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UCC2751x单通道、高速、低侧栅极驱动器

型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

5+
￥1.7463
50+
￥1.3997
150+
￥1.2305
500+
￥1.0796
3000+
￥0.9336
6000+
￥0.9087

有货

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有刷直流电机驱动芯片 45V

型号：DRV8701ERGER 编号：C90964

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.31
10+
￥3.67
30+
￥3.21
100+
￥2.84
500+
￥2.72
1000+
￥2.65

有货

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LM5106 100-V 半桥栅极驱动器带可编程死区时间

型号：LM5106MMX/NOPB 编号：C91879

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.47
10+
￥3.67
30+
￥3.27
100+
￥2.88
500+
￥2.58
1000+
￥2.45

有货

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1A 有刷直流电机驱动芯片 60V

型号：DRV8803PWPR 编号：C114177

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8803 具有 PWM 控制的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

数据手册

1+
￥6.59
10+
￥5.34
30+
￥4.72
100+
￥4.1
500+
￥3.4
1000+
￥3.2

有货

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双路5A高速低侧栅极驱动器

型号：UCC27524DR 编号：C465729

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

MOS驱动芯片，UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥2.39
10+
￥1.83
30+
￥1.56
100+
￥1.32
500+
￥1.25
1000+
￥1.21

有货

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有刷直流电机驱动芯片 5.5V

型号：DRV8701PRGER 编号：C114178

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.48
10+
￥5.33
30+
￥4.75
100+
￥3.88
500+
￥3.54
1000+
￥3.36

有货

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100V三相智能栅极驱动器

型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥17.38
10+
￥14.63
30+
￥12.92
100+
￥11.16
500+
￥10.36
1000+
￥10.02

有货

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具备负输入电压能力的双路5A高速低侧栅极驱动器

型号：UCC27524ADR 编号：C185857

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524A 具有负输入电压能力的双路 5A，高速，低侧栅极功率 MOSFET 驱动器

数据手册

5+
￥1.6911
50+
￥1.321
150+
￥1.1623
500+
￥1.0011
2500+
￥0.9129
5000+
￥0.86

有货

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双5A高速低侧栅极驱动器

型号：UCC27524DSDR 编号：C2676911

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.19
30+
￥1.95
100+
￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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具有跨导保护和低开关损耗的3A 120V半桥驱动器

型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥6.82
10+
￥5.57
30+
￥4.94
100+
￥4.25
500+
￥3.88
1000+
￥3.69

有货

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单通道高速低侧栅极驱动器，具有负输入电压能力

型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.75
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.81

有货

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无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V

型号：DRV8301DCAR 编号：C98969

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥20.08
10+
￥17.19
30+
￥15.39
100+
￥12.31
500+
￥11.48
1000+
￥11.11

有货

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适用于高频和窄脉冲应用的汽车用低侧氮化镓（GaN）和MOSFET驱动器

型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥21.51
10+
￥18.52
30+
￥16.66
100+
￥14.75
500+
￥13.88

有货

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TPS1HTC30AQPWPRQ1

型号：TPS1HTC30AQPWPRQ1 编号：C22414694

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥21.7
10+
￥19.17
30+
￥17.88
100+
￥16.15
500+
￥15.53
1000+
￥15.27

有货

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具有-10V输入能力、30V、5A双通道低侧栅极驱动器

型号：UCC27624DR 编号：C3655293

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.55
30+
￥2.27
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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UCC2751x单通道、高速、低侧栅极驱动器

型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

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100V三相智能栅极驱动器

型号：DRV8353FHRTAR 编号：C1518721

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥31.18
10+
￥27.9
30+
￥25.8
100+
￥23.77

有货

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100V 35A GaN半桥功率模块

型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥37.25
10+
￥32.41
30+
￥29.46
100+
￥26.98

有货

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高低侧栅极驱动器

型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.3
10+
￥6.98
30+
￥6.25
100+
￥5.43
500+
￥5.07
1000+
￥4.9

有货

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适用于1ns脉宽应用的低侧GaN和MOSFET驱动器

型号：LMG1020YFFR 编号：C506817

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥18.6
10+
￥15.87
30+
￥14.17
100+
￥12.43
500+
￥11.64
1000+
￥11.3

有货

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