半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：2EDL05I06PFXUMA1 编号：C2676937

封装：DSO-8

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型号：2EDR8259HXUMA1 编号：C17531538

封装：SOIC-16

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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￥15.26
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￥13.03
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型号：IR2302SPBF 编号：C537626

封装：SOIC-8

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型号：FAN73892MX 编号：C604979

封装：SOIC-28-300mil

FAN73892是一款单片式三相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动最高工作电压达 +600 V的MOSFET和IGBT而设计。仙童（Fairchild）的高压工艺和共模噪声消除技术可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。

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￥10.27719
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￥10.183761
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￥10.090332

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

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￥10.00615
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￥9.915185
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￥9.82422

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型号：UCC27210D 编号：C2878269

封装：SOIC-8

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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单价：
￥14.7852 / 个

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型号：DRV8906QPWPRQ1 编号：C1858362

封装：HTSSOP-24-EP

DRV8906-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、6 通道半桥电机驱动器

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￥7.9235
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￥7.314
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￥7.00925
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￥6.8264
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￥6.7045

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型号：LM5113SD/NOPB 编号：C181365

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥23.272767 / 个

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型号：UCC27201ADRCR 编号：C544737

封装：VSON-9-EP(3x3)

UCC27201A 120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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￥4.94
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￥4.256
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￥4.066

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型号：NCP5106ADR2G 编号：C78282

封装：SOIC-8

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥3.696966
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￥3.66366
7500+
￥3.597048

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型号：FAN7390MX 编号：C606093

封装：SOIC-8

FAN7390 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于 PDP 保持脉冲驱动器、电机驱动器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥5.6943
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￥5.4834
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￥5.0616
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￥4.8507
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￥4.6398

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥12.17525
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￥8.85467
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￥7.184808

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型号：MP18021HQ-A-LF-Z 编号：C3655756

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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￥16.2212
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￥14.4188
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￥13.5996
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￥11.2237
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￥7.8414
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型号：UCC27301AQDDARQ1 编号：C41488145

封装：SO-8

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制

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￥9.18 / 个

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

品牌：ST(意法半导体)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

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￥19.25
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￥18.83
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￥18.55
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￥18.27

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型号：MP1925HR-LF-Z 编号：C6674552

封装：QFN-8(4x4)

品牌：MPS(芯源)

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￥20.343051
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￥19.328396
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￥16.628967
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￥13.927815
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￥10.249907

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型号：MPQ1925HR-LF-Z 编号：C6909584

封装：QFN-8(4x4)

品牌：MPS(芯源)

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￥21.693627
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￥18.57042
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￥17.304255
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￥14.687514
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￥11.311074

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型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

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￥4.813848
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￥4.77048
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￥4.683744

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型号：MAX15013AASA+T 编号：C2677247

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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1+
￥31.9677
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￥30.6682
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￥29.8885
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￥28.589
500+
￥28.0692

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型号：IR2113SPBF 编号：C537556

封装：SOIC-16-300mil

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥26.11
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￥25.88
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￥25.65

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型号：DRV8955PPWPR 编号：C3655804

封装：HTSSOP-28

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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￥18.48
40+
￥18.312
60+
￥18.144

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型号：NCP51705MNTXG 编号：C603753

封装：QFN-24-EP(4x4)