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首页 > 热门关键词 > 美国微芯MOS驱动
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高侧MOSFET驱动器,电流:150uA,耐压:16V
型号：MIC5018BM4TR 编号：C3276545
封装：SOT-143-4
品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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    双通道3A峰值低侧MOSFET驱动器,电流:3A,耐压:18V
    型号：MIC4424CWMTR 编号：C3276255
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥5.01

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    双路1.5A峰值低侧MOSFET驱动器,电流:1.5A,耐压:18V
    型号：MIC4426CMTR 编号：C3282388
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥3.01

    • 200+

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    低侧或高侧MOSFET驱动器,电流:100uA,耐压:30V
    型号：MIC5015BMTR 编号：C3276167
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥1.68
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:330mA
    型号：LND01K1-G 编号：C145615
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚，因此沟道同时被栅极和主体夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:400V 电流:170mA
    型号：DN2540N8-G 编号：C145573
    封装：SOT-89
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V
    型号：TC6320K6-G 编号：C624991
    封装：DFN-8-EP(4x4)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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      ￥22.09

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:175mA
    型号：TP2104N3-G-P003 编号：C629202
    封装：TO-92-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
    型号：TC6320TG-G 编号：C624992
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:13mA
    型号：LND150K1-G 编号：C145393
    封装：SOT-23
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:170mA
    型号：DN2470K4-G 编号：C618541
    封装：TO-252(D-PAK)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这是一款低阈值、耗尽型、常开型晶体管，采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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    带漏极二极管的两对N沟道和P沟道增强型MOSFET
    型号：TC7920K6-G 编号：C625020
    封装：DFN-12-EP(4x4)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    由两对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引脚DFN封装。所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。

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    1个N沟道 耐压:500V
    型号：LND150N8-G 编号：C629123
    封装：SOT-89
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
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    1个N沟道 耐压:450V 电流:200mA
    型号：DN3545N8-G 编号：C556892
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
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    1个N沟道 耐压:90V 电流:300mA
    型号：DN1509K1-G 编号：C616264
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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    • 1+

      ￥9.99

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    • 100+

      ￥6.31
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    1个P沟道 耐压:500V 电流:160mA
    型号：VP2450N8-G 编号：C144242
    封装：SOT-89
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    VP2450是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
    数据手册

    • 1+

      ￥29.43

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      ￥21.25
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    1个P沟道 耐压:16.5V 电流:1.25A
    型号：LP0701LG-G 编号：C622921
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET使用横向MOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗及正温度系数特性。该器件无热失控和热致二次击穿问题，低阈值电压和低导通电阻特性适用于手持和电池供电应用。
    数据手册

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      ￥9.5264 ￥29.77

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    1个N沟道 耐压:90V 电流:300mA
    型号：DN1509N8-G 编号：C616345
    封装：SOT-89
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
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      ￥12.37

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    1个N沟道 电流:120mA
    型号：DN2540N3-G 编号：C58418
    封装：TO-92
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:1.5A
    型号：TN2425N8-G 编号：C629189
    封装：SOT-89-3
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    TN2425低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
    数据手册

    • 1+

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