

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      ￥0.1615
  • 有货
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    独立式 耐压:6.8V 电流:3uA@5V
    型号：MMSZ5235BT1G 编号：C66199
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3436

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    • 9000+

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    电压:20V 电流:500mA
    型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106
    封装：SOD-923
    品牌：onsemi(安森美)
    肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3869

    • 100+

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      ￥0.2058
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
    型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4809

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    通用整流器
    型号：S1G 编号：C124480
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    1.0A通用整流器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5449

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      ￥0.2622
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：ESD9L3.3ST5G 编号：C233387
    封装：SOD-923
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD9L系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为在电路板空间有限的设计中进行ESD保护的理想选择。由于其电容低，适用于USB 2.0高速和天线线路应用等高频率设计。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.676

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      ￥0.4154

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      ￥0.3314

    • 5000+

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    300V 1A
    型号：MRA4003T3G 编号：C94410
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6874

    • 50+

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    独立式 耐压:5.6V 电流:2.5uA@3.0V
    型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

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      ￥0.7741

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      ￥0.4798

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      ￥0.3836

    • 5000+

      ￥0.3601
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    电压:30V 电流:2A
    型号：MBR230LSFT1G 编号：C126673
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。
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    N 沟道开关 耐压:35V 电流:2mA
    型号：MMBFJ113 编号：C891686
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
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    MMBFJ309LT1G
    型号：MMBFJ309LT1G 编号：C58012
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。
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    恒流调节器与LED驱动器，45V，25mA，460mW封装
    型号：NSI45025AT1G 编号：C146752
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    线性恒流调节器（CCR）是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案（类似于恒流二极管，CCD）。CCR基于自偏置晶体管（SBT）技术，可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护LED在极端电压和电流下免受热失控影响。CCR可立即开启，仅需0.5V的Vak即可达到25%的调节率。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage应用中常见的浪涌。CCR采用热性能良好的封装，并通过了UL94-V0认证。
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    耐压:100V 电流:2A 反向恢复时间：30ns
    型号：MURA110T3G 编号：C23915
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。
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    300mV@10nA
    型号：MMBFJ201 编号：C891687
    封装：SOT-23-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
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    1.24V~16V 并联 150nA
    型号：TLV431BSN1T1G 编号：C91075
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低压精确可调分路稳压器
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    电压:60V 电流:2A
    型号：SS26T3G 编号：C47071
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
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