半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

3203 是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET 和IGBT。芯片含有独立的高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN 同相，低压侧输出与逻辑输入!LIN 反相，其逻辑输入电平可低至3.3V。

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型号：3201ESA/T 编号：C2684797

封装：SOP-8

3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片，具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V。

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型号：3520DESA/T 编号：C336588

封装：SOIC-8

相同型号IMP3520DESA/T 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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型号：3253EPA 编号：C336589

封装：DIP-8

相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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型号：MIC4605-2YMT-T5 编号：C633061

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

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型号：MIC4604YMT-TR 编号：C515515

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

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￥7.722 / 个

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：NCP5109ADR2G 编号：C190726

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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型号：L6385ED013TR 编号：C111182

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥6.652884 / 个

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型号：MCP14628-E/MF 编号：C132555

封装：TDFN-8-EP(3x3)

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型号：MIC4607-1YML-TR 编号：C621923

封装：QFN-28-EP(4x5)

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型号：MIC4607-2YTS-T5 编号：C633069

封装：TSSOP-28

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型号：MIC4607-1YTS-TR 编号：C628055

封装：TSSOP-28

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型号：MIC4607-2YTS-TR 编号：C628056

封装：TSSOP-28

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型号：MCP14628-E/SN 编号：C220795

封装：SOIC-8

MCP14628是一款双MOSFET栅极驱动器，专为在非隔离同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道MOSFET而设计。MCP14628通常能够从高端和低端驱动器提供2A的峰值电流，是缺乏集成栅极驱动器的降压控制器的理想搭档。此外，该器件允许将栅极驱动器靠近功率MOSFET放置，从而提供了更高的设计灵活性

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型号：MIC4607-2YML-T5 编号：C633068

封装：-

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型号：MIC4101YM 编号：C637518

封装：SOIC-8

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型号：LM27222SD/NOPB 编号：C2677107

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：MCP14700T-E/SN 编号：C512179

封装：SOIC-8

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型号：MCP14700-E/MF 编号：C220821

封装：TDFN-8-EP(3x3)

是一款高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高端和低端N沟道MOSFET。特别适合驱动低FOM MOSFET，包括Microchip的MCP87000系列高速MOSFET。有两个PWM输入，允许独立控制外部N沟道MOSFET。

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型号：MCP14700T-E/MF 编号：C622953

封装：TDFN-8-EP(3x3)

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￥7.271
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型号：LM5113TME/NOPB 编号：C181340

封装：DSBGA-12

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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￥20.755441 / 个

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型号：MIC4102YM 编号：C637519

封装：SOIC-8

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￥32.38
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￥24.04

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型号：LMG3411R070RWHT 编号：C2680262

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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￥62.0784 / 个

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型号：LM5109ASDX/NOPB 编号：C2677118

封装：WSON-8-EP(4x4)