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封装：SOIC-8

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出，并且能驱动大型MOSFET，同时具备更高的安全工作裕量

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型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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型号：MIC4427YM-TR 编号：C461590

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：MCP1401T-E/OT 编号：C2676948

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器，能够提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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型号：ADP3624ARDZ-RL 编号：C659198

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：TC4420EPA 编号：C640742

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是6A（峰值）、单输出MOSFET驱动器，其中一款为反相驱动器，另一款为同相驱动器。采用CMOS制造，与双极驱动器相比，功耗更低，运行更高效。输入与TTL/CMOS兼容，输入电压可高至VDD + 0.3V或低至-5V，不会对器件造成干扰或损坏，无需外部电平转换电路，节省成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭时序期间。传播延迟时间仅为55 ns（典型值），在整个可用电源范围内，2500 pF负载下的输出上升和下降时间仅为25 ns（典型值）。与其他驱动器不同，几乎不会发生闩锁效应。可替代三个或更多分立元件，节省PCB面积和元件数量，提高整体系统可靠性。

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型号：HD1001 编号：C3024761

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：QH MICRO-E(乾鸿微)

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

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型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802

封装：VSSOP-10

品牌：TI(德州仪器)

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：HX293E-P 编号：C47002284

封装：DIP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

四通道推挽驱动器，每通道可提供高达1A的输出电流，TTL兼容逻辑输入独立控制每个通道，确保精确可靠运行。每对驱动器（全桥）配有抑制输入，可同时关闭四个晶体管，提高控制灵活性和安全性，适用于多种应用场景。

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型号：TD350ETR 编号：C155663

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

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型号：MCP14A0302T-E/KBA 编号：C625312

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A0301/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，能够在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 3.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A0301）和同相（MCP14A0302）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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