igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

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1+
￥4.23
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￥3.17
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￥2.79
100+
￥2.4
500+
￥2.17

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型号：TF0227-TAH 编号：C2836238

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.2
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￥3.75
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￥3.52
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型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

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1+
￥4.27
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￥3.43
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￥3.01
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￥2.59
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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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￥4.47
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￥3.53
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￥3.06
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￥2.6
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型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

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￥4.53
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￥3.62
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￥3.17
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￥2.72
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￥2.46
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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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￥4.82
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￥3.85
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￥3.33
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￥2.85
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￥2.56
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型号：NSG21834 编号：C53436452

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.013 ￥5.57
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￥4.122 ￥4.58
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￥3.672 ￥4.08
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￥2.826 ￥3.14

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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥3.808 ￥4.48

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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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￥5.18
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￥4.14
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￥3.63
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￥3.11
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型号：IRS2110STRPBF-JSM 编号：C5804622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.384 ￥6.73
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￥3.008 ￥3.76

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型号：FAN3111CSX 编号：C719780

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V

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￥5.66
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型号：COS4421SR 编号：C5175410

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO及过温保护功能

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型号：IR4427PBF-JSM 编号：C20616629

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 IR4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IR4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥5.8425 ￥6.15
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￥4.8165 ￥5.07
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￥3.2965 ￥3.47

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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.99
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￥5.42
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￥5.11
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型号：IX4428NTR 编号：C171846

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

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￥6.35
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型号：NSG2136 编号：C53436457

封装：SOP-28

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥6.516 ￥7.24
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￥5.355 ￥5.95
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￥4.77 ￥5.3
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￥4.194 ￥4.66
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￥3.672 ￥4.08

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型号：UCC27538DBVR 编号：C2677323

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥6.52
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型号：TC4427COA713 编号：C144205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥7.28
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￥6.15
30+
￥5.59
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￥5.03
500+
￥4.69
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￥4.52

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型号：FAN7385MX 编号：C556415

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7385 是单片 IC，设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路能使高端栅极驱动器的工作偏置电压达到 V

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￥7.52
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￥6.77
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￥6.3
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￥5.82
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￥5.6
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￥5.5

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型号：FAN7384MX 编号：C890851

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

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1+
￥7.91
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￥7.12
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￥6.63
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￥6.13
500+
￥5.9
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￥5.8

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

1+
￥9.34
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￥7.66
30+
￥6.74
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￥5.7
500+
￥5.24
1000+
￥5.03

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥9.64
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￥8
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￥7.09
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￥5.51
500+
￥5.05
1000+
￥4.85

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型号：IXDN604SITR 编号：C2677329

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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1+
￥11.88
10+
￥9.87
30+
￥8.76
100+
￥7.52
500+
￥6.96
1000+
￥6.71

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥17.87
10+
￥15.15
30+
￥13.44
100+
￥11.7

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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