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价格(含税)

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双向ESD 5.3V截止峰值脉冲电流：3A@8/20us

型号：ESD8472MUT5G 编号：C133346

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.5678
50+
￥0.4498
150+
￥0.3908
500+
￥0.3466
2500+
￥0.2832
5000+
￥0.2655

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBRA140T3G 编号：C54798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7147
50+
￥0.5635
150+
￥0.4879
500+
￥0.4114
2500+
￥0.3661
5000+
￥0.3434

有货

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恒流调节器和LED驱动器

型号：NSI45030AT1G 编号：C150066

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

线性恒流调节器 (CCR) 是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节 LED 中的电流提供经济高效的解决方案。CCR 基于自偏置晶体管 (SBT) 技术，可在很宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护 LED 在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR 立即开启，仅需 0.5V Vak 即可达到调节值的 25%。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage 应用中常见的浪涌。CCR 采用热性能良好的封装，符合 AEC-Q101 标准，并获得 UL94-V0 认证。

数据手册

5+
￥0.7452
50+
￥0.5877
150+
￥0.5089
500+
￥0.4498
3000+
￥0.3749
6000+
￥0.3512

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBRS140T3G 编号：C133091

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8235
50+
￥0.6579
150+
￥0.5191
500+
￥0.457
2500+
￥0.4074
5000+
￥0.3825

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.5uA@13.7V

型号：1SMA5931BT3G 编号：C94872

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8642
50+
￥0.6874
150+
￥0.599
500+
￥0.5327
2500+
￥0.4796
5000+
￥0.4531

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.25A

型号：FDN5618P 编号：C400792

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8872
50+
￥0.7048
150+
￥0.6136
500+
￥0.5452
3000+
￥0.4905
6000+
￥0.4631

有货

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500mV@10nA

型号：MMBF4393LT1G 编号：C152291

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

数据手册

5+
￥0.9048
50+
￥0.7269
150+
￥0.6379
500+
￥0.5712
3000+
￥0.4234
6000+
￥0.3967

有货

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独立式耐压:15V 电流:1uA@11.4V

型号：1SMB5929BT3G 编号：C55497

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0677
50+
￥0.8617
150+
￥0.7734
500+
￥0.6633
2500+
￥0.5569
5000+
￥0.5274

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BS170 编号：C111691

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

数据手册

5+
￥1.096
50+
￥0.8541
150+
￥0.7504
1000+
￥0.621
2000+
￥0.5634
5000+
￥0.5289

有货

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5V 500mA 35V

型号：MC78M05BDTRKG 编号：C94612

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.1095
50+
￥0.903
150+
￥0.8145
500+
￥0.5172
2500+
￥0.468
5000+
￥0.4385

有货

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耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：15ns

型号：ES1B 编号：C232818

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高。应用：本产品为通用产品，适用于多种不同应用

数据手册

5+
￥1.1286
50+
￥0.9069
150+
￥0.8118
500+
￥0.6932
2500+
￥0.571
7500+
￥0.5393

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:5uA@3V

型号：1SMB5919BT3G 编号：C70260

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1907
50+
￥0.9391
150+
￥0.8312
500+
￥0.6301
2500+
￥0.5702
5000+
￥0.5342

有货

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电压:40V 电流:3A

型号：MBRS340T3G 编号：C40326

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.2309
50+
￥0.9689
150+
￥0.7964
500+
￥0.6563
2500+
￥0.5939
5000+
￥0.5564

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:2.5uA@3.0V

型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.233
50+
￥0.9846
150+
￥0.8604
500+
￥0.7672
2500+
￥0.6151
5000+
￥0.5778

有货

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500mV@1nA

型号：MMBFJ270 编号：C160435

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

JFET，P沟道,30V,50mA

数据手册

5+
￥1.4019
50+
￥1.1096
150+
￥0.9843
500+
￥0.828
3000+
￥0.6566
6000+
￥0.6149

有货

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单电源双运算放大器

型号：LM358DMR2G 编号：C67504

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

这些双运算放大器采用了为四运算放大器优化的电路设计，具有低功耗、共模输入电压范围扩展至地/VEE 以及单电源或双电源供电的特点。LM358 系列相当于半个 LM324。在单电源应用中，相较于标准运算放大器类型，这些放大器具有多个显著优势

数据手册

5+
￥1.4681
50+
￥1.1602
150+
￥1.0282
500+
￥0.8635
2500+
￥0.7161
4000+
￥0.6721

有货

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低失调电压双比较器

型号：LM2903DMR2G 编号：C138472

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

数据手册

5+
￥1.5288
50+
￥1.1851
150+
￥1.0377
500+
￥0.8539
2500+
￥0.619
4000+
￥0.5699

有货

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ESD 3.3V截止

型号：ESD9R3.3ST5G 编号：C233388

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到集成电路（IC）的安全电压水平。这些器件还具有高速数据线低电容和小封装尺寸的优势，适用于空间受限的设计。

数据手册

5+
￥1.757
50+
￥1.4193
150+
￥1.2746
500+
￥0.8791
2500+
￥0.7987
5000+
￥0.7504

有货

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1-Kb至16-Kb I2C CMOS串行EEPROM

型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.9458
50+
￥1.5189
150+
￥1.336
500+
￥1.1077
3000+
￥0.9589
6000+
￥0.8979

有货

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低电源电流 3 引脚微处理器复位监控器

型号：MAX809STRG 编号：C9965

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

复位监控IC，监控阀值电压=2.93V

数据手册

5+
￥1.9816
50+
￥1.6187
150+
￥1.4632
500+
￥1.2692
3000+
￥0.8223
6000+
￥0.7704

有货

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7.6V~30V 1A

型号：UC3845BD1R2G 编号：C98715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥2.0003
50+
￥1.5374
150+
￥1.339
500+
￥1.0867
2500+
￥0.9765
5000+
￥0.9103

有货

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16MHz 10位十进制计数器

型号：MC14017BDR2G 编号：C512979

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14017B 是一款内置代码转换器的五级约翰逊十进制计数器。采用约翰逊十进制计数器设计可实现高速运行和无尖峰输出。十个解码输出通常为低电平，仅在其对应的十进制时间段变为高电平

数据手册

5+
￥2.0124
50+
￥1.6445
150+
￥1.4869
500+
￥1.2902
2500+
￥1.2026
5000+
￥1.15

有货

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5V 500mA 25V

型号：MC79M05BDTRKG 编号：C126401

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥2.1065
50+
￥1.7178
150+
￥1.2428
500+
￥1.035
2500+
￥0.9424
5000+
￥0.8869

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3023M 编号：C5240

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

5+
￥2.3893
50+
￥1.7342
150+
￥1.532
500+
￥1.2798
2000+
￥1.1675
5000+
￥1.1

有货

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128 kb I2C CMOS串行EEPROM

型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.18

有货

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低电压、轨到轨运算放大器

型号：MC33204DR2G 编号：C146793

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.06
30+
￥1.83
100+
￥1.54
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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高压大电流达林顿晶体管阵列

型号：MC1413BDR2G 编号：C7289

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电压、大电流达林顿晶体管阵列

数据手册

5+
￥2.6174
50+
￥2.0963
150+
￥1.873
500+
￥1.3151
2500+
￥1.1911
5000+
￥1.1166

有货

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具备ESD保护功能的USB上游端接器

型号：NUF2042XV6T1G 编号：C90707

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这些器件专为需要线路端接、电磁干扰（EMI）滤波和静电放电（ESD）保护的应用而设计。它们适用于上行 USB 端口、手机、无线设备和计算机应用

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.94
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.51
100+
￥1.75
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3083SR2M 编号：C111561

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.14
30+
￥3.64
100+
￥3.14
500+
￥2.77
1000+
￥2.61

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

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最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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