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封装：SOIC-8

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出，并且能驱动大型MOSFET，同时具备更高的安全工作裕量

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型号：HIP4082IPZ 编号：C1549291

封装：PDIP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC，提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用，使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用

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型号：MIC4426YMM-TR 编号：C628037

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：IR2113PBF 编号：C2973

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：MIC4223YMME 编号：C636522

封装：MSOP-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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型号：TC4429COA 编号：C636901

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：SI8261BCD-C-ISR 编号：C2836039

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用的光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替代升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了芯科实验室（Silicon Laboratories）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准，可承受高达 5.0 kV_RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准，具备 10 kV 的浪涌保护能力

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型号：MP6539GF-Z 编号：C6097207

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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型号：STDRIVEG600TR 编号：C3655710

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：MCP14E10-E/P 编号：C640315

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E9/10/11器件是高速MOSFET驱动器，能够提供3.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、近乎匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14E9/10/11器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1800pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E9/10/11的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E9/10/11双输出3.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受到损坏。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚均具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：TC428EPA 编号：C640733

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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型号：MIC4224YM-TR 编号：C628022

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：MIC4422ZT 编号：C641328

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：MIC4224YMME 编号：C220586

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列双路 4A、高速、低端 MOSFET 驱动器，具备逻辑电平驱动器使能功能。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构并行，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸收和提供 4A 的峰值电流，并能在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出可在 VDD 以下 0.3V 和地以上 0.16V 范围内摆动

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型号：TC4451VAT 编号：C641439

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4451/TC4452 是单输出 MOSFET 驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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型号：MIC4424YWM 编号：C641622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428又是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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型号：MPQ6527GF-AEC1-Z 编号：C5799798

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

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型号：MPQ6531GV-AEC1-Z 编号：C6909660

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6531是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MPQ6531集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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型号：CSD95372BQ5M 编号：C2879243

封装：SON-12-EP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95372BQ5M 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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型号：MD1811K6-G 编号：C623933

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD1811是一款高速四路MOSFET驱动器，专为医疗超声应用以及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用驱动高压P沟道和N沟道MOSFET而设计。MD1811的高速输入级可在1.8V至5V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V。自适应阈值电路用于将电平转换器的开关阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值

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