ON驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBTA42LT1G 编号：C94389

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2334
200+
￥0.1816
600+
￥0.1529
3000+
￥0.1269
9000+
￥0.1119
21000+
￥0.1039

有货

立即购买

型号：ESD9X3.3ST5G 编号：C130456

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9X 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受 ESD 影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3 播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2676
100+
￥0.2154
300+
￥0.1893
1000+
￥0.1698
5000+
￥0.1296
8000+
￥0.1217

有货

立即购买

型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3206
100+
￥0.2556
300+
￥0.2231
1000+
￥0.1987
4000+
￥0.1792
8000+
￥0.1694

有货

立即购买

型号：1N4007RLG 编号：C53568

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该款标准整流器适合通用及低功率应用。

数据手册

10+
￥0.344
100+
￥0.2783
300+
￥0.2454
1000+
￥0.2207
5000+
￥0.1738
10000+
￥0.164

有货

立即购买

型号：MRA4007T3G 编号：C47921

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.601
50+
￥0.5001
150+
￥0.4497
500+
￥0.4119
2500+
￥0.2379
5000+
￥0.2227

有货

立即购买

型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.1363
50+
￥0.8907
150+
￥0.7854
500+
￥0.6541
3000+
￥0.5956
6000+
￥0.5605

有货

立即购买

型号：SMF05CT1G 编号：C15879

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

VBR=6.2V， Vc=9.8V， Ipp=8A ，Cd=80pF

数据手册

5+
￥1.139
50+
￥0.8947
150+
￥0.79
500+
￥0.6593
3000+
￥0.5926
6000+
￥0.5577

有货

立即购买

型号：LM2902DR2G 编号：C57473

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

是低成本、四通道运算放大器，具有真正的差分输入。在单电源应用中，它们比标准运算放大器类型有几个明显的优势。四通道放大器可在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中无需外部偏置组件。输出电压范围也包括负电源电压。

数据手册

5+
￥1.3386
50+
￥1.0494
150+
￥0.9254
500+
￥0.7708
2500+
￥0.6497
5000+
￥0.6083

有货

立即购买

型号：MJD45H11T4G 编号：C47515

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.31
30+
￥2.07
100+
￥1.75
500+
￥1.51
1000+
￥1.42

有货

立即购买

型号：NCV8402ADDR2G 编号：C109030

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402D/AD是一款双路受保护的低边智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件具备保护功能，适用于严苛的汽车环境

数据手册

1+
￥5.49
10+
￥4.41
30+
￥3.87
100+
￥3.34
500+
￥3.14
1000+
￥2.98

有货

立即购买

型号：FGH60N60SMD 编号：C50649

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥19.85
10+
￥16.82
30+
￥15.02
90+
￥13.2
450+
￥12.36
900+
￥11.98

有货

立即购买

型号：BAS16HT1G 编号：C131148

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

20+
￥0.1382
200+
￥0.1085
600+
￥0.092
3000+
￥0.0793
9000+
￥0.0707
21000+
￥0.066

有货

立即购买

型号：BC847CLT1G 编号：C150094

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。人体模型：>4000V。机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准

数据手册

20+
￥0.1463
200+
￥0.117
600+
￥0.1008
3000+
￥0.0881
9000+
￥0.0796
21000+
￥0.075

有货

立即购买

型号：MMBTA06LT1G 编号：C77760

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1887
200+
￥0.1465
600+
￥0.1231
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0866
21000+
￥0.08

有货

立即购买

型号：MMSZ15T1G 编号：C27754

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.2373
100+
￥0.1869
300+
￥0.1617
3000+
￥0.1428
6000+
￥0.1276
9000+
￥0.1201

有货

立即购买

型号：BAT54SWT1G 编号：C78260

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.2493
200+
￥0.1947
600+
￥0.1643
3000+
￥0.1326
9000+
￥0.1168
21000+
￥0.1083

有货

立即购买

型号：MMBZ5V6ALT1G 编号：C123251

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.286
100+
￥0.2342
300+
￥0.2083
3000+
￥0.1691
6000+
￥0.1535
9000+
￥0.1458

有货

立即购买

型号：BC817-40LT1G 编号：C94412

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2875
200+
￥0.2281
600+
￥0.1985
3000+
￥0.1762
9000+
￥0.1584
21000+
￥0.1495

有货

立即购买

型号：MM3Z3V3T1G 编号：C75073

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2885
200+
￥0.2242
600+
￥0.1885
3000+
￥0.167
9000+
￥0.1485
21000+
￥0.1384

有货

立即购买

型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.3411
100+
￥0.2719
300+
￥0.2373
3000+
￥0.2114
6000+
￥0.1906
9000+
￥0.1802

有货

立即购买

型号：MMBD4148SE 编号：C73223

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.4263
100+
￥0.3413
300+
￥0.2988
3000+
￥0.23
6000+
￥0.2045
9000+
￥0.1918

有货

立即购买

型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4323
100+
￥0.3466
300+
￥0.3038
3000+
￥0.2717
6000+
￥0.246
9000+
￥0.2331

有货

立即购买

型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.5776
50+
￥0.4622
150+
￥0.4045
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2939
6000+
￥0.2766

有货

立即购买

型号：S1M 编号：C232826

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

S1A -S1M General-Purpose Rectifiers 是 1 A、P -I -N、SMA 整流器，具有优化的低泄漏、低电容和快速响应时间。在 1 A 时保持行业标准 VF 最大值 1.1 V 和 30 A 浪涌额定值。在系统电源效率至关重要的当今，这些优势可用于支持更高效率目标。

数据手册

5+
￥0.6035
50+
￥0.4699
150+
￥0.4031
500+
￥0.3531
2500+
￥0.2834
7500+
￥0.2633

有货

立即购买

型号：RS1M 编号：C84573

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结，适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴片。 UL认证：证书编号E326243。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.759
50+
￥0.5987
150+
￥0.5185
500+
￥0.4584
2500+
￥0.3781
7500+
￥0.3541

有货

立即购买

型号：ES1J 编号：C232830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥1.0808
50+
￥0.8709
150+
￥0.781
500+
￥0.6687
2500+
￥0.4961
7500+
￥0.4661

有货

立即购买

型号：MC7805BDTRKG 编号：C110908

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.2912
50+
￥1.0311
150+
￥0.9197
500+
￥0.73
2500+
￥0.668
5000+
￥0.6309

有货

立即购买

型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册