igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27324DGNR 编号：C128607

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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￥4.6
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￥3.42
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￥3
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￥2.59
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￥2.34
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￥2.22

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型号：IRS2005STRPBF 编号：C191988

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥2.94
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￥2.01
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￥1.66
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￥1.51
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￥1.42

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型号：DRV8300DRGER-JSM 编号：C41421801

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

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￥3.12
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￥2.41
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￥2.11
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￥1.73

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型号：IR2136STRPBF-JSM 编号：C7466365

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥3.184 ￥3.98
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￥2.824 ￥3.53
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￥2.304 ￥2.88

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型号：TC4424VPA-JSM 编号：C20616626

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

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￥3.357 ￥3.73
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￥2.367 ￥2.63

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型号：SiLM22868CA-DG 编号：C49274308

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥3.86
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￥2.18
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￥2.07

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

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￥2.71

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型号：TF0227-TAH 编号：C2836238

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.2
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￥3.3

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥4.48 ￥5.6
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型号：NSD1025-DSPR 编号：C3029745

封装：SOP-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1025是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于MOSFET和IGBT。它能够向容性负载提供5A的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，可减少MOSFET开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使NSD1025适用于高频功率转换器应用

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￥4.53
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￥3.12
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￥2.66
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型号：LM5108DRCR 编号：C2676946

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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￥4.82
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型号：NCV5701ADR2G 编号：C603967

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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1+
￥4.86
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￥4.39
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￥4.15
100+
￥3.92
500+
￥3.3
1000+
￥3.23

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型号：TF2136M-TR 编号：C7466366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥4.879 ￥5.74
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￥3.9525 ￥4.65
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￥3.485 ￥4.1
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￥2.754 ￥3.24
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￥2.6095 ￥3.07

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型号：EG2125 编号：C2987445

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2125是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2125高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.8/1.3A，采用SSOP24封装。

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1+
￥5.01
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￥3.96
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￥3.44
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￥2.92
500+
￥2.53
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￥2.37

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型号：COS3122SR 编号：C30212522

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥5.27
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￥4.74
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￥3.78
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￥3.71

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型号：ID7S625SBC-R1-JSM 编号：C7432832

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

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￥5.339 ￥5.62
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￥4.313 ￥4.54
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￥3.8 ￥4
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￥3.2965 ￥3.47
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￥2.7835 ￥2.93

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型号：UCC27538DBVR 编号：C2677323

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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￥6.52
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￥5.78
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￥5.09
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￥4.57
500+
￥4.36

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型号：GBI7A56NMAR 编号：C49073985

封装：DFN-8L(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.6
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￥5.49
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￥4.88
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￥4.18
500+
￥3.88

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型号：TC4427ACOA713 编号：C144234

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥6.98
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￥5.67
30+
￥5.02
100+
￥4.37
500+
￥3.98
1000+
￥3.78

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型号：TC4427VOA 编号：C636893

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥7.05
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￥5.8
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￥5.17
100+
￥4.38
500+
￥4

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型号：UCC27524P 编号：C1549444

封装：PDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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