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首页 > 热门关键词 > 高压半桥驱动
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EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 4/4A,采用SOP8封装。
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  • 有货
  • EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V,低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻,LIN 内建了一个250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-4/4A,采用SOP8 封装。
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  • 有货
  • EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
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      ¥1.77
  • 有货
  • 带自举二极管的高压高低侧驱动器
    数据手册
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  • 有货
  • BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平,支持3.3V 应用;输出级可以提供较高的峰值电流驱动,采用绿色环保的SOP8 封装。
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      ¥0.3357
    • 4000+

      ¥0.3267
  • 有货
  • EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
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      ¥2.1656
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      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器,主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术,该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻,驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节
    数据手册
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      ¥4.77
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  • 有货
  • 隔离半桥驱动器,集成高端电源
    数据手册
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      ¥55.35
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      ¥48.05
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      ¥39.8
  • 有货
  • 高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 2A/2.5A,采用SOP16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.13
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      ¥4.88
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      ¥4.25
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      ¥3.62
  • 有货
  • IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容,内置强驱动缓冲,支持高边N沟道器件驱动,电压可达600V
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      ¥0.71019 ¥0.7891
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      ¥0.69201 ¥0.7689
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      ¥0.6678 ¥0.742
  • 有货
  • NCP5104是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术,以确保对高端功率开关进行适当驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.36
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      ¥6.1
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      ¥4.21
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      ¥3.87
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      ¥3.71
  • 有货
  • 相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器,形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能,可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外,输出脉冲的宽度保持一致,一旦VCC上电流超过开启阈值,驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.62
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      ¥2.21
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      ¥1.79
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      ¥1.75
  • 有货
  • 带自举二极管的高压高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.56
    • 10+

      ¥11.51
    • 30+

      ¥10.24
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.86
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      ¥10.28
    • 100+

      ¥8.87
  • 有货
  • 带振荡器的高压半桥驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥12.87
    • 10+

      ¥12.59
    • 30+

      ¥12.4
  • 有货
  • NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器,主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术,该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器,可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间,有助于降低击穿电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.19
    • 10+

      ¥12.02
    • 30+

      ¥10.66
  • 有货
  • 带振荡器的高压半桥驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥20.11
    • 10+

      ¥17.32
    • 30+

      ¥15.66
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥6.21
    • 30+

      ¥6.11
  • 有货
  • 3203 是一款半桥驱动芯片,用来驱动高压、高速功率MOSFET 和IGBT。芯片含有独立的高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN 同相,低压侧输出与逻辑输入!LIN 反相,其逻辑输入电平可低至3.3V。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.7751
    • 10+

      ¥0.7579
    • 30+

      ¥0.7463
  • 有货
  • 相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器,行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能,可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外,输出脉冲的宽度保持一致,一旦VCC 上电流超过开启阈值,驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6
    • 10+

      ¥3.7
    • 30+

      ¥3.24
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