igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：G2025 编号：C41414476

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥0.7378
50+
￥0.5832
150+
￥0.5059
500+
￥0.448

有货

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型号：XJNG2102D 编号：C53190622

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥0.8076
50+
￥0.642
150+
￥0.5592
500+
￥0.4971

有货

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型号：NSG6001 编号：C41414490

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥1.0671
50+
￥0.9319
150+
￥0.8739
500+
￥0.8016

有货

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型号：AiP44273GB235.TR 编号：C52260129

封装：SOT-23-5

品牌：I-CORE(中微爱芯)

单通道低边栅驱动器

5+
￥1.4437
50+
￥1.1413
150+
￥1.0117
500+
￥0.85

有货

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型号：NSG4426 编号：C41414515

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双反)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.4612
50+
￥1.1482
150+
￥1.0141

有货

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型号：NSG27511 编号：C41414512

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.4614
50+
￥1.1484
150+
￥1.0142

有货

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型号：NSG27712 编号：C52975934

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥1.4943
50+
￥1.1813
150+
￥1.0471
500+
￥0.8798

有货

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型号：NSG6008 编号：C52975931

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥1.5219
50+
￥1.2032
150+
￥1.0665
500+
￥0.8961

有货

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型号：SiLM27524NCA-DG 编号：C41433637

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27524N系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27524N采用的设计从本质上减少了直通电流，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18 ns。在12V VDD电源供电时，SiLM27524N的源极峰值驱动电流能力为4.5 A，漏极峰值驱动电流能力为5.5 A

5+
￥1.5267
50+
￥1.1988
150+
￥1.0582

有货

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型号：LS1240AG-SO8-R 编号：C127025

封装：SOP-8

品牌：UTC(友顺)

UTC LS1240A 是单片集成电路，设计用作电话振铃器。它可直接驱动压电陶瓷转换器（蜂鸣器）。UTC LS1240A 的输出电流能力高于标准振铃器

数据手册

5+
￥1.556
50+
￥1.2385
150+
￥1.1024
500+
￥0.9326

有货

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

5+
￥1.5901
50+
￥1.2373
150+
￥1.0861
500+
￥0.8975
2500+
￥0.8695
4000+
￥0.819

有货

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型号：NSG27518 编号：C52975877

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥1.7267
50+
￥1.365
150+
￥1.21
500+
￥1.0166

有货

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型号：NSG2027 编号：C41414484

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.47
100+
￥1.35
500+
￥1.29
1000+
￥1.26

有货

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型号：NSG2304 编号：C7421065

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

1+
￥1.95
10+
￥1.7
30+
￥1.6
100+
￥1.47
500+
￥1.41

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型号：GHD3440PF 编号：C42385770

封装：TSSOP-20

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

1+
￥2.06
10+
￥2.01
30+
￥1.98
100+
￥1.95

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型号：NSG2106 编号：C7421064

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥2.0936
50+
￥1.6439
150+
￥1.4512
500+
￥1.2107

有货

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥2.36
10+
￥2.09
50+
￥1.95
100+
￥1.82
500+
￥1.74

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型号：1EDN7512(TOKMAS) 编号：C7525407

封装：TSOT-23-5

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A

5+
￥2.4026
50+
￥1.9238
150+
￥1.7186
500+
￥1.4625
3000+
￥1.1752
6000+
￥1.1068

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型号：XL2112PBF 编号：C22397798

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥2.47
10+
￥2.15
25+
￥2.02
100+
￥1.85
500+
￥1.78

有货

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型号：XL2112SPBF 编号：C22397799

封装：SOP-16-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥2.57
10+
￥2.28
30+
￥2.13
100+
￥1.99
500+
￥1.91

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型号：COS27424SR 编号：C5334499

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5A，4.5V-25V，双同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

5+
￥3.17
50+
￥2.44
150+
￥2.12
500+
￥1.73
2500+
￥1.56
4000+
￥1.45

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型号：IRS2127STRPBF 编号：C2676915

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥3.18
30+
￥3.13
100+
￥3.09

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型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥3.32
10+
￥2.94
30+
￥2.76
100+
￥2.57
500+
￥2.46

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型号：JSM6288Q1 编号：C52196409

封装：QFN-24(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为低欠压VCC≥5V；C19077370为高欠压VCC≥8V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

1+
￥3.37
10+
￥2.67
30+
￥2.37
100+
￥1.99
500+
￥1.82
1000+
￥1.72

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型号：XL2113PBF 编号：C22397800

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥3.49
10+
￥2.74
25+
￥2.42
100+
￥2.02

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型号：NSG1040 编号：C46473172

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG1040是一款全桥高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达100V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，高侧与低侧均包含有欠压保护功能。NSG1040为SOP14封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。