半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：LF21904NTR 编号：C3655133

封装：SOIC-14

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：ISL83202IBZ 编号：C3655228

封装：SOIC-16

是一款中频H桥FET驱动器，能够提供1A（典型值）的峰值驱动电流，用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程，四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合，全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护，确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装，工作温度范围为-55°C至+125°C。

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￥20.54
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￥20.06
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型号：UCC27212DPRR 编号：C2677326

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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30+
￥15.95
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￥15.805
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型号：BRD1167C-TL 编号：C1858366

封装：INSOP-24C-9.4mm

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￥26.16
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￥25.5
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￥25.06

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型号：LCS703HG 编号：C568302

封装：SIP-13

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥37.05
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￥36.11
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型号：LCS701HG 编号：C568298

封装：SIP-13

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￥42.48

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型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥49.56
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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥55.73
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￥48.28
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￥43.73

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型号：LCS705HG 编号：C568304

封装：SIP-13

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￥50.43
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￥45.09

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.7561
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4000+
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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.8019
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￥0.6339
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型号：ISL6208IRZ 编号：C1549579

封装：QFN-8-EP(3x3)

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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￥10.11
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￥9.87
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型号：ISL6612ACBZ-T 编号：C2677039

封装：SOIC-8

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动

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￥13.45
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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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￥13.52
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￥11.48
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￥10.2
250+
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型号：TLF11251EPXUMA1 编号：C1518701

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下工作。

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￥15
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￥14.4
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￥13.8
200+
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￥13.2

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型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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50+
￥6.6066
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￥5.8443
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￥5.5902
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￥5.43774

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型号：U2115D 编号：C41374692

封装：SOP-8

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
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￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617
4000+
￥0.3408

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型号：U2181C 编号：C41374696

封装：SOP-8

U2181C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的直通导通

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￥2.1119
50+
￥1.6583
150+
￥1.4639
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￥1.2214
2500+
￥1.1134
4000+
￥1.0485

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型号：FD6636S 编号：C840086

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达 +600V 电压下工作。

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￥7.35
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￥6.13
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￥5.47
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￥4.71
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￥4.38
1000+
￥4.22

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型号：IRS21834STRPBF 编号：C67285

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥10.387
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￥9.588
100+
￥9.1885
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￥8.9488
1000+
￥8.789

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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)