美国微芯MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：MIC5018BM4TR 编号：C3276545

封装：SOT-143-4

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：MIC4424CWMTR 编号：C3276255

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：MIC4426CMTR 编号：C3282388

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：MIC5015BMTR 编号：C3276167

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LND01K1-G 编号：C145615

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚，因此沟道同时被栅极和主体夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。

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型号：DN2540N8-G 编号：C145573

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：DN2470K4-G 编号：C618541

封装：TO-252(D-PAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这是一款低阈值、耗尽型、常开型晶体管，采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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型号：TC6320TG-G 编号：C624992

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：DN1509K1-G 编号：C616264

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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型号：TC6320K6-G 编号：C624991

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：APT24F50B 编号：C3293070

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Power MOS是高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。专有平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Cᵣₛₛ “米勒” 电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关期间控制转换速率，从而实现低EMI和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

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型号：DN3545N8-G 编号：C556892

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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型号：LND150N8-G 编号：C629123

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向DMOS技术。栅极具有ESD保护。适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。

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型号：TN2425N8-G 编号：C629189

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TN2425低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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型号：LP0701LG-G 编号：C622921

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET使用横向MOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗及正温度系数特性。该器件无热失控和热致二次击穿问题，低阈值电压和低导通电阻特性适用于手持和电池供电应用。

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型号：TN2435N8-G 编号：C629190

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TN2435低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象

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型号：DN1509N8-G 编号：C616345

封装：SOT-89

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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型号：TP2640N3-G 编号：C632592

封装：TO-92-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种低阈值、增强模式（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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型号：TC1550TG-G 编号：C624901

封装：SO-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件的高输入阻抗与正温度系数特性，无热失控和热致二次击穿问题。

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型号：APT13F120B 编号：C7459171

封装：TO-247

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Power MOS 8* 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过缩短 tΓ、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss/Ciss 比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗

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