半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

数据手册

1+
￥37.05
10+
￥36.11
30+
￥35.49

有货

立即购买

型号：A4928KLPTR-T 编号：C5571739

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4928 是一款 N 沟道功率 MOSFET 驱动器，能够控制以半桥形式连接的 MOSFET，专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机、螺线管和执行器。A4928 适用于必须满足 ASIL 要求的汽车系统。与其他 Allegro A²SIL(TM) 产品一样，该器件集成了有助于完善系统设计的特性，使用户能够达到所需的 ASIL 等级

1+
￥40.18
10+
￥39.29
30+
￥38.7

有货

立即购买

型号：LCS701HG 编号：C568298

封装：SIP-13

1+
￥44.36
10+
￥43.23
30+
￥42.48

有货

立即购买

型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥49.56
10+
￥42.93
30+
￥38.89

有货

立即购买

型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥55.73
10+
￥48.28
25+
￥43.73

有货

立即购买

型号：LCS705HG 编号：C568304

封装：SIP-13

1+
￥59.19
10+
￥50.43
30+
￥45.09

有货

立即购买

型号：LCS708HG 编号：C568305

封装：SIP-13

是集成 LLC 功率级，采用多功能控制器、高端和低端栅极驱动器，以及半桥配置的两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压 (ZVS) 下切换功率 MOSFET 来提供高效率，消除开关损耗。

1+
￥104.9
10+
￥101.74

有货

立即购买

型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

数据手册

单价：
￥63.9468 / 个

我要订货

型号：EG2134 编号：C480661

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.17
30+
￥1.9
100+
￥1.56
500+
￥1.41
1000+
￥1.32

订货

我要订货

型号：ISL6208CBZ-T 编号：C2677051

封装：SOIC-8

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

数据手册

1+
￥3.42
10+
￥3.33
30+
￥3.27

有货

立即购买

型号：CSC3120 编号：C5250044

封装：SOP-16

品牌：无锡友达

电路是一款高耐压、高速的MOSFET栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放大器应用而设计。采用灵活的开放式拓扑结构实现PWM调制。该产品具有双向过流检测与保护功能。该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。该产品内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更小的音频输出背景噪声。

数据手册

1+
￥10.38
10+
￥8.88
30+
￥8.06
100+
￥5.51
500+
￥5.1
1000+
￥4.91

有货

立即购买

型号：ISL6612ACBZ-T 编号：C2677039

封装：SOIC-8

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动

数据手册

1+
￥12.99
10+
￥12.66
30+
￥12.44

有货

立即购买

型号：YD7127 编号：C5250039

封装：SOP-16

品牌：无锡友达

一款高耐压、高速MOSFET栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放大器应用而设计。具有双向过流检测与保护功能，该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更小的音频输出背景噪声。

数据手册

1+
￥18.59
10+
￥15.45
50+
￥13.59
100+
￥11.7

有货

立即购买

型号：ISL6208CRZ-T 编号：C3655341

封装：QFN-8(3x3)

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案

1+
￥23.18
10+
￥19.96
30+
￥18.05

有货

立即购买

型号：LCS702HG 编号：C568300

封装：SIP-13

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

数据手册

1+
￥37.28
10+
￥32.29
30+
￥29.25

有货

立即购买

型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

单价：
￥3.263656 / 个

我要订货

型号：CSD88599Q5DCT 编号：C701755

封装：SON-22(5x6)

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

数据手册

单价：
￥16.963727 / 个

我要订货

型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

数据手册

单价：
￥8.92944 / 个

我要订货

型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

单价：
￥32.493321 / 个

我要订货

型号：2SD315AI 编号：C1524113

封装：DIP-42

数据手册

5+
￥422.5
10+
￥373.75
50+
￥357.5
200+
￥347.75

我要订货

型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

订货

我要订货

型号：AiP2163SA8.TB 编号：C52260123

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V高压半桥驱动电路

5+
￥1.1309
50+
￥0.8941
200+
￥0.7925

有货

立即购买

型号：AiP2119TA20.TR 编号：C52260121

封装：TSSOP-20

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V三相桥式驱动电路

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92

有货

立即购买

型号：AiP2119TA24.TB 编号：C52260122

封装：TSSOP-24

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V三相桥式驱动电路

1+
￥4.41
10+
￥3.57
62+
￥3.15

有货

立即购买

型号：3520DEPA 编号：C336587

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DEPA 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

数据手册

1+
￥5.23
10+
￥4.23
50+
￥3.74

有货

立即购买

型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.19702
50+
￥7.56648
100+
￥7.440372
500+
￥7.188156
1000+
￥7.062048

我要订货

型号：IRS2011STRPBF 编号：C83840

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

10+
￥27.071347
100+
￥23.355672
1000+
￥21.497834

我要订货

型号：6ED2742S01QXTMA1 编号：C6462126

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2742S01Q是一款基于SOI技术的160 V栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成的自举二极管用于为三个外部高端自举电容充电，并通过涓流充电泵支持100%占空比运行。保护功能包括欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。在VSS和COM之间集成了一个增益可选的电流检测运算放大器（CSA）。

单价：
￥22.454 / 个

我要订货

型号：MASTERGAN4TR 编号：C5252510

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

单价：
￥28.133326 / 个

我要订货

型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)