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700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.29
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型号：SLM7888MD 编号：C785010

封装：TSSOP-20

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

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型号：TC4427VPA-JSM 编号：C20616627

封装：DIP-8

带上下电保护、欠压保护 TC4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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型号：NSG21271 编号：C41414525

封装：SOP-8

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

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型号：IR2113PBF-HX 编号：C52191356

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，支持3.3V逻辑输入，高边驱动可达600V，延时匹配适用于高频应用

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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￥4.55
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型号：UCC27423DR 编号：C2677322

封装：SOIC-8

具有 5V UVLO、使能功能和反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

数据手册

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型号：IRS21281STRPBF-JSM 编号：C41421794

封装：SOP-8

IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

数据手册

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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

数据手册

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型号：IRS2186STRPBF-JSM 编号：C5804625

封装：SOP-8

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.905 ￥5.45
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￥2.52 ￥2.8

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型号：TC4426AVOA713-JSM 编号：C7466364

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

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￥5.1425 ￥6.05
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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥5.5242 ￥8.37
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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

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￥5.67 ￥7.56
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￥5.49 ￥7.32
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型号：NSG21276 编号：C53436469

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥6.012 ￥6.68
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型号：GG1000 编号：C41414493

封装：SOP-8

700V 高边静态驱动，支持100%占空比

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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥6.2
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￥4.53
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￥3.86

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型号：TF21084-TUH 编号：C2683762

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥6.33
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￥5.7
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￥5.36
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￥4.97

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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￥5.823 ￥6.47
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￥4.869 ￥5.41

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型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112

封装：SOT-23-6

具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

数据手册

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￥4.2
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￥3.85

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型号：IR21364STRPBF-JSM 编号：C17701724

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥7.072 ￥8.32
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￥3.927 ￥4.62

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥7.128 ￥7.92
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￥6.561 ￥7.29
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型号：TC4427EOA 编号：C636891

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

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￥8.31
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￥6.83
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￥6.02
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￥5.11
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￥4.7

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型号：UCC27533DBVR 编号：C136638

封装：SOT-23-5