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首页 > 热门关键词 > igbt驱动芯片
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NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装,经过优化,可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时,VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时,双向启用引脚会向控制器提供故障信号。
数据手册
  • 1+

    ¥3.32
  • 10+

    ¥2.64
  • 30+

    ¥2.35
  • 100+

    ¥1.98
  • 有货
  • 三相栅极驱动器、100V三相、半桥栅极
    • 1+

      ¥3.37
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.37
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • U3315/6是一款高速三相栅极驱动器,适用于功率MOSFET和IGBT器件,具备三个独立的高端和低端参考输出通道。内置的死区时间保护和直通保护功能可防止半桥损坏。欠压锁定(UVLO)电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止器件出现故障
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.06
  • 有货
  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥3.49
    • 10+

      ¥2.74
    • 25+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.02
    • 500+

      ¥1.84
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • 应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥3.11
    • 30+

      ¥2.9
    • 100+

      ¥2.7
  • 有货
  • 双通道超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥3.64 ¥4.55
    • 10+

      ¥2.944 ¥3.68
    • 30+

      ¥2.6 ¥3.25
    • 100+

      ¥2.256 ¥2.82
    • 500+

      ¥2.048 ¥2.56
    • 1000+

      ¥1.944 ¥2.43
  • 有货
  • 应用于DC-DC转换器,UPS,电动汽车快速充电等等。
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.31
  • 有货
  • 带上下电保护、欠压保护 TC4427A是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。TC4427A在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。
    • 1+

      ¥3.848 ¥4.81
    • 10+

      ¥3.152 ¥3.94
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      ¥2.808 ¥3.51
    • 100+

      ¥2.464 ¥3.08
    • 500+

      ¥2.264 ¥2.83
    • 1000+

      ¥2.152 ¥2.69
  • 有货
  • IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.61
    • 500+

      ¥2.12
  • 有货
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.6
    • 30+

      ¥3.15
    • 100+

      ¥2.78
    • 500+

      ¥2.66
  • 有货
  • SL27714是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥4.312 ¥5.39
    • 10+

      ¥3.896 ¥4.87
    • 30+

      ¥3.664 ¥4.58
    • 100+

      ¥3.408 ¥4.26
    • 500+

      ¥3.288 ¥4.11
    • 1000+

      ¥3.24 ¥4.05
  • 有货
  • MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器,电流峰值1.5A,工作电压4.5~18V,快速开关(<40ns),支持反向电流500mA和5V噪声,适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动
    • 1+

      ¥4.5 ¥5
    • 10+

      ¥3.645 ¥4.05
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      ¥3.213 ¥3.57
    • 100+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 500+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器,FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.704 ¥6.72
    • 10+

      ¥3.66 ¥6.1
    • 30+

      ¥2.885 ¥5.77
    • 100+

      ¥2.69 ¥5.38
    • 500+

      ¥2.605 ¥5.21
    • 1000+

      ¥2.57 ¥5.14
  • 有货
  • 高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.79
  • 有货
  • SL21814 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥4.808 ¥6.01
    • 10+

      ¥4.344 ¥5.43
    • 30+

      ¥4.08 ¥5.1
    • 100+

      ¥3.792 ¥4.74
    • 500+

      ¥3.664 ¥4.58
    • 1000+

      ¥3.608 ¥4.51
  • 有货
  • 单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3
  • 有货
  • 700V,单通道驱动IC,栅极驱动电范围:10V-20V
    • 1+

      ¥5
    • 10+

      ¥4.05
    • 25+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.1
    • 500+

      ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.67
  • 有货
  • FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动MOSFET设计,可在高达 +250V 电压下工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.13
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.4
  • 订货
  • UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.93
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥4.33
  • 有货
  • 单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.49
    • 10+

      ¥4.46
    • 30+

      ¥3.94
    • 100+

      ¥3.42
  • 有货
  • 驱动配置:高低边 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:2.3A 峰值拉电流:1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥5.05
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.41
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:6V~25V 峰值灌电流:2.0A 峰值拉电流:2.0A
    • 1+

      ¥5.616 ¥6.24
    • 10+

      ¥4.644 ¥5.16
    • 30+

      ¥4.113 ¥4.57
    • 100+

      ¥3.51 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.24 ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.123 ¥3.47
  • 有货
  • NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装,可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.04
    • 100+

      ¥3.49
    • 500+

      ¥3.16
    • 1000+

      ¥2.99
  • 有货
  • MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器,采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下,类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动
    数据手册
    • 1+

      ¥5.85
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.51
  • 有货
  • 高边高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥5.1
    • 100+

      ¥4.73
  • 有货
  • 应用于电机控制和驱动,电动汽车快速充电。
    • 1+

      ¥6.14
    • 10+

      ¥5.06
    • 30+

      ¥4.47
    • 100+

      ¥3.8
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.552 ¥8.19
    • 10+

      ¥5.4 ¥6.75
    • 30+

      ¥4.768 ¥5.96
    • 100+

      ¥4.048 ¥5.06
    • 500+

      ¥3.728 ¥4.66
    • 1000+

      ¥3.584 ¥4.48
  • 有货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.64
    • 30+

      ¥5.04
    • 100+

      ¥4.36
  • 有货
  • NCV57200是一款高压栅极驱动器,具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电,也可通过自举技术由低端电源供电
    数据手册
    • 1+

      ¥6.75
    • 10+

      ¥6.06
    • 30+

      ¥5.68
    • 100+

      ¥5.25
    • 500+

      ¥5.06
    • 1000+

      ¥4.98
  • 有货
  • 高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.78
    • 10+

      ¥5.78
    • 30+

      ¥5.27
    • 100+

      ¥4.78
  • 有货
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