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符合条件商品：共44408件

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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

10V~30V

型号：UC2842BD1R2G 编号：C7112

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有经过微调的振荡器，可实现精确的占空比控制、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，如带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出死区时间，以及用于单脉冲计量的锁存器。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX842B的欠压锁定（UVLO）阈值为16 V（开启）和10 V（关闭），非常适合离线转换器。UCX843B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5 V（开启）和7.6 V（关闭）。

数据手册

5+
￥2.0411
50+
￥1.6127
150+
￥1.4291
500+
￥1.0973
2500+
￥0.9953
5000+
￥0.9341

有货

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PNP 电流:100mA 电压:65V

型号：BC856BLT1G 编号：C165609

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.2519
100+
￥0.2
300+
￥0.1741
3000+
￥0.1401
6000+
￥0.1246
9000+
￥0.1168

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.1uA@12V

型号：MMSZ5246BT1G 编号：C52809

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2536
200+
￥0.1996
600+
￥0.1696
3000+
￥0.1301
9000+
￥0.1145
21000+
￥0.106

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2.0V

型号：MM5Z5V1T1G 编号：C146754

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.2619
100+
￥0.2025
300+
￥0.1695
1500+
￥0.1497
4500+
￥0.1325
10500+
￥0.1233

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA

型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3102
100+
￥0.2472
300+
￥0.2157
3000+
￥0.1728
6000+
￥0.1539
9000+
￥0.1444

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：MM5Z3V3T1G 编号：C891656

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.3151
100+
￥0.2511
300+
￥0.2192
3000+
￥0.1952
6000+
￥0.176
9000+
￥0.1664

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBRS140T3G 编号：C133091

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.9006
50+
￥0.7195
150+
￥0.5678
500+
￥0.4998
2500+
￥0.4455
5000+
￥0.4183

有货

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独立式耐压:7.5V 电流:2.5uA

型号：1SMA5922BT3G 编号：C47074

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.91
50+
￥0.7215
150+
￥0.6273
500+
￥0.5566
2500+
￥0.4623
5000+
￥0.4341

有货

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5V 100mA 20V

型号：MC79L05ACPG 编号：C233232

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

负电压调节器价格便宜、易于使用，适用于众多需要高达100mA电流的应用。该系列具有热关断和电流限制功能，非常耐用。在大多数应用中，操作无需外部组件。该器件适用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。这些调节器比普通的电阻/齐纳二极管方法具有显著优势。

数据手册

5+
￥0.926559 ￥0.9963
50+
￥0.733212 ￥0.7884
150+
￥0.650349 ￥0.6993
500+
￥0.546933 ￥0.5881
2000+
￥0.424545 ￥0.4565
4000+
￥0.396924 ￥0.4268

有货

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耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：MURS220T3G 编号：C56421

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0173
50+
￥0.8029
150+
￥0.711
500+
￥0.5964
2500+
￥0.5454
5000+
￥0.5147

有货

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独立式耐压:10V 电流:0.5uA

型号：1SMA5925BT3G 编号：C50840

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.2154
50+
￥0.9876
150+
￥0.89
500+
￥0.7682
2500+
￥0.5795
5000+
￥0.5469

有货

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电压:100V 电流:1A

型号：MBRS1100T3G 编号：C82068

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.2373
50+
￥0.9801
150+
￥0.8698
500+
￥0.6795
2500+
￥0.6183
5000+
￥0.5815

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4981
50+
￥1.2099
150+
￥1.0863
500+
￥0.9322
3000+
￥0.7848
6000+
￥0.7436

有货

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六路反相器

型号：MC14049BDR2G 编号：C7574

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换

数据手册

5+
￥1.5241
50+
￥1.1971
150+
￥1.0569
500+
￥0.8212
2500+
￥0.7433
5000+
￥0.6966

有货

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补充型输出 8位并行或串行至串行移位寄存器

型号：MC74HC165ADR2G 编号：C7334

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该器件引脚排列与 LS165 相同，输入与标准 CMOS 输出兼容，通过上拉电阻可与 LSTTL 输出兼容。它是一个 8 位移位寄存器，末级具有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据异步并行加载；当串行移位/并行加载输入为高电平时，数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2 输入或非时钟可以通过组合两个独立的时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。

数据手册

5+
￥1.6371
50+
￥1.2894
150+
￥1.1403
500+
￥0.9544
2500+
￥0.788
5000+
￥0.7383

有货

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3.3V 1A 20V

型号：NCP1117DT33RKG 编号：C88234

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。

数据手册

5+
￥1.6801
50+
￥1.3389
150+
￥1.1927
500+
￥1.01
2500+
￥0.9287
5000+
￥0.88

有货

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500mV@1nA

型号：MMBFJ270 编号：C160435

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

JFET，P沟道,30V,50mA

数据手册

5+
￥1.8585
50+
￥1.471
150+
￥1.3049
500+
￥1.0977
3000+
￥0.8705
6000+
￥0.8151

有货

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六路反相器

型号：MC14049UBDR2G 编号：C233449

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049UB 六路逆变器缓冲器采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。此互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。此器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。该输入信号高电平 VIH 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL 0.4 V IOL 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL DTL 负载。请注意，此器件内部未联接引脚 13 和 16 因此，与这些端子联接不会影响电路运行。

数据手册

5+
￥1.9542
50+
￥1.5542
150+
￥1.3828
500+
￥0.9937
2500+
￥0.8984
5000+
￥0.8413

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:8.8A

型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.0373
50+
￥1.6785
150+
￥1.5247
500+
￥1.3329
2500+
￥1.2474
5000+
￥1.1962

有货

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1.25V~18.8V 1A 20V

型号：NCP1117STAT3G 编号：C20546

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低压正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压降为1.2V。该系列包含1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V八种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调节到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件采用SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥2.0482
50+
￥1.6474
150+
￥1.4756
500+
￥0.9958
2500+
￥0.9003
4000+
￥0.8431

有货

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单电源3.0 V至44 V运算放大器

型号：MC33074ADR2G 编号：C365729

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

1+
￥2.22
10+
￥1.96
30+
￥1.85
100+
￥1.44
500+
￥1.37
1000+
￥1.33

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.2273
50+
￥1.7347
150+
￥1.5235
500+
￥1.2601
3000+
￥1.1428
6000+
￥1.0724

有货

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耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：100ns

型号：MUR1100ERLG 编号：C35292

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥2.2539
50+
￥1.7516
150+
￥1.5164
500+
￥1.2478
2500+
￥1.1282
5000+
￥1.0564

有货

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16 Kb微导线串行EEPROM

型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

数据手册

5+
￥2.3997
50+
￥1.9315
150+
￥1.7308
500+
￥1.3862
3000+
￥1.2747
6000+
￥1.2078

有货

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2/4/8/16 Kb I2C串行EEPROM

型号：CAT24C08HU4I-GT3 编号：C233769

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.91
30+
￥1.68
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.18

有货

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9V~28V

型号：NCP1252ADR2G 编号：C80800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

数据手册

1+
￥2.51
10+
￥1.98
30+
￥1.76
100+
￥1.48
500+
￥1.35
1000+
￥1.11

有货

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PNP 100V 8A

型号：MJD127T4G 编号：C111639

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.3
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.59
1000+
￥1.51

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.6A

型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.48
30+
￥2.19
100+
￥1.82
500+
￥1.56
1000+
￥1.46

有货

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10V~20V

型号：NCP1271D65R2G 编号：C110551

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1271代表了新一代固定频率PWM电流模式反激式控制器。该器件具备集成高压启动功能和出色的待机性能。专有的软跳周期模式可实现极低的待机功耗，同时将电源的声学噪声降至最低。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.74
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

立即购买

600V 9.5V~20V

型号：NCP1397ADR2G 编号：C50420

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

数据手册

1+
￥5.86
10+
￥4.78
30+
￥4.24
100+
￥3.7
500+
￥2.82
1000+
￥2.66

有货

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