igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥4.82
30+
￥4.26
100+
￥3.56

有货

立即购买

型号：EG12522 编号：C48580024

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源场合。

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

立即购买

型号：NSG6000 编号：C41414489

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥1.791605 ￥1.8859
50+
￥1.488745 ￥1.5671
150+
￥1.358975 ￥1.4305
500+
￥1.197 ￥1.26
2500+
￥1.124895 ￥1.1841
4000+
￥1.081575 ￥1.1385

有货

立即购买

型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0125
50+
￥1.5226
150+
￥1.3126
500+
￥1.0507

有货

立即购买

型号：APR346K6TR-G1 编号：C2650178

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器，支持连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗，并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压，APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号

1+
￥2.208 ￥2.3
10+
￥1.7458 ￥2.03
30+
￥1.4516 ￥1.91
100+
￥1.3376 ￥1.76
500+
￥1.292 ￥1.7
1000+
￥1.2616 ￥1.66

有货

立即购买

型号：SL27511A 编号：C46061828

封装：SOT-23-6L

品牌：Slkor(萨科微)

是一款4A峰值源电流和8A峰值灌电流驱动的单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET、IGBT和新兴的WBG功率开关。低传播延迟和紧凑的SOT23封装可实现数百kHz的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽VDD工作范围为4.5V至20V，可有效驱动MOSFET或GaN功率开关。集成的欠压锁定（UVLO）保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V至24V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下稳定运行。输入阈值与TTL输入兼容。

5+
￥2.2859
50+
￥1.8071
150+
￥1.6019
500+
￥1.3459
3000+
￥1.2319
6000+
￥1.1634

有货

立即购买

型号：UCC27519DBVT-JSM 编号：C7466356

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

1+
￥2.3
10+
￥2.03
30+
￥1.9
100+
￥1.76
500+
￥1.68
1000+
￥1.64

有货

立即购买

型号：MIC4428YM-HX 编号：C53284320

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4428YM-HX双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

5+
￥2.3821
50+
￥1.8832
150+
￥1.6693
500+
￥1.4025
2500+
￥1.2837

有货

立即购买

型号：MIC4426YM-HX 编号：C53284322

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4426/4427/4428YM-HX系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

5+
￥2.3821
50+
￥1.8832
150+
￥1.6693
500+
￥1.4025

有货

立即购买

型号：DOS2304 编号：C52140034

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

1+
￥2.65
10+
￥2.1
30+
￥1.86
100+
￥1.56
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

立即购买

型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

1+
￥2.6928 ￥3.06
10+
￥2.1208 ￥2.41
30+
￥1.8744 ￥2.13
100+
￥1.5664 ￥1.78
500+
￥1.4256 ￥1.62
1000+
￥1.3464 ￥1.53

有货

立即购买

型号：UCC27511DBVT-JSM 编号：C7466359

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

1+
￥3.008 ￥3.76
10+
￥2.408 ￥3.01
30+
￥2.104 ￥2.63
100+
￥1.8 ￥2.25
500+
￥1.624 ￥2.03
1000+
￥1.528 ￥1.91

有货

立即购买

型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.58
30+
￥2.25
100+
￥1.93

有货

立即购买

型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.4105 ￥3.59
10+
￥2.7455 ￥2.89
30+
￥2.413 ￥2.54
100+
￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.7955 ￥1.89

有货

立即购买

型号：U3315 编号：C400134

封装：TSSOP-20

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3315/6是一款高速三相栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT器件，具备三个独立的高端和低端参考输出通道。内置的死区时间保护和直通保护功能可防止半桥损坏。欠压锁定（UVLO）电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止器件出现故障

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.74
30+
￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.72

有货

立即购买

型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥2.93
30+
￥2.59
100+
￥2.26
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

有货

立即购买

型号：TF2113M-TEH 编号：C2683761

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥3.23
30+
￥3.03
100+
￥2.84
500+
￥2.72

有货

立即购买

型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92
100+
￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

立即购买

型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥3.06
30+
￥2.67
100+
￥2.28
500+
￥2.05

有货

立即购买

型号：BD9876AEFJ-BZE2 编号：C2979148

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥4.4
10+
￥3.59
30+
￥3.18
100+
￥2.78
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

有货

立即购买

型号：UCC27425DR 编号：C1848352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.03
30+
￥3.52
100+
￥3

有货

立即购买

型号：TF21814M-TUH 编号：C42441425

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.13
10+
￥4.59
30+
￥4.29
100+
￥3.96

有货

立即购买

型号：FAN3226TMX 编号：C903497

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.2416 ￥6.72
10+
￥4.148 ￥6.1
30+
￥3.3466 ￥5.77
100+
￥3.1204 ￥5.38
500+
￥3.0218 ￥5.21
1000+
￥2.9812 ￥5.14

有货

立即购买

型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥5.6028 ￥6.44
10+
￥5.481 ￥6.3
30+
￥5.394 ￥6.2
100+
￥5.307 ￥6.1

有货

立即购买

型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.73
10+
￥4.65
50+
￥3.95
100+
￥3.42
500+
￥3.1
1000+
￥2.93

订货

我要订货

型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

1+
￥5.814 ￥6.12
10+
￥4.6835 ￥4.93
30+
￥4.1135 ￥4.33
100+
￥3.553 ￥3.74
500+
￥3.2205 ￥3.39
1000+
￥3.0495 ￥3.21

有货

立即购买

型号：SIC654CD-T1-GE3 编号：C1852094

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

数据手册

1+
￥6.06
10+
￥4.98
30+
￥4.39
100+
￥3.6456 ￥3.72
500+
￥3.3516 ￥3.42
1000+
￥3.2242 ￥3.29

有货

立即购买

型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥7.14
10+
￥5.86
30+
￥5.15
100+
￥4.36

有货

立即购买

型号：TC4427ACOA713 编号：C144234

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥7.99
10+
￥6.43
30+
￥5.65
100+
￥4.88

有货

立即购买

型号：MCP1407-E/SN 编号：C52138

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，提供足够低的阻抗（在导通和关断状态下），以确保即使存在大的瞬变，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册

1+
￥8.02
10+
￥6.58
30+
￥5.79
100+
￥4.9

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示