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首页 > 热门关键词 > igbt驱动芯片
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  • EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD(overline)内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A,采用SOP8封装。
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  • SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q
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      ¥1.2409
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      ¥1.0334
  • 有货
  • EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
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      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • 双通道2A 超高速功率开关驱动器,工作范围:4.5V~25V最大输入电压可达5V,在1nF 负载时,开关时间< 25ns
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      ¥2.1656
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      ¥1.167
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      ¥1.1022
  • 有货
  • 双通道2A 超高速功率开关驱动器,工作范围:4.5V~25V最大输入电压可达5V,在1nF 负载时,开关时间< 25ns
    • 5+

      ¥2.1656
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      ¥1.5176
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      ¥1.167
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      ¥1.1022
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  • FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片,设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET,可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压(UVLO)保护功能防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置输入信号滤波,防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。
    数据手册
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      ¥2.2722
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      ¥1.7139
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      ¥1.4746
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  • 该系列是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,提供了HX4426/4427/4428的更高输出电流版本,并改进了特性。这些系列引脚兼容,HX4423/4424/4425驱动器专为更苛刻的电气环境设计,能在额定功率和电压范围内的任何条件下提供可靠服务,能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰,无论极性如何。与其他CMOS或双极驱动器相比,HX4423/4424/4425驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低,并提供稳定的电压波动
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      ¥2.331 ¥2.59
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  • HX37323-S/HX27323-S是一款电源开关驱动器。它具有匹配的上升和下降时间,用于对电源开关的栅极进行充电和放电。在额定功率和电压范围内的任何条件下,HX37323-S/HX27323-S都具有较高的抗闩锁能力
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      ¥2.538 ¥2.82
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      ¥1.32
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  • 双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 含自举二极管 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4.0A 峰值拉电流:4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125
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      ¥2.72
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      ¥2.39
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      ¥1.97
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
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      ¥2.77
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      ¥2.5
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      ¥2.36
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      ¥2.22
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      ¥1.94
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      ¥1.89
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  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
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      ¥2.9735 ¥3.13
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      ¥2.641 ¥2.78
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      ¥2.47 ¥2.6
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      ¥2.3085 ¥2.43
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      ¥2.204 ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.1565 ¥2.27
  • 有货
  • 1A低侧栅极驱动器,具有可配置非对称漏/源
    数据手册
    • 1+

      ¥3.0375 ¥4.05
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      ¥2.3335 ¥3.59
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      ¥1.848 ¥3.36
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      ¥1.727 ¥3.14
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      ¥1.65 ¥3
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      ¥1.6115 ¥2.93
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  • 三相高低侧功率驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥3.1025 ¥3.65
    • 10+

      ¥2.482 ¥2.92
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      ¥2.1675 ¥2.55
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      ¥1.8615 ¥2.19
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      ¥1.6745 ¥1.97
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      ¥1.581 ¥1.86
  • 有货
  • TPM2752x 系列是一系列用于 MOSFET、IGBT 和 GaN 功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5 A 的高源电流和灌电流能力可通过缩短转换时间和降低开关损耗来提高开关效率。该器件支持最高 25 V 的电源电压和 -5 V 的直流输入电压能力,这提高了系统的稳健性,尤其适用于嘈杂的工业应用
    • 5+

      ¥3.28
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      ¥2.52
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      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.79
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
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      ¥2.72
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      ¥2.04
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      ¥1.83
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      ¥1.73
  • 有货
  • 300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
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      ¥3.6765 ¥3.87
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      ¥3.2585 ¥3.43
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      ¥3.059 ¥3.22
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      ¥2.85 ¥3
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      ¥2.7265 ¥2.87
    • 1000+

      ¥2.6695 ¥2.81
  • 有货
  • 高压600V, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥3.91
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      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.86
    • 500+

      ¥2.74
    • 1500+

      ¥2.68
  • 有货
  • SL2110是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.33
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.97
    • 1500+

      ¥2.9
  • 有货
  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
    • 1+

      ¥4.128 ¥5.16
    • 10+

      ¥3.256 ¥4.07
    • 30+

      ¥2.824 ¥3.53
    • 100+

      ¥2.392 ¥2.99
    • 500+

      ¥2.256 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.12 ¥2.65
  • 有货
    • 1+

      ¥4.218 ¥4.44
    • 10+

      ¥3.42 ¥3.6
    • 30+

      ¥3.021 ¥3.18
    • 100+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 500+

      ¥2.3845 ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.261 ¥2.38
  • 有货
  • NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器,主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术,该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻,驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.81
    • 30+

      ¥3.28
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      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.52
    • 1000+

      ¥2.37
  • 有货
  • NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器,适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流,同时具备轨到轨输出,以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟,使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.42
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.25
    • 500+

      ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • 9A,4.5V-18V,单同相,高速低功耗MOSFET低边驱动器,带使能,UVLO及过温保护功能
    • 1+

      ¥5.6
    • 10+

      ¥5.07
    • 30+

      ¥4.78
    • 100+

      ¥4.46
    • 500+

      ¥4.11
    • 1000+

      ¥4.05
  • 有货
  • NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅限 NCV5701C),方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源(以及 NCV5701B 双极偏置电源)电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装,经过 AEC-Q100 认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥4.89
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      ¥4.33
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      ¥3.77
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.78
  • 有货
  • UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥5.1
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.78
  • 有货
  • FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。
    • 1+

      ¥6.59
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      ¥5.34
    • 30+

      ¥4.71
    • 100+

      ¥4.09
    • 500+

      ¥3.72
    • 1000+

      ¥3.52
  • 有货
  • 2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅(thin-film-SOI)技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥6.6564 ¥7.74
    • 10+

      ¥6.0458 ¥7.03
    • 30+

      ¥5.7104 ¥6.64
    • 100+

      ¥5.332 ¥6.2
    • 500+

      ¥5.1686 ¥6.01
    • 1000+

      ¥5.0912 ¥5.92
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