半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

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型号：2EDS9265HXUMA1 编号：C1870163

封装：SOIC-16-300mil

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：L6390D 编号：C2965457

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6390是一款采用BCD“离线”技术制造的全功能高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作

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型号：TF21844-3BS 编号：C6387920

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IR2181STRPBF 编号：C37524

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：AUIRS21814STR 编号：C533512

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：MIC4605-2YMT-TR 编号：C621920

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

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型号：2EDL8033G3CXTMA1 编号：C7175171

封装：SON-10(3x3)

2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力，而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力

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型号：UCC27201DRMT 编号：C2677129

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：MIC4605-2YM-T5 编号：C633060

封装：SOIC-8

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型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

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型号：AUIRS21811STR 编号：C533511

封装：SOIC-8

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型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

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型号：2ED2738S01GXTMA1 编号：C5885001

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型号：MCP14700-E/SN 编号：C1549324

封装：SOIC-8

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型号：AUIRS2301STR 编号：C533515

封装：SOIC-8

AUIRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil

NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。

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型号：L6386ADTR 编号：C2677052

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：ATA6836C-PXQW-1 编号：C5230935

封装：VQFN-24(5x5)

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型号：2ED1321S12MXUMA1 编号：C20189640

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：NCV51561BBDWR2G 编号：C5209112

封装：SOIC-16-300mil

NCV51561 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。NCV51561 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

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型号：NCP51563CADWR2G 编号：C5209372

封装：SOIC-16-WB