igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPM2025-FC1R 编号：C7497266

封装：QFN-10(2x2)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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￥11.94
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￥8.7

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型号：IR21834STRPBF 编号：C537607

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：L6392D 编号：C1549314

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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￥12.2616 ￥17.03
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￥5.3716 ￥10.33

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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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型号：MIC4425YN 编号：C641332

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428又是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥13.1105 ￥20.17
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￥7.893 ￥17.54

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型号：6EDL04N06PT 编号：C533115

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥14.0635 ￥25.57
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￥9.909 ￥22.02
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￥6.9685 ￥19.91
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￥5.7225 ￥16.35

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型号：HD1001 编号：C3024761

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：QH MICRO-E(乾鸿微)

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

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￥11.02
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型号：A6387DTR 编号：C2970984

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高低侧驱动器，用于汽车应用

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￥11.43

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型号：MP6508GR-Z 编号：C5676225

封装：QFN-16(4x4)

品牌：MPS(芯源)

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￥15.7296
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￥13.2719

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型号：UCC27322DGNR 编号：C84155

封装：MSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27322 具有使能端的单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

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型号：2EDB8259YXUMA1 编号：C17294632

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：CSD95490Q5MC 编号：C468252

封装：VSON-12-EP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95490Q5MC 采用 DualCool 封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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型号：LTC4442EMS8E#PBF 编号：C688566

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

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￥16.9585
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型号：TC4452VOA-TUDI 编号：C53200485

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

栅极驱动芯片

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型号：TC4451VOA-TUDI 编号：C53200483

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

RS-485/RS-422芯片

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￥17.09
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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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￥17.48
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型号：UCC57108CDR 编号：C48397771

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：NCV7718CDPR2G 编号：C556475

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行

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￥18.1204 ￥20.36
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￥13.8487 ￥17.53
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￥8.9838 ￥13.02

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型号：2EDR8259HXUMA1 编号：C17531538

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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￥18.52
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￥15.8
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￥14.1

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型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥18.7
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￥15.72
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￥13.85

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型号：2EDB7259YXUMA1 编号：C17625126

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥19.07
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￥16.27
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￥14.52

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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￥17.65
30+
￥16.47

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型号：1EDI60H12AH 编号：C533024

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥20.02
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￥17.03
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￥15.25

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型号：2EDB8259FXUMA1 编号：C17317654

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

1+
￥20.28
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￥17.46
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￥15.79

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型号：MP6519GQ-Z 编号：C2762181

封装：QFN-19(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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￥20.4813
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￥19.1049
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￥16.8766

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型号：MIC5060YML-TR 编号：C621943

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC5060 MOSFET驱动器专为用作高端或低端开关的N沟道增强型功率MOSFET的栅极控制而设计。MIC5060能够无限期维持导通状态输出。MIC5060的工作电源电压范围为2.75V至30V

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￥15.86
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￥14.07

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型号：MCP14E10-E/P 编号：C640315

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E9/10/11器件是高速MOSFET驱动器，能够提供3.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、近乎匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14E9/10/11器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1800pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E9/10/11的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E9/10/11双输出3.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受到损坏。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚均具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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￥21.9852 ￥35.46
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￥15.9692 ￥30.71
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