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CAT24C04WI-GT3
型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。
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  • 5+

    ￥1.895

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    ￥1.4681

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    低电源电流 3 引脚微处理器复位监控器
    型号：MAX809STRG 编号：C9965
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    复位监控IC，监控阀值电压=2.93V
    数据手册

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    耐压:600V 电流:4A 反向恢复时间：75ns
    型号：MURS360T3G 编号：C49304
    封装：SMC
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器采用先进的带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥2.1284

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    5V 500mA 25V
    型号：MC79M05BDTRKG 编号：C126401
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。
    数据手册

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      ￥2.1941

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    NPN 电流:3A 电压:100V
    型号：MJD31CT4G 编号：C57942
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。
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      ￥2.4267

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    低噪声双/四运算放大器
    型号：MC33079DR2G 编号：C9376
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料 DIP 和 SOIC 封装（后缀为 P 和 D）。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.5445

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    低功耗，双端口，高速USB2.0 (480Mbps) UART开关
    型号：FSUSB42UMX 编号：C11145
    封装：UFQFN-10(1.4x1.8)
    品牌：onsemi(安森美)
    FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关(DPDT)，优化用于切换任何组合的高速(480 Mbps)或全速(12 Mbps)源。
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      ￥2.68

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      ￥2.1

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    低电压、轨到轨运算放大器
    型号：MC33204DR2G 编号：C146793
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围
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      ￥2.91

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
    型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661
    封装：DFN5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道
    数据手册

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      ￥3.27

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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3083M 编号：C23552
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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    • 1+

      ￥5.01

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    200V 200mA
    型号：BAS20LT1G 编号：C232529
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此双二极管器件包含两个电气隔离的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。
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    • 20+

      ￥0.1407

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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54T1G 编号：C152458
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    此类肖特基势垒二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1497

    • 200+

      ￥0.1186

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    • 3000+

      ￥0.087

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      ￥0.078

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      ￥0.0732
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    100V 215mA
    型号：BAV99WT1G 编号：C82078
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1761

    • 200+

      ￥0.138

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      ￥0.0789
  • 有货
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904LT3G 编号：C150052
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1896

    • 200+

      ￥0.1525

    • 600+

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    • 2000+

      ￥0.1195

    • 10000+

      ￥0.0787

    • 20000+

      ￥0.0729
  • 有货
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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1965

    • 200+

      ￥0.1516

    • 600+

      ￥0.1266

    • 2000+

      ￥0.1116

    • 10000+

      ￥0.0986

    • 20000+

      ￥0.0916
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:0.2uA@6V
    型号：BZX84C10LT1G 编号：C82476
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2174

    • 200+

      ￥0.1699

    • 600+

      ￥0.1435

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      ￥0.1276

    • 9000+

      ￥0.1139
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1V
    型号：MMSZ5226BT1G 编号：C235771
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2204

    • 200+

      ￥0.1707

    • 600+

      ￥0.1431

    • 3000+

      ￥0.1242

    • 9000+

      ￥0.1098

    • 21000+

      ￥0.1021
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.2V 电流:5uA@4V
    型号：MMSZ5234BT1G 编号：C194181
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2358

    • 100+

      ￥0.170934 ￥0.1838

    • 300+

      ￥0.130974 ￥0.1578

    • 3000+

      ￥0.114789 ￥0.1383

    • 6000+

      ￥0.101841 ￥0.1227

    • 9000+

      ￥0.095367 ￥0.1149
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA@14V
    型号：MMSZ5248BT1G 编号：C82088
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2464

    • 200+

      ￥0.1893

    • 600+

      ￥0.1576

    • 3000+

      ￥0.1385

    • 9000+

      ￥0.122

    • 21000+

      ￥0.1132
  • 有货
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    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856BLT1G 编号：C165609
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2519

    • 100+

      ￥0.2

    • 300+

      ￥0.1741

    • 3000+

      ￥0.1401

    • 6000+

      ￥0.1246

    • 9000+

      ￥0.1168
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:16V 电流:0.1uA@12V
    型号：MMSZ5246BT1G 编号：C52809
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2536

    • 200+

      ￥0.1996

    • 600+

      ￥0.1696

    • 3000+

      ￥0.1301

    • 9000+

      ￥0.1145

    • 21000+

      ￥0.106
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA
    型号：NTA7002NT1G 编号：C145524
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75
    数据手册

    • 10+

      ￥0.257

    • 100+

      ￥0.2066

    • 300+

      ￥0.1814

    • 3000+

      ￥0.1571

    • 6000+

      ￥0.142

    • 9000+

      ￥0.1345
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:12V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3102

    • 100+

      ￥0.2472

    • 300+

      ￥0.2157

    • 3000+

      ￥0.1728

    • 6000+

      ￥0.1539

    • 9000+

      ￥0.1444
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V
    型号：MM5Z3V3T1G 编号：C891656
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
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    电压:20V 电流:500mA
    型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106
    封装：SOD-923
    品牌：onsemi(安森美)
    肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。
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    电压:20V 电流:1A
    型号：NSR0320MW2T1G 编号：C48192
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此类肖特基势垒二极管具有高电流处理能力和低正向电压性能。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C513249
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
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    MMBFJ310LT1G
    型号：MMBFJ310LT1G 编号：C33416
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
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    电压:40V 电流:1A
    型号：MBRS140T3G 编号：C133091
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    独立式 耐压:7.5V 电流:2.5uA
    型号：1SMA5922BT3G 编号：C47074
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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