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首页 > 热门关键词 > ON驱动芯片
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描述
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双向可控硅 有过零电路 1通道
型号：MOC3061M 编号：C8918
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
数据手册

  • 1+

    ￥4.72

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    ￥3.99

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    600V
    型号：NCP1399APDR2G 编号：C377543
    封装：SOIC-16-EP
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。
    数据手册

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      ￥6.04

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      ￥4.86

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    1 Mb I2C CMOS串行EEPROM
    型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.21

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      ￥5.79

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    600V 9.5V~20V
    型号：NCP1397ADR2G 编号：C50420
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.26

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    100V 200mA
    型号：BAS16LT1G 编号：C94377
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。 此器件采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1362

    • 200+

      ￥0.1069

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      ￥0.0608
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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT1G 编号：C55059
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.158

    • 200+

      ￥0.1294

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    100V 200mA
    型号：MMDL914T1G 编号：C112606
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适合自动插装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1633

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    100V 200mA
    型号：LL4148 编号：C84135
    封装：SOD-80C
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号二极管
    数据手册

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      ￥0.1793

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222ATT1G 编号：C94417
    封装：SC-75(SOT-523)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMSZ5240BT1G 编号：C82084
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2178

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MBT3904DW1T1G 编号：C110150
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2219

    • 200+

      ￥0.1763

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      ￥0.11
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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56LT1G 编号：C85394
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2255

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      ￥0.1769

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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V3LT1G 编号：C82473
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2424

    • 200+

      ￥0.2014

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    • 3000+

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    • 9000+

      ￥0.1451

    • 21000+

      ￥0.1388
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    电压:40V 电流:120mA
    型号：BAS40-04LT1G 编号：C78265
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2453

    • 200+

      ￥0.194

    • 600+

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    • 21000+

      ￥0.1141
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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：MMBZ27VALT1G 编号：C41376
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2823

    • 100+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.1339

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      ￥0.1236
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：RB520S30T1G 编号：C154821
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2842

    • 200+

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      ￥0.1632
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    超高速双缓冲器
    型号：NC7WZ16P6X 编号：C114148
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ16 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3203

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.2248

    • 3000+

      ￥0.201

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      ￥0.1819

    • 9000+

      ￥0.1724
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
    型号：MMBF170LT1G 编号：C28871
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3638

    • 100+

      ￥0.2839

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      ￥0.244

    • 3000+

      ￥0.2141

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      ￥0.1781
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    双缓冲器，带施密特触发输入，超高速，高输出驱动，宽Vcc工作范围
    型号：NC7WZ17P6X 编号：C81546
    封装：SOT-363-6
    品牌：onsemi(安森美)
    带施密特触发器输入的 TinyLogic UHS 双通道缓冲器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3959

    • 100+

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      ￥0.206

    • 9000+

      ￥0.1929
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    50V 100mA
    型号：MMUN2233LT1G 编号：C86932
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4392

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    • 6000+

      ￥0.2599

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      ￥0.2475
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    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：17A@8/20us
    型号：SM05T1G 编号：C111172
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5334

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      ￥0.287
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138K 编号：C255592
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
    数据手册

    • 5+

      ￥0.575

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      ￥0.4742

    • 150+

      ￥0.4238

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      ￥0.386

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      ￥0.3149

    • 6000+

      ￥0.2998
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：NTR4501NT1G 编号：C85416
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7183

    • 50+

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    电压:60V 电流:1A
    型号：SS16T3G 编号：C113257
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns
    型号：MURS120T3G 编号：C36610
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    低失调电压双比较器
    型号：LM293DR2G 编号：C99582
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.3A
    型号：NDS331N 编号：C192741
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
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    六路施密特触发反相器
    型号：MC74HC14ADR2G 编号：C152545
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波
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    3V@10nA
    型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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    1-Kb至16-Kb I2C CMOS串行EEPROM
    型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。
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