igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

数据手册

5+
￥0.9625
50+
￥0.7609
150+
￥0.6745
500+
￥0.5403
2500+
￥0.4923

有货

立即购买

型号：MCP1415T-E/OT-JSM 编号：C18195000

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器。

5+
￥1.01272 ￥1.2659
50+
￥0.87832 ￥1.0979
150+
￥0.82072 ￥1.0259
500+
￥0.7488 ￥0.936
3000+
￥0.736 ￥0.92
6000+
￥0.7168 ￥0.896

有货

立即购买

型号：IRS44273LTRPBF-TP 编号：C51939582

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.206956 ￥1.5881
50+
￥0.95418 ￥1.2555
150+
￥0.845804 ￥1.1129
500+
￥0.7106 ￥0.935
3000+
￥0.650408 ￥0.8558
6000+
￥0.614308 ￥0.8083

有货

立即购买

型号：IX4426NTR-JSM 编号：C7466362

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

5+
￥1.27208 ￥1.5901
50+
￥0.98984 ￥1.2373
150+
￥0.86888 ￥1.0861
500+
￥0.718 ￥0.8975
2500+
￥0.6508 ￥0.8135
4000+
￥0.6104 ￥0.763

有货

立即购买

型号：IRS2104STRPBF-JSM 编号：C5804630

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.296845 ￥1.5257
50+
￥1.138235 ￥1.3391
150+
￥1.070235 ￥1.2591
500+
￥0.985405 ￥1.1593
2500+
￥0.947665 ￥1.1149
4000+
￥0.925055 ￥1.0883

有货

立即购买

型号：TPNCP51100ASNT1G 编号：C51939663

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.408128 ￥1.8528
50+
￥1.113172 ￥1.4647
150+
￥0.986784 ￥1.2984
500+
￥0.829084 ￥1.0909
3000+
￥0.75886 ￥0.9985
6000+
￥0.71668 ￥0.943

有货

立即购买

型号：FAN3111ESX-JSM 编号：C20606851

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583

有货

立即购买

型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.496 ￥1.87
10+
￥1.296 ￥1.62
30+
￥1.208 ￥1.51
100+
￥1.096 ￥1.37
500+
￥1.048 ￥1.31
1000+
￥1.024 ￥1.28

有货

立即购买

型号：DOS4427 编号：C42395831

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

2A 双通道超高速功率开关驱动器

5+
￥1.5957
50+
￥1.253
150+
￥1.1061
500+
￥0.9228
2500+
￥0.8412
4000+
￥0.7922

有货

立即购买

型号：UCC27519DBVR-JSM 编号：C7466357

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

5+
￥1.66
50+
￥1.45
150+
￥1.36
500+
￥1.25
3000+
￥1.2
6000+
￥1.17

有货

立即购买

型号：GBI7254MMAR 编号：C5451741

封装：EMSOP-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。

5+
￥1.71
50+
￥1.53
150+
￥1.39
500+
￥1.32
2500+
￥1.29

有货

立即购买

型号：EG44273 编号：C2987460

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.7534
50+
￥1.3615
150+
￥1.1935
500+
￥0.9839

有货

立即购买

型号：RS8801HXF5 编号：C20611882

封装：SOT-23-5

品牌：RUNIC(润石)

低成本栅极驱动设备，可有效替代NPN和PNP分立解决方案。具有5A峰值源极和灌电流对称驱动能力。能够处理输入处的负电压（-4V）。快速传播延迟（典型值11ns）

5+
￥1.9634
50+
￥1.5098
150+
￥1.3154
500+
￥1.0729
3000+
￥0.9649

有货

立即购买

型号：GT4426DTR 编号：C19267458

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.98
10+
￥1.73
30+
￥1.62
100+
￥1.49
500+
￥1.43
1000+
￥1.39

有货

立即购买

型号：FAN3100TSX-JSM 编号：C7432823

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO LSLTTL -40 to 125

1+
￥2.432 ￥2.56
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥1.919 ￥2.02
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.6625 ￥1.75

有货

立即购买

型号：IRS2005STRPBF 编号：C191988

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

立即购买

型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.11
30+
￥1.87
100+
￥1.57
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

有货

立即购买

型号：UCC27511ADBVR 编号：C2676982

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.38
30+
￥2.23
100+
￥2.07
500+
￥1.98
1000+
￥1.94

有货

立即购买

型号：UCC27624DR 编号：C3655293

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.24
30+
￥1.98
100+
￥1.64
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

立即购买

型号：HX33152-S 编号：C41399166

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX33152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥2.988 ￥3.32
10+
￥2.394 ￥2.66
30+
￥2.106 ￥2.34
100+
￥1.809 ￥2.01
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

立即购买

型号：BD69830FV-GE2 编号：C600649

封装：SSOP-B14

品牌：ROHM(罗姆)

BD69830FV是一款24V单线圈无刷直流风扇电机驱动器。该器件集成了高效DMOS H桥驱动器、用于霍尔元件的稳压输出，且转速由输入PWM信号控制。

1+
￥3
10+
￥2.7
30+
￥2.54
100+
￥2.39
500+
￥2.3
1000+
￥2.25

有货

立即购买

型号：TPM27524-DF4R 编号：C5211279

封装：DFN-8(2x2)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。

5+
￥3.28
50+
￥2.52
150+
￥2.2
500+
￥1.79
2500+
￥1.61

有货

立即购买

型号：EG1168 编号：C20416230

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V，VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

1+
￥3.38
10+
￥2.98
30+
￥2.78
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.39

有货

立即购买

型号：NSG2127 编号：C41414524

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

1+
￥3.5435 ￥3.73
10+
￥3.1445 ￥3.31
30+
￥2.945 ￥3.1
100+
￥2.755 ￥2.9
500+
￥2.6315 ￥2.77
1000+
￥2.5745 ￥2.71

有货

立即购买

型号：DOS2181 编号：C52140036

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

700V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥3.59
10+
￥2.91
30+
￥2.57
100+
￥2.23
500+
￥2.03
1000+
￥1.92

有货

立即购买

型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.43
30+
￥3
100+
￥2.59
500+
￥2.33
1000+
￥2.2

有货

立即购买

型号：NSG4420 编号：C46473158

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。