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封装：SOIC-8

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7562
50+
￥1.3782
150+
￥1.2162
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￥1.0141
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.7951

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.1463
50+
￥1.7683
150+
￥1.6063
500+
￥1.4042
2500+
￥1.3142
5000+
￥1.2602

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型号：MC33179DR2G 编号：C153743

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外，该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流，同时还具备高输出电流驱动能力

数据手册

5+
￥2.1788
50+
￥1.6628
150+
￥1.4561
500+
￥1.1982
2500+
￥1.0834
5000+
￥1.0145

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型号：MOC3023M 编号：C5240

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

5+
￥2.3893
50+
￥1.7342
150+
￥1.532
500+
￥1.2798
2000+
￥1.1675
5000+
￥1.1

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.18

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型号：MOC3021M 编号：C5242

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

5+
￥2.4437
50+
￥1.7088
150+
￥1.5062
500+
￥1.2535
2000+
￥1.141
5000+
￥1.0734

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.59
30+
￥3.3
100+
￥2.95
500+
￥2.66
1000+
￥2.56

有货

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型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.22
30+
￥3.67
100+
￥3.13
500+
￥2.8
1500+
￥2.63

有货

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型号：BAS21LT1G 编号：C79596

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了两个电气隔离的高电压开关二极管。

数据手册

20+
￥0.1466
200+
￥0.1163
600+
￥0.0995
3000+
￥0.0855
9000+
￥0.0768
21000+
￥0.072

有货

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型号：BAS21HT1G 编号：C82466

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。

数据手册

20+
￥0.1543
200+
￥0.1185
600+
￥0.0987
3000+
￥0.0868
9000+
￥0.0764
21000+
￥0.0709

有货

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型号：BZX84C15LT1G 编号：C80857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2121
200+
￥0.1663
600+
￥0.1408
3000+
￥0.1255
9000+
￥0.1123
21000+
￥0.1051

有货

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型号：BAW56WT1G 编号：C160837

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2232
200+
￥0.1783
600+
￥0.1533
3000+
￥0.1116
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.0916

有货

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型号：1N4148WS 编号：C118873

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

数据手册

20+
￥0.2375
200+
￥0.1822
600+
￥0.1515
3000+
￥0.1331
9000+
￥0.1171
21000+
￥0.1085

有货

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型号：ESD5Z6.0T1G 编号：C82323

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2474
100+
￥0.1946
300+
￥0.1682
3000+
￥0.148
6000+
￥0.1322
9000+
￥0.1242

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型号：MM5Z5V1T1G 编号：C146754

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.2619
100+
￥0.2025
300+
￥0.1695
1500+
￥0.1497
4500+
￥0.1325
10500+
￥0.1233

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型号：MMSZ4690T1G 编号：C152307

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。为优化自动电路板组装而设计的封装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电（ESD）等级为3级（>16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.2725
100+
￥0.2168
300+
￥0.1889
3000+
￥0.1512
6000+
￥0.1345
9000+
￥0.1261

有货

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型号：BZX84C12LT1G 编号：C82475

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2786
100+
￥0.2212
300+
￥0.1924
3000+
￥0.1709
6000+
￥0.1537
9000+
￥0.145

有货

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型号：MMSZ4689T1G 编号：C236187

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50μA。封装设计适合优化自动化电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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20+
￥0.2862
200+
￥0.2333
600+
￥0.2069
6000+
￥0.167
12000+
￥0.1511
18000+
￥0.1432

有货

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型号：MMBZ15VALT1G 编号：C22582

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

VBR=15V，Vc=21V，Ipp=1.9A

数据手册

10+
￥0.3662
100+
￥0.2833
300+
￥0.2418
3000+
￥0.1829
6000+
￥0.1581
9000+
￥0.1456

有货

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型号：NL17SZ125DFT2G 编号：C97774

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ125是一款高性能同相缓冲器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。

数据手册

10+
￥0.3917
100+
￥0.3053
300+
￥0.2621
3000+
￥0.2297
6000+
￥0.2038
9000+
￥0.1909

有货

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型号：NC7SZ04M5X 编号：C32090

封装：SC-74A-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.3938
100+
￥0.3118
300+
￥0.2708
3000+
￥0.2283
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.1914

有货

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型号：NTR4101PT1G 编号：C35920

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.8204
50+
￥0.6715
150+
￥0.597
500+
￥0.5412
3000+
￥0.4352
6000+
￥0.4128

有货

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型号：MBRS140T3G 编号：C133091

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8235
50+
￥0.6579
150+
￥0.5191
500+
￥0.457
2500+
￥0.4074
5000+
￥0.3825

有货

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型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8415
50+
￥0.6735
150+
￥0.5895
500+
￥0.5265
2500+
￥0.3998
5000+
￥0.3746

有货

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型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

数据手册

5+
￥0.878
50+
￥0.7087
150+
￥0.6159
500+
￥0.5524
3000+
￥0.5016
6000+
￥0.4762

有货

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型号：SS24FL 编号：C894433

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

特性：超薄外形：最大高度1.08mm。 UL可燃性94V-0分类。 MSL-1。绿色模具化合物。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.01
50+
￥0.8036
150+
￥0.7152
500+
￥0.6048
3000+
￥0.4922
6000+
￥0.4628

有货

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型号：LM339DR2G 编号：C63821

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

数据手册

5+
￥1.2526
50+
￥0.971
150+
￥0.8503
500+
￥0.6997
2500+
￥0.6326
5000+
￥0.5924

有货

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型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥1.6179
50+
￥1.2706
150+
￥1.1218
500+
￥0.9361
3000+
￥0.787
6000+
￥0.7374

有货

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型号：MC74HC595ADTR2G 编号：C100027

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据

数据手册

5+
￥1.69
50+
￥1.3271
150+
￥1.1716
500+
￥0.9775
2500+
￥0.8151
5000+
￥0.7632

有货

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型号：MC74HC165ADR2G 编号：C7334

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该器件引脚排列与 LS165 相同，输入与标准 CMOS 输出兼容，通过上拉电阻可与 LSTTL 输出兼容。它是一个 8 位移位寄存器，末级具有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据异步并行加载；当串行移位/并行加载输入为高电平时，数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2 输入或非时钟可以通过组合两个独立的时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。

数据手册

5+
￥1.9683
50+
￥1.5923
150+
￥1.4312
500+
￥1.2302
2500+
￥1.0503
5000+
￥0.9965

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