ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM339DR2G 编号：C63821

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

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5+
￥1.275
50+
￥0.9934
150+
￥0.8726
500+
￥0.722
2500+
￥0.655
5000+
￥0.6147

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型号：MMBZ15VALT1G 编号：C22582

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

VBR=15V，Vc=21V，Ipp=1.9A

数据手册

10+
￥0.3376
100+
￥0.2737
300+
￥0.2418
3000+
￥0.1965
6000+
￥0.1773
9000+
￥0.1677

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型号：UC2845BD1R2G 编号：C33458

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器以及大电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且都具有迟滞、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

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5+
￥1.8684
50+
￥1.4615
150+
￥1.2872
500+
￥1.0187
2500+
￥0.9219
5000+
￥0.8637

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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1+
￥2.5
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

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1+
￥3.11
10+
￥2.44
30+
￥2.16
100+
￥1.8
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥4.61
10+
￥3.67
30+
￥3.2
100+
￥2.74
500+
￥2.46
1000+
￥2.31

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型号：MMBT3904TT1G 编号：C242260

封装：SOT-416

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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50+
￥0.1027
500+
￥0.0806
3000+
￥0.0683
6000+
￥0.061
24000+
￥0.0546
51000+
￥0.0512

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型号：BC846BLT1G 编号：C82477

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1754
200+
￥0.1466
600+
￥0.1305
3000+
￥0.1107
9000+
￥0.1024
21000+
￥0.0979

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型号：BAS40-04LT1G 编号：C78265

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2478
200+
￥0.1966
600+
￥0.1681
3000+
￥0.1395
9000+
￥0.1247
21000+
￥0.1168

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型号：MMBZ27VALT1G 编号：C41376

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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10+
￥0.2495
100+
￥0.1967
300+
￥0.1704
3000+
￥0.1506
6000+
￥0.1348
9000+
￥0.1269

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型号：MMBZ5V6ALT1G 编号：C123251

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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10+
￥0.2683
100+
￥0.216
300+
￥0.1898
3000+
￥0.1502
6000+
￥0.1345
9000+
￥0.1267

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型号：NTR4101PT1G 编号：C35920

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。

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5+
￥0.6233
50+
￥0.5052
150+
￥0.4462
500+
￥0.4019
3000+
￥0.3179
6000+
￥0.3002

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型号：RS1M 编号：C84573

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结，适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴片。 UL认证：证书编号E326243。这些器件无铅且符合RoHS标准

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5+
￥0.7485
50+
￥0.5911
150+
￥0.5124
500+
￥0.4534
2500+
￥0.3746
7500+
￥0.351

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型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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5+
￥1.2914
50+
￥1.0537
150+
￥0.9519
500+
￥0.8248
3000+
￥0.7016
6000+
￥0.6677

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型号：MC74HC14ADR2G 编号：C152545

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波

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5+
￥1.4319
50+
￥1.1468
150+
￥1.0247
500+
￥0.8722
2500+
￥0.8044
5000+
￥0.7636

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型号：1N5342BRLG 编号：C44808

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥1.7709
50+
￥1.4183
150+
￥1.2672
500+
￥1.0787
2500+
￥0.9948
4000+
￥0.9444

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型号：UC3845BD1R2G 编号：C98715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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5+
￥1.8509
50+
￥1.4376
150+
￥1.2605
500+
￥1.0352
2500+
￥0.9368
5000+
￥0.8777

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型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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5+
￥1.9867
50+
￥1.5828
150+
￥1.4098
500+
￥1.1795
3000+
￥1.0833
6000+
￥1.0256

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型号：CAT24C64WI-GT3 编号：C13645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.052
50+
￥1.5987
150+
￥1.4045
500+
￥1.1621
3000+
￥1.0542
6000+
￥0.9894

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型号：NCV8402ASTT1G 编号：C77755

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.43
30+
￥2.15
100+
￥1.8
500+
￥1.48
1000+
￥1.39

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥6.1
10+
￥4.96
30+
￥4.39
100+
￥3.83
500+
￥3.49
1000+
￥3.32

有货

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型号：MMBD914LT1G 编号：C46523

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此器件采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于自动化插入。

数据手册

50+
￥0.1248
500+
￥0.1004
3000+
￥0.0792
6000+
￥0.0711
24000+
￥0.064
51000+
￥0.0602

有货

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型号：MM3Z3V3T1G 编号：C75073

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2084
200+
￥0.1703
600+
￥0.1491
3000+
￥0.1365
9000+
￥0.1254
21000+
￥0.1195

有货

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型号：MMSZ15T1G 编号：C27754

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

20+
￥0.2169
200+
￥0.1672
600+
￥0.1396
3000+
￥0.123
9000+
￥0.1087
21000+
￥0.101

有货

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型号：NC7WZ17P6X 编号：C81546

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

带施密特触发器输入的 TinyLogic UHS 双通道缓冲器

数据手册

10+
￥0.3607
100+
￥0.2905
300+
￥0.2554
3000+
￥0.2291
6000+
￥0.208
9000+
￥0.1975

有货

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型号：MMBD4148SE 编号：C73223

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.4633
100+
￥0.3709
300+
￥0.3247
3000+
￥0.2499
6000+
￥0.2221
9000+
￥0.2083

有货

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型号：S1M 编号：C232826

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

S1A -S1M General-Purpose Rectifiers 是 1 A、P -I -N、SMA 整流器，具有优化的低泄漏、低电容和快速响应时间。在 1 A 时保持行业标准 VF 最大值 1.1 V 和 30 A 浪涌额定值。在系统电源效率至关重要的当今，这些优势可用于支持更高效率目标。

数据手册

5+
￥0.547
50+
￥0.4342
150+
￥0.3778
500+
￥0.3355
2500+
￥0.2766
7500+
￥0.2597

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型号：SM05T1G 编号：C111172

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.5673
50+
￥0.4422
150+
￥0.3796
500+
￥0.3327
3000+
￥0.2952
6000+
￥0.2764

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型号：MURS120T3G 编号：C36610

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.6834
50+
￥0.5366
150+
￥0.4631
500+
￥0.3905
2500+
￥0.3464
5000+
￥0.3244

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型号：1SMA5918BT3G 编号：C59797

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7583
50+
￥0.5995
150+
￥0.52
500+
￥0.4605
2500+
￥0.388
5000+
￥0.3642

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