igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

数据手册

1+
￥65.08
10+
￥55.97
30+
￥50.42
100+
￥45.76

有货

立即购买

型号：L6386ED013TR 编号：C2653797

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥5.9631 ￥15.29
10+
￥5.6784 ￥14.56
30+
￥5.5107 ￥14.13
100+
￥5.343 ￥13.7
500+
￥5.2611 ￥13.49
1000+
￥5.226 ￥13.4

有货

立即购买

型号：MC33152DR2G 编号：C12160

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥6.23
10+
￥5.03
30+
￥4.44
100+
￥3.85
500+
￥3.49
1000+
￥3.31

有货

立即购买

型号：TF2181M-TAH 编号：C2885961

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥7.48 ￥8.5
10+
￥6.2744 ￥7.13
30+
￥5.6144 ￥6.38
100+
￥4.3032 ￥4.89
500+
￥3.9688 ￥4.51
1000+
￥3.8192 ￥4.34

有货

立即购买

型号：FAN73893MX-JSM 编号：C7498992

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥7.488 ￥9.36
10+
￥6.192 ￥7.74
30+
￥5.48 ￥6.85
100+
￥4.68 ￥5.85
500+
￥4.32 ￥5.4
1000+
￥4.16 ￥5.2

有货

立即购买

型号：FAN7384MX 编号：C890851

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥7.91
10+
￥7.12
30+
￥6.63
100+
￥6.13
500+
￥5.9
1000+
￥5.8

有货

立即购买

型号：FAN73892MX-JSM 编号：C7498950

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥7.956 ￥9.36
10+
￥6.579 ￥7.74
30+
￥5.8225 ￥6.85
100+
￥4.9725 ￥5.85
500+
￥4.59 ￥5.4
1000+
￥4.42 ￥5.2

有货

立即购买

型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥8.28
10+
￥6.84
30+
￥6.05
100+
￥5.16
500+
￥4.76
1000+
￥4.58

有货

立即购买

型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

数据手册

1+
￥9.0904 ￥10.33
10+
￥7.5504 ￥8.58
30+
￥6.7056 ￥7.62
100+
￥5.7464 ￥6.53
500+
￥4.6816 ￥5.32
1000+
￥4.488 ￥5.1

有货

立即购买

型号：NCD5701ADR2G 编号：C603415

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。

数据手册

1+
￥9.68
10+
￥8.14
30+
￥7.17
100+
￥6.18
500+
￥5.73
1000+
￥5.54

有货

立即购买

型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥10.84
10+
￥9.22
25+
￥7.5
100+
￥6.46

有货

立即购买

型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

1+
￥10.87
10+
￥9.17
30+
￥8.1
100+
￥7

有货

立即购买

型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

1+
￥12.52
10+
￥10.56
30+
￥9.33
100+
￥8.07
500+
￥7.51

有货

立即购买

型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥15.46
10+
￥13.18
30+
￥11.75
100+
￥9.29
500+
￥8.63

有货

立即购买

型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

数据手册

1+
￥16.37
10+
￥13.79
30+
￥12.17

有货

立即购买

型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.72
10+
￥14.08
30+
￥12.42
250+
￥10.73

有货

立即购买

型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

1+
￥17.69
10+
￥15.05
30+
￥13.4
100+
￥10.37
500+
￥9.61
1500+
￥9.28

有货

立即购买

型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥17.84
10+
￥15.13
30+
￥13.43
100+
￥11.69
500+
￥10.91
1000+
￥10.57

有货

立即购买

型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥23.21
10+
￥19.73
45+
￥17.66
90+
￥15.56

有货

立即购买

型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

1+
￥24.4
10+
￥20.7
30+
￥18.5
100+
￥16.27
500+
￥15.25
1000+
￥14.78

有货

立即购买

型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

数据手册

1+
￥30.82
10+
￥26.58
30+
￥24.07
100+
￥21.52

有货

立即购买

型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

数据手册