igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：IXDI614SI 编号：C5299827

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV83053QPHPRQ1 编号：C701777

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：TC4431VOA 编号：C636903

封装：SOIC-8

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型号：TC4421AVOA 编号：C1549431

封装：SOIC-8

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：STGAP3S6STR 编号：C44521638

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

提供了单栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间的电流隔离。该平台包括具有 10A 和 6A 电流能力的不同选项，每个选项都有适用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的专用欠压锁定 (UVLO) 变体。还提供超快速去饱和保护，具有不同的干预阈值和可调节的软关断功能。米勒钳位和可选负驱动功能的存在可实现最佳驱动性能。

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型号：TMC6100-LA 编号：C3249927

封装：QFN-37(7x7)

品牌：TRINAMIC

TMC6100是一款用于永磁同步电机（PMSM）伺服或无刷直流（BLDC）电机的高功率栅极驱动器。它使用六个外部MOSFET，可控制功率从瓦级到千瓦级的电机。软件控制的驱动强度可实现系统内电磁干扰（EME）优化。可编程安全特性（如短路检测和过温阈值）以及用于诊断的SPI接口，可实现稳健可靠的设计。使用TMC6100构建具备全面保护和诊断功能的坚固驱动器时，所需的外部组件数量最少。

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型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：EL7242CSZ 编号：C1549675

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL7242/EL7252 双输入、2 通道驱动器在提供更高灵活性的同时，实现了与 EL7212 系列相同出色的开关性能。双输入逻辑和配置适用于众多功率 MOSFET 驱动电路。

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型号：TC4432VOA713 编号：C624967

封装：SOIC-8

适用于高端驱动应用。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都不会发生闭锁。可以承受高达300 mA的反向电流（任何极性）而不会损坏或出现逻辑故障。所有引脚都具有高达4 kV的静电放电保护。欠压锁定电路在输入电源电压降至7V以下时将输出强制为低电平。对于较低电压下的操作，可以通过将引脚3（LOCK DIS）接地来禁用锁定和启动电路；在其他情况下，引脚3（LOCK DIS）应悬空。欠压锁定和启动电路在驱动MOSFET时提供欠压保护。

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型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

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型号：MP86934GLT-Z 编号：C5800437

封装：TQFN-21(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86934是一款单片半桥器件，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它能实现25A的连续输出电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率

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型号：LTC7004IMSE#TRPBF 编号：C690109

封装：MSOP-10-EP

是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合需要快速开启和/或关闭时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。

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型号：LTC7004EMSE#PBF 编号：C690105

封装：MSOP-10-EP

快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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型号：TC4421EPA 编号：C640747

封装：PDIP-8

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：MIC4467YWM-TR 编号：C632116

封装：SOIC-16

MIC4467/8/9系列四输出CMOS缓冲器/驱动器是早期单输出和双输出驱动器的扩展，它们在功能上密切相关。由于封装引脚数量允许，每个驱动器都配备了一个双输入逻辑门，以增加灵活性。将四个高功率驱动器集成在一个封装中还能提高系统可靠性并降低系统总成本

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型号：MIC4468ZWM 编号：C641628

封装：SOIC-16-300mil

4输出CMOS缓冲器/驱动器系列是早期单输出和双输出驱动器的扩展，功能上密切相关。每个驱动器都配备了一个2输入逻辑门，以增加灵活性。将四个高功率驱动器置于单个封装中，也提高了系统可靠性并降低了总系统成本。在某些应用中，这些驱动器之一不仅可以替代两个单输入驱动器封装，还可以替代一些相关逻辑

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型号：LTC1693-2IS8#PBF 编号：C676438

封装：SO-8

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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型号：TC4469EOE 编号：C642034

封装：SOIC-16-300mil

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型号：IXDI630CI 编号：C6069173

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：LTC7004IMSE#PBF 编号：C470819

封装：MSOP-10

快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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￥60.42
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型号：TC4467EOE 编号：C642030

封装：SOIC-16-300mil

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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￥64.17 ￥93
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￥52.4156 ￥88.84
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￥36.9362 ￥75.38

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型号：MP86945-AGVT-Z 编号：C3655818

封装：TQFN-25(4x5)

品牌：MPS(芯源)

是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内可实现60A的连续输出电流。是一种单片IC方案，每相可驱动高达60A的电流。驱动器和MOSFET的集成由于优化的死区时间和降低的寄生电感而实现了高效率。可在100kHz至2MHz的频率下工作。提供了许多简化系统设计的功能。可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配有精确的电流检测来监测电感电流和温度检测来报告结温。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。

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￥64.7208
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￥60.8937
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型号：DRV83053QPHPQ1 编号：C701115

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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￥66.66
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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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￥68.04
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￥60.88
30+
￥56.3

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型号：UC3706DW 编号：C1549459

封装：SOIC-16-300mil

具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70

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￥75.63
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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44