半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：WDFN3030-10

DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0504的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：IRS2001SPBF 编号：C538232

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容

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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：LF21814NTR 编号：C3655094

封装：SOIC-14

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：AUIRS21811STR 编号：C533511

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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型号：YD7127 编号：C5250039

封装：SOP-16

品牌：无锡友达

一款高耐压、高速MOSFET栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放大器应用而设计。具有双向过流检测与保护功能，该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更小的音频输出背景噪声。

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型号：AUIRS2301STR 编号：C533515

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：ISL6625ACRZ-T 编号：C2677223

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET。上下栅极均驱动至外部施加的电压，具备优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用的能力。集成了先进的自适应直通保护，以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区时间。具有过压保护功能，当VCC低于POR阈值时仍可工作。

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型号：FAD8253MX 编号：C3655137

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

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￥22.11
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￥19.04
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型号：AUIRS2113STR 编号：C533504

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：ISL2111BR4Z 编号：C1549615

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：IR2106SPBF 编号：C537546

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥25.03

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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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型号：SLM27211CB-DG 编号：C5374696

封装：SOP-8-EP

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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型号：ISL6208CBZ-T 编号：C2677051

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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￥4.06
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型号：ISL6208BCRZ-T 编号：C2677084

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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￥5.24
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￥5.13
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型号：NSG2110P 编号：C49449825

封装：DIP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥5.66
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￥4.57
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￥4.02
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￥3.48

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型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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10+
￥4.3335
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￥4.173
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￥3.852
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￥3.6915
2000+
￥3.531

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥7.8
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￥7.69

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型号：LF2304NTR 编号：C3655524

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥8.4
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￥8.21
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￥8.08

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型号：SIC632ACD-T1-GE3 编号：C2653473

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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1+
￥9.29
10+
￥7.6
30+
￥6.68

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型号：A89500GEJTR-T 编号：C3655583

封装：DFN-10(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

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￥10.57
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￥10.3
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￥10.13

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型号：BRD1161C-TL 编号：C566744

封装：INSOP

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

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￥12.51
10+
￥12.2
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￥11.99

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型号：BRD1163C-TL 编号：C566745

封装：INSOP

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

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￥13.65
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￥13.31
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￥13.08

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型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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