igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428器件是早先TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进型。在MOSFET的门极充放电时，TC4426/TC4427/TC4428器件具有匹配的上升和下降时间。在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有很好的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达5V的干扰峰值（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件能够接受强行返回至输出的高达500mA的反向电流（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部引脚都是完全静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）保护的，能够承受至多4kV的静电。TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET驱动器，能够在30ns之内，轻松地对1000pF的门极电容进行充电/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态也不会影响期望状态。其他兼容的驱动器是TC4426A/TC4427A/TC4428A系列器件。TC4426A/TC4427A/TC4428A器件，除了具有与TC4426/TC4427/TC4428器件类似的匹配上升和下降时间之外，还具有匹配的输入到输出的上升和下降延时时间。

数据手册

1+
￥13.58
10+
￥11.52
30+
￥10.23
100+
￥8.91

有货

立即购买

型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

1+
￥6.48
10+
￥5.36
30+
￥4.75
100+
￥4.05

有货

立即购买

型号：UCC27525D 编号：C1549461

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.61
30+
￥4.93
100+
￥4.16

有货

立即购买

型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.66
30+
￥5.01
100+
￥3.97

有货

立即购买

型号：TF21834M-TR 编号：C17701722

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.119 ￥7.91
10+
￥5.886 ￥6.54
30+
￥5.211 ￥5.79
100+
￥4.446 ￥4.94
500+
￥4.104 ￥4.56
1000+
￥3.951 ￥4.39

有货

立即购买

型号：2EDL05N06PF-JSM 编号：C7466372

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.263 ￥8.07
10+
￥5.967 ￥6.63
30+
￥5.256 ￥5.84
100+
￥4.446 ￥4.94
500+
￥4.086 ￥4.54
1000+
￥3.924 ￥4.36

有货

立即购买

型号：TPS2814DR 编号：C2676925

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2814 具有 2 个与门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.78
10+
￥6.48
30+
￥5.76
100+
￥4.95
500+
￥4.04

有货

立即购买

型号：DRV8703QRHBRQ1 编号：C181573

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.15
10+
￥6.74
30+
￥5.97
100+
￥5.1

有货

立即购买

型号：MAX5048BAUT+T 编号：C2677017

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

7.6A, 12ns, SOT23/TDFN MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥9.22
10+
￥7.72
30+
￥6.89
100+
￥5.41

有货

立即购买

型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥9.25
10+
￥7.66
30+
￥6.64
100+
￥5.65

有货

立即购买

型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.42
10+
￥7.79
30+
￥6.89

有货

立即购买

型号：TC4427COA 编号：C636890

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥9.57
10+
￥7.95
30+
￥7.06

有货

立即购买

型号：COS4421DT 编号：C46552823

封装：DIP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO及过温保护功能

1+
￥9.61
10+
￥7.99
50+
￥7.1
100+
￥6.09
500+
￥5.64
1000+
￥5.44

有货

立即购买

型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

1+
￥9.68
10+
￥8.15
30+
￥7.19
100+
￥6.2
500+
￥5.76
1000+
￥5.56

订货

我要订货

型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

数据手册

2500+
￥4.5621
5000+
￥4.521
7500+
￥4.4388

我要订货

型号：UCC27211DDAR 编号：C141980

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥9.79
10+
￥8.24
30+
￥7.28

有货

立即购买

型号：SLMi332CG-DG 编号：C22381784

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器，具备有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件，默认去饱和阈值为6.5V；对于有后缀H的器件，默认去饱和阈值为9V

1+
￥10.17
10+
￥8.64
30+
￥7.68

有货

立即购买

型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

数据手册

1+
￥10.4
10+
￥8.42
30+
￥7.18
100+
￥5.52

有货

立即购买

型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

1+
￥10.61
10+
￥8.95
30+
￥7.92
100+
￥6.86

有货

立即购买

型号：TF21844-3BS 编号：C6387920

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥10.624 ￥13.28
10+
￥9.056 ￥11.32
25+
￥8.072 ￥10.09
100+
￥7.072 ￥8.84
500+
￥6.616 ￥8.27
1000+
￥6.416 ￥8.02

有货

立即购买

型号：IR4426STRPBF 编号：C537737

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

数据手册

1+
￥10.71
10+
￥9
30+
￥7.93

有货

立即购买

型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

数据手册

1+
￥11
10+
￥9.72
30+
￥8.81

有货

立即购买

型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

数据手册

1+
￥11.39
10+
￥9.61
30+
￥8.5
100+
￥7.36

有货

立即购买

型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥12.17
10+
￥10.23
30+
￥9.02
100+
￥7.77

有货

立即购买

型号：MIC4420YM-TR 编号：C628026

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4420和MIC4429 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4429是反相驱动器，而MIC4420是非反相驱动器。它们能够提供6A（峰值）输出，并能驱动最大型的MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

数据手册

1+
￥12.24
10+
￥10.28
30+
￥9.05

有货

立即购买

型号：UCC27624QDGNRQ1 编号：C7372268

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率