英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥4.66
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￥3.88
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￥3.49
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￥2.147 ￥2.26

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型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.32
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￥4.49
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￥4.07
100+
￥3.66
500+
￥2.56
800+
￥2.43

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型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.79
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￥4.84
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￥3.5
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￥3.03
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￥2.75
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￥2.6

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型号：IRFR7446TRPBF 编号：C97243

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥2.71
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￥2.13
30+
￥1.88
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￥1.57
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型号：IRF200S234 编号：C459945

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥10.54
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￥8.97
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￥8.1
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￥6.23
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￥5.6

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥2.95
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￥2.05
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型号：IRL40SC228 编号：C538127

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥13.02
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￥11.14
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￥9.97
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￥8.22

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型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥10.8071 ￥16.13
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￥8.7609 ￥15.37
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￥7.0124 ￥14.92
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￥6.7022 ￥14.26
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￥6.6552 ￥14.16

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型号：IRL7472L1TRPBF 编号：C538140

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥23.24
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￥20.03
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型号：IRFB7545PBF 编号：C2997913

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥4.42
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￥3.09
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￥2.65
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￥2.38
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型号：IRFB7537PBF 编号：C537871

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥4.73
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￥3.88
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￥3.01
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型号：IRL40SC209 编号：C538126

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥15.5127 ￥18.69
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￥13.0013 ￥17.81
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￥10.8927 ￥17.29
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￥10.5588 ￥16.76
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型号：BSO110N03MSG 编号：C476117

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。高频开关电源的低品质因数FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。极低导通电阻RDS(on)@VGS = 4.5V。出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积（FOM）。符合消费级应用要求。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥4.86
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￥3.41
100+
￥2.94
500+
￥2.65
1000+
￥2.5

有货

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型号：IRFR7540TRPBF 编号：C3007637

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.57
30+
￥2.42
100+
￥2.28
500+
￥1.89

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型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥4.48
10+
￥3.82
50+
￥2.85
100+
￥2.52
500+
￥2.33

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型号：IRFS7434TRLPBF 编号：C538030

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥6.2244 ￥15.96
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￥4.4109 ￥15.21
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￥2.8044 ￥14.76
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￥2.7189 ￥14.31
500+
￥2.679 ￥14.1
800+
￥2.6619 ￥14.01

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型号：IRFS7734TRLPBF 编号：C406802

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥16.72
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￥14.36
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￥12.89
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￥11.16

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型号：IRFS7434TRL7PP 编号：C538029

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征电容和雪崩 SOA。增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.98
10+
￥5.38
30+
￥5.06
100+
￥4.69

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型号：IRFS7534TRLPBF 编号：C538033

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥8.45
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￥7.01
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￥6.22
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￥5.33

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型号：IPLK60R360PFD7 编号：C537054

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。

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￥7.74
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