igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LMG3410R150RWHR 编号：C1858363

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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￥79.78
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￥72.32
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￥69.61

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型号：DRV3256PEPAPRQ1 编号：C6935137

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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￥104.58
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型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)

品牌：TI(德州仪器)

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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型号：LTC4421IUHE#PBF 编号：C1235988

封装：TQFN-36-EP(5x6)

品牌：ADI(亚德诺)

大功率优先化PowerPath控制器

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￥108.77
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型号：LMG3422R030RQZR 编号：C5218872

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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￥110.16
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型号：MC33PT2000AF 编号：C1574969

封装：TQFP-80(12x12)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款用于精密电磁阀控制应用的SMARTMOS可编程栅极驱动IC，使组件非常灵活，并将执行器控制的繁重任务从主微控制器中解放出来。该芯片集成了六个用于控制的微内核、七个外部MOSFET高端预驱动器、八个外部MOSFET低端预驱动器（其中两个具有较高开关频率，可用于DC/DC转换器）、集成的喷射结束检测、六个电流测量以及高端和低端诊断功能。还包括两个具有过压和欠压监测与保护功能的内部稳压器，VCCP由为预驱动器部分供电的电池线路供电，VCC2P5由为数字模块供电的外部5.0V电源供电。与MCU的接口通过串行外设接口（SPI）和16个可配置I/O信号实现，I/O由连接到VCC10的外部3.3V或5.0V稳压器供电

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￥124.48
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￥118.63
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￥108.5
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￥97.6668 ￥99.66

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型号：NSG3020 编号：C41414485

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

5+
￥0.67583 ￥0.7114
50+
￥0.53428 ￥0.5624
150+
￥0.46341 ￥0.4878
500+
￥0.4104 ￥0.432
2500+
￥0.36784 ￥0.3872
4000+
￥0.346655 ￥0.3649

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型号：XTM4607AS3CT 编号：C41430132

封装：SOT-23-6

品牌：XTX(芯天下)

9V1.2A双通道低边NMOS驱动产品，SOT23-6封装

5+
￥0.6795
50+
￥0.5345
150+
￥0.462

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型号：NSG6004 编号：C46473169

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG6004是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

5+
￥0.714305 ￥0.7519
50+
￥0.696065 ￥0.7327
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￥0.683905 ￥0.7199
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￥0.671745 ￥0.7071

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型号：NSG4426 编号：C41414515

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双反)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥0.73074 ￥0.7692
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￥0.71383 ￥0.7514
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￥0.70243 ￥0.7394
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￥0.691125 ￥0.7275

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型号：NSG6001 编号：C41414490

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥0.75373 ￥0.7934
50+
￥0.736155 ￥0.7749
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￥0.724375 ￥0.7625
500+
￥0.712595 ￥0.7501

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型号：NSG6398 编号：C46473170

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG6398是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40 °C至125 °C温度范围内工作。

5+
￥0.923685 ￥0.9723
50+
￥0.90003 ￥0.9474
150+
￥0.884355 ￥0.9309
500+
￥0.868585 ￥0.9143

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型号：XTM5803AT4CT 编号：C41430134

封装：SSOP-24

品牌：XTX(芯天下)

14V/500mA 8路达林顿驱动阵列2803,SSOP24封装

5+
￥1.1687
50+
￥0.9187
150+
￥0.8116

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型号：NSG2027 编号：C41414484

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）

1+
￥1.2635 ￥1.33
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￥1.235 ￥1.3
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￥1.216 ￥1.28
100+
￥1.197 ￥1.26

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型号：NSG2203S 编号：C52975879

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥1.273 ￥1.34
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￥1.2445 ￥1.31
30+
￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27

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型号：COS44263 编号：C7525173

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单反相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

5+
￥1.2906
50+
￥1.0134
150+
￥0.8946
500+
￥0.7464
3000+
￥0.6804
6000+
￥0.6408

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型号：NSG2066 编号：C49023244

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2066是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2066输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2066工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通，进一步降低了开关损耗。NSG2066的欠压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器输出都是低电平。NSG2066集成自举二极管，可最大优化芯片外围电路。

1+
￥1.43
10+
￥1.4
30+
￥1.38
100+
￥1.36

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型号：NSG2106 编号：C7421064

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥1.98892 ￥2.0936
50+
￥1.561705 ￥1.6439
150+
￥1.37864 ￥1.4512
500+
￥1.150165 ￥1.2107
2500+
￥1.048515 ￥1.1037
4000+
￥0.98743 ￥1.0394

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

5+
￥2.13
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￥1.62
150+
￥1.41
500+
￥1.37
2500+
￥1.25
5000+
￥1.17

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型号：ZXGD3002E6TA 编号：C156276

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3002E6是一款高速、同相单栅极驱动器，专为开关MOSFET或IGBT而设计。它能够向栅极传输高达5A的峰值源极/灌电流，以对容性栅极负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而最大限度地减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

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1+
￥2.14
10+
￥1.78
30+
￥1.6
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￥1.42

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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥2.28
10+
￥2.23
30+
￥2.2
100+
￥2.17

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型号：1EDN7512(TOKMAS) 编号：C7525407

封装：TSOT-23-5

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A

5+
￥2.4026
50+
￥1.9238
150+
￥1.7186
500+
￥1.4625
3000+
￥1.1752
6000+
￥1.1068

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型号：3253ESA/T 编号：C336590

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.35
30+
￥2.21
100+
￥2.08
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

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型号：1EDN7116GXTMA1 编号：C3654881

封装：VSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，优化用于驱动英飞凌CoolGaN™ SG HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。该栅极驱动器包含几个关键特性，可实现使用快速开关晶体管的高性能系统设计，包括真差分输入（TDI）、四种驱动强度选项、有源米勒钳位、自举电压钳位和可调电荷泵。

1+
￥2.74
10+
￥2.68
30+
￥2.64
100+
￥2.6

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型号：NSG2065Q 编号：C41414478

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

1+
￥2.774 ￥2.92
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￥2.1755 ￥2.29
30+
￥1.9095 ￥2.01
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￥1.596 ￥1.68
500+
￥1.4535 ￥1.53
1000+
￥1.368 ￥1.44

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型号：UCC27524D 编号：C544760

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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1+
￥2.78
10+
￥2.2
30+
￥1.96

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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

数据手册

1+
￥2.8 ￥5.6
10+
￥2.036 ￥5.09
30+
￥1.44 ￥4.8
100+
￥1.347 ￥4.49
500+
￥1.302 ￥4.34
1000+
￥1.284 ￥4.28

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型号：1EDN6550BXTSA1 编号：C5481755

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动器 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

1+
￥2.88
10+
￥2.81
30+
￥2.76
100+
￥2.71

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥3.116 ￥3.28
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.1945 ￥2.31
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.6055 ￥1.69

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型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.154 ￥3.32
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￥2.793 ￥2.94
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￥2.622 ￥2.76
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￥2.4415 ￥2.57
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￥2.337 ￥2.46
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￥2.2895 ￥2.41

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