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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：LM2105DR 编号：C21316176

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：ZXGD3105N8TC 编号：C177100

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管，以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压，这样一来，一旦发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：IRS2186STRPBF-JSM 编号：C5804625

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：MC33151PG-HX 编号：C52191376

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器，电流峰值1.5A，工作电压4.5~18V，快速开关(<40ns)，支持反向电流500mA和5V噪声，适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动

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型号：IR2113PBF-HX 编号：C52191356

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，支持3.3V逻辑输入，高边驱动可达600V，延时匹配适用于高频应用

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型号：COS4429SR 编号：C5175413

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

6A，4.5V-25V，单通道，反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器

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型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

单价：
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型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN73901MX-JSM 编号：C7498960

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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型号：M81740FP-JSM 编号：C44606287

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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型号：IR2127STRPBF-JSM 编号：C7432818

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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型号：FAN73711MX 编号：C724808

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。

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