igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617

有货

立即购买

型号：DOS27517 编号：C52140037

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107

有货

立即购买

型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

数据手册

5+
￥0.9133
50+
￥0.7117
150+
￥0.6253
500+
￥0.5175

有货

立即购买

型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454

有货

立即购买

型号：EG3035 编号：C48580030

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG3035是一款高性价比三相PMOS、NMOS管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。

5+
￥1.0828
50+
￥0.856
150+
￥0.7588
500+
￥0.6375

有货

立即购买

型号：G2020Q 编号：C41414473

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥1.1605
50+
￥0.9113
150+
￥0.8045
500+
￥0.6712
2500+
￥0.6118
5000+
￥0.5762

有货

立即购买

型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.1825
50+
￥1.0313
150+
￥0.9665
500+
￥0.8856

有货

立即购买

型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

5+
￥1.2429
50+
￥0.9707
150+
￥0.8541
500+
￥0.7085
2500+
￥0.6437
4000+
￥0.6048

有货

立即购买

型号：LKS563 编号：C2798406

封装：TSSOP-20

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS563 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成式全桥驱动芯片，芯片具有高侧驱动输出和低侧驱动输出各三组，可同时驱动六个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。最低输入电平可到3.3V。

单价：
￥1.38 / 个

有货

立即购买

型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

有货

立即购买

型号：NSG4428 编号：C41414516

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（反/同）、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.4572
50+
￥1.1442
150+
￥1.0101
500+
￥0.8428
2500+
￥0.7682
4000+
￥0.7235

有货

立即购买

型号：FD2607S 编号：C5187177

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

数据手册

5+
￥1.6109
50+
￥1.277
150+
￥1.1339
500+
￥0.9554

有货

立即购买

型号：IRS2001STRPBF-JSM 编号：C19673774

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：100ns，电机驱动

1+
￥1.632 ￥2.04
10+
￥1.592 ￥1.99
30+
￥1.56 ￥1.95
100+
￥1.536 ￥1.92

有货

立即购买

型号：FD2024S 编号：C2887371

封装：SOT-23-6

品牌：Fortior Tech(峰岹)

特性：电源电压：4.0V~18V。输出电流：+1.2A/-1.3A。 3.3V/5V输入逻辑兼容。 VCC欠压保护（UVLO）。输出与输入同相。 SOT23-6封装。应用：开关电源。高效MOSFET开关

数据手册

5+
￥1.6799
50+
￥1.3317
150+
￥1.1825
500+
￥0.9963

有货

立即购买

型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.6962
50+
￥1.3182
150+
￥1.1562
500+
￥0.9541
2500+
￥0.8641
4000+
￥0.81

有货

立即购买

型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A