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描述

价格(含税)

库存

操作

7.6V~30V 1A

型号：UC3843BD1R2G 编号：C16414

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥2.4361
50+
￥2.0076
150+
￥1.824
500+
￥1.0728
2500+
￥0.9708
5000+
￥0.9096

有货

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升压型 1.5A 3V~40V

型号：MC33063ADR2G 编号：C7296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件包括内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少的外部元件而设计。

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.87
30+
￥2.57
100+
￥2.2
500+
￥1.57
1000+
￥1.47

有货

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系统监控电压复位，带看门狗和手动复位功能

型号：CAT823TTDI-GT3 编号：C91360

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.88
30+
￥2.58
100+
￥2.22
500+
￥1.93
1000+
￥1.84

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.12
30+
￥2.75
100+
￥2.38
500+
￥1.93
1000+
￥1.82

有货

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512 Kb I2C CM0S 串行 EEPROM

型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥4.41
10+
￥3.55
30+
￥3.12
100+
￥2.7
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

有货

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耐压:1.2kV 电流:75A 反向恢复时间：100ns

型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥14.22
10+
￥12.06
30+
￥9.93
90+
￥8.54
450+
￥7.91
900+
￥7.64

有货

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100V 200mA

型号：BAV70TT1G 编号：C232586

封装：SC-75

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1739
200+
￥0.1555
600+
￥0.1453
3000+
￥0.0948
9000+
￥0.0895
21000+
￥0.0866

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:5uA@3V

型号：MMSZ5232BT1G 编号：C72743

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2281
200+
￥0.1771
600+
￥0.1488
3000+
￥0.1261
9000+
￥0.1113
21000+
￥0.1034

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-25LT1G 编号：C152312

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2808
100+
￥0.228
300+
￥0.2016
3000+
￥0.1818
6000+
￥0.166
9000+
￥0.158

有货

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单向TVS 3.3V截止峰值脉冲电流：9.8A@8/20us

型号：ESD9X3.3ST5G 编号：C130456

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9X 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受 ESD 影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3 播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2891
100+
￥0.2349
300+
￥0.2078
1000+
￥0.1875
5000+
￥0.1458
8000+
￥0.1377

有货

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1kV 1A

型号：1N4007G 编号：C232439

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该款标准整流器适合通用及低功率应用。

数据手册

10+
￥0.3622
100+
￥0.2975
300+
￥0.2651
1000+
￥0.2292
5000+
￥0.2098
10000+
￥0.2

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:0.56A

型号：NTR4003NT1G 编号：C82325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3969
100+
￥0.3201
300+
￥0.2818
3000+
￥0.2282
6000+
￥0.2052
9000+
￥0.1936

有货

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单路施密特触发反相器

型号：NC7SZ14M5X 编号：C457616

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ14 是一款采用施密特触发输入的单反相器，属于 TinyLogic 超高速（UHS）系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件的工作范围为 1

数据手册

10+
￥0.4039
100+
￥0.3249
300+
￥0.2854
3000+
￥0.2497
6000+
￥0.226
9000+
￥0.2141

有货

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1个P沟道耐压:8V 电流:1.4A

型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4957
100+
￥0.4065
300+
￥0.3619
3000+
￥0.2819
6000+
￥0.2551
9000+
￥0.2417

有货

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电压:30V 电流:1A

型号：MBR130T1G 编号：C82461

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

10+
￥0.5331
100+
￥0.4212
300+
￥0.3652
3000+
￥0.2999
6000+
￥0.2664
9000+
￥0.2496

有货

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PNP 电流:600mA 电压:150V

型号：2N5401YBU 编号：C896648

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：集电极-发射极电压：VCEO = 150V。集电极耗散功率：PC(max) = 625mW。后缀 “-C” 表示反集电极

数据手册

5+
￥0.551
50+
￥0.4422
150+
￥0.3877
1000+
￥0.3469
2000+
￥0.2908
5000+
￥0.2745

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBR140SFT1G 编号：C43381

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥0.7762
50+
￥0.6077
150+
￥0.5235
500+
￥0.4514
3000+
￥0.4008
6000+
￥0.3756

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.5uA@13.7V

型号：1SMA5931BT3G 编号：C94872

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7936
50+
￥0.6313
150+
￥0.5501
500+
￥0.4892
2500+
￥0.4405
5000+
￥0.4161

有货

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耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

型号：ES1G 编号：C124478

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8191
50+
￥0.6501
150+
￥0.5655
500+
￥0.5022
2500+
￥0.4515
7500+
￥0.4261

有货

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耐压:600V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS260T3G 编号：C111834

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和保护二极管。

数据手册

5+
￥0.8409
50+
￥0.6681
150+
￥0.5817
500+
￥0.517
2500+
￥0.4651
5000+
￥0.4392

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

数据手册

5+
￥0.9234
50+
￥0.7228
150+
￥0.6128
500+
￥0.5376
3000+
￥0.4774
6000+
￥0.4473

有货

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耐压:600V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURA160T3G 编号：C50432

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0357
50+
￥0.8672
150+
￥0.783
500+
￥0.7198
2500+
￥0.4993
5000+
￥0.474

有货

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独立式耐压:15V 电流:1uA@11.4V

型号：1SMB5929BT3G 编号：C55497

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0423
50+
￥0.8217
150+
￥0.7272
500+
￥0.6093
2500+
￥0.4954
5000+
￥0.4639

有货

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双D型触发器

型号：MC14013BDR2G 编号：C56411

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B 双 D 型触发器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。每个触发器均具有独立的数据 (D)、直接设置 (S)、直接重置 (R) 和时钟 (C) 输入和互补输出（Q 和 Qbar）。这些器件可用作移位寄存器元件，或用于计数器和切换应用的 T 型触发器。

数据手册

5+
￥1.1257
50+
￥0.8738
150+
￥0.7658
500+
￥0.631
2500+
￥0.571
5000+
￥0.535

有货

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电压:40V 电流:3A

型号：MBRS340T3G 编号：C40326

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.2504
50+
￥0.9842
150+
￥0.809
500+
￥0.6667
2500+
￥0.6033
5000+
￥0.5653

有货

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5V 100mA 30V

型号：LP2950CDT-5.0RKG 编号：C179571

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

低功耗

数据手册

5+
￥1.6235
50+
￥1.2764
150+
￥1.0478
500+
￥0.8622
2500+
￥0.7796
5000+
￥0.73

有货

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补充型输出 8位并行或串行至串行移位寄存器

型号：MC74HC165ADR2G 编号：C7334

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该器件引脚排列与 LS165 相同，输入与标准 CMOS 输出兼容，通过上拉电阻可与 LSTTL 输出兼容。它是一个 8 位移位寄存器，末级具有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据异步并行加载；当串行移位/并行加载输入为高电平时，数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2 输入或非时钟可以通过组合两个独立的时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。

数据手册

5+
￥1.6371
50+
￥1.2894
150+
￥1.1403
500+
￥0.9544
2500+
￥0.788
5000+
￥0.7383

有货

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三态输出串行至串行或并行移位寄存器

型号：MC74HC595ADTR2G 编号：C100027

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据

数据手册

5+
￥1.6391
50+
￥1.2924
150+
￥1.1438
500+
￥0.9584
2500+
￥0.8032
5000+
￥0.7537

有货

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三态输出串行至串行或并行移位寄存器

型号：MC74HC595ADR2G 编号：C7344

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A 由一个 8 位移位寄存器和一个带三态并行输出的 8 位 D 型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出，还向 8 位锁存器提供并行数据。

数据手册

5+
￥1.7349
50+
￥1.3832
150+
￥1.2325
500+
￥0.9016
2500+
￥0.8179
5000+
￥0.7676

有货

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3.3V 100mA 30V

型号：LP2950CDT-3.3RKG 编号：C233210

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

低功耗

数据手册

5+
￥1.8164
50+
￥1.4327
150+
￥1.2683
500+
￥0.9878
2500+
￥0.8965
5000+
￥0.8417

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

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