igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

数据手册

1+
￥9.37
10+
￥7.74
30+
￥6.85

有货

立即购买

型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.42
30+
￥4.81
100+
￥4.11
500+
￥3.53

有货

立即购买

型号：FAN7385MX 编号：C556415

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7385 是单片 IC，设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路能使高端栅极驱动器的工作偏置电压达到 V

数据手册

1+
￥7.52
10+
￥6.77
30+
￥6.3
100+
￥5.82
500+
￥5.6
1000+
￥5.5

有货

立即购买

型号：TF2117-3AS 编号：C6387924

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥8.08
10+
￥6.72
50+
￥5.96
100+
￥5.11

有货

立即购买

型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

1+
￥8.512 ￥10.64
10+
￥7.312 ￥9.14
30+
￥6.56 ￥8.2
100+
￥4.984 ￥6.23
500+
￥4.632 ￥5.79
1000+
￥4.48 ￥5.6

有货

立即购买

型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

数据手册

1+
￥8.67
10+
￥7.05
30+
￥6.16
100+
￥5.15
500+
￥4.71
1000+
￥4.5

有货

立即购买

型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

1+
￥9.39
10+
￥7.71
30+
￥6.79
100+
￥5.75
500+
￥5.29
1000+
￥5.08

有货

立即购买

型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

数据手册

1+
￥10.71
10+
￥9.77
30+
￥9.18
100+
￥8.57
500+
￥8.3

有货

立即购买

型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

数据手册

1+
￥11.99
10+
￥10.12
30+
￥8.95
100+
￥7.75

有货

立即购买

型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥12.38
10+
￥12.09
30+
￥11.9
100+
￥11.466 ￥11.7

有货

立即购买

型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

数据手册

1+
￥20.62
10+
￥17.81
30+
￥16.13
100+
￥14.44

有货

立即购买

型号：TC4429CPA 编号：C640801

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

数据手册

1+
￥25.76
10+
￥22
60+
￥19.77

有货

立即购买

型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
10+
￥25.8
30+
￥23.41
100+
￥19.5
500+
￥18.38
1000+
￥17.88

订货

我要订货

型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥31.73
10+
￥26.92
30+
￥24.05
100+
￥21.16

有货

立即购买

型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

数据手册

1+
￥39.36
10+
￥34.09
30+
￥30.88

有货

立即购买

型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

数据手册

1+
￥54.08
10+
￥46.13
30+
￥41.29
100+
￥37.23

有货

立即购买

型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

数据手册

1+
￥58.01
10+
￥49.59
30+
￥44.46
100+
￥40.16

有货

立即购买

型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥62.14
10+
￥52.88
30+
￥47.24
100+
￥42.52

有货

立即购买

型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

数据手册

1+
￥163.85
30+
￥155.16

有货

立即购买

型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

数据手册

单价：
￥0.378 / 个

有货

立即购买

型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

5+
￥0.5267
50+
￥0.4187
150+
￥0.3647
500+
￥0.3242
2500+
￥0.2918

有货

立即购买

型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
2500+
￥0.3397

有货

立即购买

型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.7912
50+
￥0.6232
150+
￥0.5391
500+
￥0.4761
2500+
￥0.4257

有货

立即购买

型号：NSG0462UQ 编号：C41414784

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，还集成了热关闭保护。