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NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：LM5112MYX/NOPB 编号：C2676966

封装：MSOP-8-EP

LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器

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型号：UCC27537DBVT 编号：C2877709

封装：SOT-23-5

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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型号：LM5111-2MYX/NOPB 编号：C2862763

封装：HVSSOP-8

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：MIC4427YM 编号：C637540

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25mV范围内摆动。相比之下，同类双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：UCC27423DGNR 编号：C781810

封装：HVSSOP-8

UCC27423 具有启动的双路 4A MOSFET 驱动器

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型号：MC34152DG 编号：C236137

封装：SOIC-8

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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型号：MCP14A0151T-E/MAY 编号：C625308

封装：DFN-6(2x2)

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：MIC4600YML-TR 编号：C621918

封装：VQFN-16-EP(3x3)

MIC4600是一款28V半桥MOSFET驱动器，适用于机顶盒、网关、路由器、计算机外设、电信和网络设备等对成本敏感且需要高性能的应用。MIC4600的电源电压范围为4.5V至28V。它内置线性稳压器，可提供稳定的5V电压为MOSFET栅极驱动器供电，开关频率最高可达1.5 MHz

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型号：2EDL8124GXUMA1 编号：C3655208

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：LM5114BMFX/S7003094 编号：C2676979

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：DGD05463FN-7 编号：C3655812

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：LM5134AMFX/NOPB 编号：C3655646

封装：SOT-23-6

LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器

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型号：FAD6263M1X 编号：C903463

封装：SOIC-16

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

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型号：LM5110-2SD/NOPB 编号：C1880274

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：MIC4126YME 编号：C637524

封装：SOIC-8-EP

MIC4126、MIC4127 和 MIC4128 系列是采用微芯科技（Microchip）的 BiCMOS/DMOS 工艺制造的高可靠性双路 1.5A 低端 MOSFET 驱动器。这些器件具有低功耗和高效率的特点。MIC4126/27/28 可将 TTL 或 CMOS 输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的 25mV 范围内摆动，而同类双极型器件仅能在电源的 1V 范围内摆动

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型号：DR703QAQFN32 编号：C19078483

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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型号：MAX5075AAUA+T 编号：C969101

封装：UMAX-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

集成推挽式FET驱动器，带有振荡器和时钟输出

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型号：FAN7888MX 编号：C258167

封装：SOIC-20-300mil

FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：2ED2110S06MXUMA1 编号：C3654939

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2110S06M是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）出现高达 -11 VDC的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，最高工作电压可达650 V。

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型号：XDR4428 编号：C6580942

封装：WSOP-8

品牌：DIYI(迪一/芯诺)

双路 1.5A 低边 MOSFET 驱动器

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型号：MIC4223YM 编号：C637527

封装：SOIC-8